如何使用氮化鎵器件: 驅動氮化鎵場效應電晶體及版圖方面的考慮 Posted 2013年8月5日 本專欄已經討論了氮化鎵場效應電晶體的優勢及與矽MOSFET器件相比, 它們具備可以實現更高效率及開關速度的潛力。 本章將討論使用氮化鎵場效應電晶體時,在驅動器及版圖方面的考慮,以提高性能。 EEWeb 八月份: 驅動氮化鎵場效應電晶體及版圖方面的考慮 相關的熱門文章 氮化鎵器件與矽功率器件比拼第十三章第二部分:最優化的印刷電路板版圖 Driving eGaN™ Transistors for Maximum Performance PODCAST: 用於電機控制和LiDAR應用的氮化鎵(GaN) 利用單片氮化鎵積體電路設計解決方案以實現更高性能、縮小尺寸和降低成本 基於氮化鎵元件的功率轉換解決方案著眼於下一代應用