氮化鎵器件與矽功率器件比拼第十三章第二部分:最優化的印刷電路板版圖 Posted 2013年4月5日 與基於傳統MOSFET的設計相比,基於氮化鎵場效應電晶體的負載點降壓轉換器能夠通過優化印刷電路板的版圖而減少寄生電阻,從而提高效率、加快開關速度及減少器件的過沖電壓。 詳情請瀏覽http://powerelectronics.com/gan-transistors/egan-fet-silicon-power-shoot-out-vol-13-part-2-optimal-pcb-layout。 相關的熱門文章 如何使用氮化鎵器件: 驅動氮化鎵場效應電晶體及版圖方面的考慮 氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)與矽功率器件比拼第十三章、第一部分: 寄生電感對採用不同器件的轉換器在性能方面的影響 氮化鎵場效應電晶體與矽功率器件比拼第12章 – 優化死區時間 PODCAST: 用於電機控制和LiDAR應用的氮化鎵(GaN) 基於氮化鎵元件的功率轉換解決方案著眼於下一代應用