利用單片氮化鎵積體電路設計解決方案以實現更高性能、縮小尺寸和降低成本 Posted 2023年6月26日 事實證明，15 V ~ 350 V 氮化鎵異質結場效應功率電晶體在功率轉換、馬達控制和光達等應用中，無論是在效率、尺寸、速度和成本方面都比矽元件更具優勢 。氮化鎵積體電路為許多高頻應用提供了多方面的系統級優勢。 氮化鎵積體電路才剛剛發展，其優勢肯定會隨著其技術發展而不斷增强。 Bodo’s Power Systems 2023年6月 閱讀文章 相關的熱門文章 Low-Voltage GaN FETs in Motor Control Application; Issues and Advantages: A Review 氮化鎵的崛起：矽基氮化鎵積體電路重新定義功率轉換 Cascade of Power Using GaN FETs with Controllers and Gate Drivers Designed for Silicon MOSFETs GaN產業版塊動盪宜普如何越級挑戰？