新聞

客戶可以在我們的網頁 註冊 ,定期收取最新消息包括全新產品發佈、應用文章及更多其它資訊。如果你錯過了已發佈的消息,你可瀏覽以下的文檔。

EPC2366 eGaN FET 榮獲 EPDT 2025 年度產品獎

EPC2366 eGaN FET 榮獲 EPDT 2025 年度產品獎

EPC2366 40 V eGaN® FET 為次世代電力電子在效能、效率與功率密度方面樹立了全新標竿。

加州艾爾塞貢多(El Segundo),2026 年 1 月 13 日 - 高效能電源轉換公司(Efficient Power Conversion,EPC)隆重宣布,其 EPC2366 40 V 增強型氮化鎵(eGaN®)功率電晶體榮獲 EPDT 2025 年度產品獎,並獲選為 功率電晶體 類別得主。此項殊榮突顯了 EPC 在提供尖端 GaN 技術方面的領導地位,能為資料中心、機器人及 AI 基礎設施應用帶來更高效率與卓越效能。

全面的電氣效能

EPC2366 是一款 40 V 增強型 GaN(eGaN®)功率電晶體,適用於需要高速切換、低損耗、高功率密度與高效率的應用。相較於相同電壓等級的傳統功率 MOSFET,EPC2366 具備顯著優勢,是 12 VOUT 同步整流應用的最佳選擇。其極低的汲極至源極導通電阻 RDS(on) 僅為 0.8 mΩ,可在高電流條件下大幅降低導通損耗。該元件擁有優異的以閘極電荷為基礎的性能指標(Figure of Merit,FoM),定義為 RDS(on) × QG < 12 mΩ·nC,這是衡量切換效能的重要指標。如此低的 FoM 顯示 EPC2366 能同時降低導通與切換損耗,使其在高頻電力轉換應用中明顯優於傳統矽 MOSFET。

EPC2366 的汲極至源極額定電壓為 40 V,瞬態耐壓能力高達 48 V。在 5 V 閘極驅動電壓下,其連續汲極電流可達 88 A,脈衝電流約為 360 A。其增強型操作模式使閘極驅動方式與矽 MOSFET 類似,同時仍能享有 GaN 技術的優勢,例如無反向回復電荷以及極低的輸出電容。這些特性可實現更快的切換轉換、降低死區損耗,並顯著提升同步整流與半橋拓撲的效率。

該元件採用小型 3.3 × 2.6 mm PQFN 封裝,並針對高功率密度進行熱優化,封裝背面具備散熱焊盤,可有效將熱量傳導至 PCB。其接面至外殼的熱阻通常約為 0.6 °C/W,接面至電路板的熱阻約為 1.8 °C/W。接面至環境的熱阻會隨 PCB 設計而改變:在 JEDEC 標準板上約為 54 °C/W,而在 EPC 建議的評估板佈局上可低至 26 °C/W。只要 PCB 設計得當並適當鋪銅,這些熱參數即可實現有效散熱,確保元件在最高 150 °C 接面溫度下可靠運作。

半橋評估板

高效能電源轉換公司(EPC)推出了 EPC90167,這是一款 40 V 半橋評估板,旨在協助工程師於高頻、高電流電力轉換應用中快速且精準地評估 EPC2366 增強型 eGaN® 功率電晶體。該評估板採用兩顆 EPC2366 元件組成緊湊型半橋架構,並整合所有即用所需的關鍵電路,是從事 DC-DC 轉換器、馬達驅動或其他高速切換功率級設計工程師的實用參考設計。其設計充分發揮 GaN 技術的高速切換與低損耗特性,同時將寄生電感與振鈴降至最低。

該評估板支援 7.5 V 至 12 V 的閘極驅動電源,並相容標準 PWM 邏輯輸入電平。其可在單輸入或雙輸入 PWM 模式下運作,具備高度彈性。在單輸入模式下,板載邏輯會產生互補的閘極驅動訊號並設定固定死區時間;在雙輸入模式下,使用者可直接控制高側與低側開關,以實現更進階的調變方式,前提是需確保適當的死區時間。

EPC90167 的主要設計目標之一是提升熱效能。該板利用 EPC2366 元件背面的散熱焊盤,將熱量迅速導入 PCB,並可依需求傳導至外部散熱器。評估板上清楚標示了閘極驅動電壓、切換節點波形與電源軌等關鍵測試點,方便量測與除錯。隨附指南提供安全啟動與關閉系統的建議步驟,包括在施加主匯流排電壓前先啟用閘極驅動,並在逐步提升操作條件的同時監控溫度與波形。

啟動高效電力的未來:屢獲殊榮的卓越表現

EPC2366 是一款具突破性的 eGaN® 元件,專為 48 V–12 V LLC 轉換器次級側的同步整流應用而最佳化。其業界領先的性能指標可支援更高的切換頻率與更佳的效率,使其非常適合 AI 資料中心電源等高功率密度應用。

「榮獲 EPDT 年度產品獎,彰顯了 GaN 持續重新定義電力電子可能性的能力,」EPC 執行長暨共同創辦人 Alex Lidow 表示,「EPC2366 展現了我們持續協助工程師設計更小、更快、更高效率系統的承諾,以滿足未來不斷成長的電力需求。」

EPDT 編輯 Mike Green 評論道:「恭喜 EPC 團隊在 EPC2366 的開發、發表與後續推廣過程中所做出的卓越貢獻。公司正將寬能隙技術帶入過去尚未探索的新領域,而該元件在 FoM 與功率密度方面所達成的差異化成果,將為次世代電力系統設計帶來明確價值。」

如需更多資訊,請造訪 www.epc-co.com/epc ,或參閱 EPC2366 資料表 與 EPC90167 評估板的 快速入門指南

關於宜普電源轉換公司

宜普電源轉換公司(EPC)是基於增強型氮化鎵(eGaN®)的功率管理元件的領先供應商,氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及積體電路的性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍,其目標應用包括直流- 直流轉換器、光達(LiDAR)、用於電動運輸、機器人和無人機的馬達控制器,以及低成本衛星等應用。此外,宜普電源轉換公司繼續擴大基於eGaN IC的產品系列,為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com 。eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。關注EPC社交媒體: LinkedInYouTubeFacebookTwitterInstagram優酷

聯絡方式 :

宜普電源轉換公司(EPC):Efficient Power Conversion:  Nick Cataldo tel: +1-203-918-4755 email: [email protected]

新聞聯絡人:Efficient Power Conversion: Nick Cataldo 電話:+1-203-918-4755 電子郵件:[email protected]