成長中的eGaN FET電源轉換生態系統
技術分享雜談GaN技術 – Rick Pierson
五月 18, 2019
序幕
eGaN® FET 基於的電力轉換系統比基於 Si 的替代方案具有更高的效率、更高的功率密度和更低的整體系統成本。這些優勢特性促進了越來越多的電力電子元件生態系統的出現,例如門驅動器、控制器和被動元件,專門增強eGaN FET的性能。圖1顯示了一些 eGaN FET 的範例。
圖1:eGaN FET 範例,範圍從 7 mΩ 到 120 mΩ 以及從 100 V 到 350 V
eGaN FET 生態系統概述
eGaN FET 生態系統可以分為三個主要類別:1) 門驅動器,2) 控制器和 3) 被動元件。圖2中顯示的典型同步降壓轉換器突出了這些各種元件。這些元件的需求由eGaN FET 的特性驅動,例如小占用空間、快速開關、緊密的門電壓要求和高頻能力。
圖2:典型同步 eGaN FET 基於的降壓轉換器電路示意圖,突出了 eGaN FET 生態系統中的關鍵元件
eGaN FET 的門驅動器
門驅動器 IC 對於最大化 eGaN FET 的開關速度能力至關重要。為了與 eGaN FET 兼容,門驅動器必須具有適合 5 V 驅動的 UVLO、低上拉和下拉電阻、小占用空間和足夠的共模瞬變免疫性 (CMTI) 以承受高 dv/dt。一些 eGaN 兼容驅動器的其他有益特性包括集成電壓調節器、引導管理和非常窄的脈寬能力。表 1 顯示了一些適用於 eGaN FET 的低側門驅動器範例,表 2 同樣顯示了半橋門驅動器。
| 德州儀器 |
LM5114 |
否 |
通用 |
聯繫 EPC |
| 德州儀器 |
UCC27611 |
是 |
適用於數字隔離器的半橋 |
EPC9081 |
| 德州儀器 |
LMG1020 |
否 |
超快,1 ns 脈寬 |
聯繫 EPC |
| uPI |
uP1964 |
是 |
集成可調節驅動電壓調節器 |
— |
| IXYS |
IXD_604 |
否 |
雙驅動器,適用於大型 FET |
— |
表 1:eGaN FET 兼容的低側門驅動器
| 德州儀器 |
LM5113-Q1(NRND)*‡ |
100 |
是 |
Lo & Hi |
50 |
EPC9078 |
| 德州儀器 |
LMG1205*‡ |
100 |
是 |
Lo & Hi |
50 |
EPC9078 |
| uPI |
uP1966A*‡ |
80 |
是 |
Lo & Hi |
— |
EPC9078 |
| uPI |
uP1966B* |
80 |
是 |
PWM |
— |
— |
| pSemi |
PE29101 |
100 |
是 |
PWM |
— |
聯繫 EPC |
| pSemi |
PE29102 |
100 |
否 |
PWM |
— |
EPC9204 |
| 德州儀器 |
LMG1210 |
200 |
是 |
PWM |
300 |
聯繫 EPC |
| Silicon Labs |
Si8274GB1-IM |
630 |
否 |
PWM |
200 |
聯繫 EPC |
| Silicon Labs |
Si8275GB-IM |
630 |
否 |
Lo & Hi |
200 |
聯繫 EPC |
| Analog Devices |
ADuM4120ARIZ |
1092 V |
否 |
Lo 或 Hi |
150 |
— |
| Analog Devices |
ADuM4121ARIZ |
1118 V |
否 |
Lo 或 Hi |
150 |
— |
| * 占用空間兼容 ‡ 引腳兼容 |
表 2:eGaN FET 兼容的半橋門驅動器
對於沒有單一 IC 解決方案的高壓設計,可以將低側門驅動器與具有高 CMTI 的高壓信號隔離器結合使用。
eGaN FET 的控制器
隨著 eGaN FET 推動轉換器向更高頻率發展,控制器需要在 MHz 範圍內運行,具有更高的控制帶寬和更緊密的調節以適應高頻轉換器。許多控制器還集成了一個門驅動器階段,必須滿足前面提到的門驅動器要求。表 3 和表 4 顯示了適用於同步整流和同步降壓轉換器應用的 eGaN FET 兼容控制器。
| NXP |
TEA1993TS |
是 |
65 ns / 40 ns |
120 |
38 |
| NXP |
TEA1995T |
是 (雙) |
80 ns / 40 ns |
100 |
38 |
| NXP |
TEA1998TS |
是 |
40 ns / 40 ns |
60 |
10.5 |
| ON-Semi |
NCP4305A |
是 |
35 ns / 12 ns |
200 |
35 |
| ON-Semi |
NCP4308A |
是 |
40 ns / 20 ns |
150 |
35 |
表 3:eGaN FET 兼容的同步整流控制器
| Analog Devices |
LTC7800 |
是 |
320 kHz - 2.25 MHz |
98% |
60 |
| Microchip |
MIC2127A |
是 |
270 kHz - 800 kHz |
85% |
75 |
| Microchip |
MIC2103/4 |
是 |
200 kHz - 600 kHz |
85% |
75 |
| 德州儀器 |
LM5140-Q1 |
是 |
440 kHz / 2.2 MHz |
95.6% / 78% |
65 |
| 德州儀器 |
TPS40400 |
是 |
200 kHz - 2 MHz |
95% / 75% |
20 |
| 德州儀器 |
TPS53632G |
否 |
300 kHz - 1 MHz |
— |
5 |
| Renesas |
ISL8117A |
是 |
100 kHz - 2 MHz |
— |
60 |
表 4:eGaN FET 兼容的同步降壓轉換器控制器
數字控制器對於許多 eGaN FET 應用也是有用的,例如多相和多級架構。適用的範例包括 Microchip 的 PIC 系列和 TI 的 Delfino 和 Piccolo 系列。
eGaN FET 的被動元件
eGaN FET 基於的轉換器的更高工作頻率需要優化高頻的被動元件。
eGaN FET 轉換器性能的關鍵指標是功率密度和效率,包括輸入和輸出濾波器。重要的電感器選擇參數包括低串聯電阻 (ESR) 以最小化導通損耗、低磁芯損耗和低寄生電容。Vishay 的 IHLP 系列非常適合滿足這些標準。
適用於旁路/去耦的陶瓷電容選擇來自多個供應商,其中 X7R 或 X7S 的溫度系數提供了卓越的效果,具有最高的功率密度。
結論
隨著 eGaN FET 繼續滲透到應用設計中,為了實現 eGaN FET 優越性能所需的支援元件生態系統也將增長。如今,這一生態系統不再是基於 GaN 設計的限制因素,設計師有越來越多的門驅動器、控制器和被動元件選擇。