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成長中的eGaN FET電源轉換生態系統

成長中的eGaN FET電源轉換生態系統

五月 18, 2019

序幕

eGaN® FET 基於的電力轉換系統比基於 Si 的替代方案具有更高的效率、更高的功率密度和更低的整體系統成本。這些優勢特性促進了越來越多的電力電子元件生態系統的出現,例如門驅動器、控制器和被動元件,專門增強eGaN FET的性能。圖1顯示了一些 eGaN FET 的範例。

Examples of eGaN FETs
圖1:eGaN FET 範例,範圍從 7 mΩ 到 120 mΩ 以及從 100 V 到 350 V

eGaN FET 生態系統概述

eGaN FET 生態系統可以分為三個主要類別:1) 門驅動器,2) 控制器和 3) 被動元件。圖2中顯示的典型同步降壓轉換器突出了這些各種元件。這些元件的需求由eGaN FET 的特性驅動,例如小占用空間、快速開關、緊密的門電壓要求和高頻能力。

Circuit schematic of a typical synchronous eGaN FET based Buck converter
圖2:典型同步 eGaN FET 基於的降壓轉換器電路示意圖,突出了 eGaN FET 生態系統中的關鍵元件

eGaN FET 的門驅動器

門驅動器 IC 對於最大化 eGaN FET 的開關速度能力至關重要。為了與 eGaN FET 兼容,門驅動器必須具有適合 5 V 驅動的 UVLO、低上拉和下拉電阻、小占用空間和足夠的共模瞬變免疫性 (CMTI) 以承受高 dv/dt。一些 eGaN 兼容驅動器的其他有益特性包括集成電壓調節器、引導管理和非常窄的脈寬能力。表 1 顯示了一些適用於 eGaN FET 的低側門驅動器範例,表 2 同樣顯示了半橋門驅動器。

製造商 零件編號 包含 LDO 關鍵特性 應用範例
德州儀器 LM5114 通用 聯繫 EPC
德州儀器 UCC27611 適用於數字隔離器的半橋 EPC9081
德州儀器 LMG1020 超快,1 ns 脈寬 聯繫 EPC
uPI uP1964 集成可調節驅動電壓調節器
IXYS IXD_604 雙驅動器,適用於大型 FET
表 1:eGaN FET 兼容的低側門驅動器
製造商 零件編號 工作電壓 (V) 引導管理 輸入 CMTI (V/ns) 應用範例
德州儀器 LM5113-Q1(NRND)*‡ 100 Lo & Hi 50 EPC9078
德州儀器 LMG1205*‡ 100 Lo & Hi 50 EPC9078
uPI uP1966A*‡ 80 Lo & Hi EPC9078
uPI uP1966B* 80 PWM
pSemi PE29101 100 PWM 聯繫 EPC
pSemi PE29102 100 PWM EPC9204
德州儀器 LMG1210 200 PWM 300 聯繫 EPC
Silicon Labs Si8274GB1-IM 630 PWM 200 聯繫 EPC
Silicon Labs Si8275GB-IM 630 Lo & Hi 200 聯繫 EPC
Analog Devices ADuM4120ARIZ 1092 V Lo 或 Hi 150
Analog Devices ADuM4121ARIZ 1118 V Lo 或 Hi 150
* 占用空間兼容 ‡ 引腳兼容
表 2:eGaN FET 兼容的半橋門驅動器

對於沒有單一 IC 解決方案的高壓設計,可以將低側門驅動器與具有高 CMTI 的高壓信號隔離器結合使用。

eGaN FET 的控制器

隨著 eGaN FET 推動轉換器向更高頻率發展,控制器需要在 MHz 範圍內運行,具有更高的控制帶寬和更緊密的調節以適應高頻轉換器。許多控制器還集成了一個門驅動器階段,必須滿足前面提到的門驅動器要求。表 3 和表 4 顯示了適用於同步整流和同步降壓轉換器應用的 eGaN FET 兼容控制器。

製造商 零件編號 包含門驅動器 激活 / 停用時間 FET 電壓 (V) 直流電壓 (V)
NXP TEA1993TS 65 ns / 40 ns 120 38
NXP TEA1995T 是 (雙) 80 ns / 40 ns 100 38
NXP TEA1998TS 40 ns / 40 ns 60 10.5
ON-Semi NCP4305A 35 ns / 12 ns 200 35
ON-Semi NCP4308A 40 ns / 20 ns 150 35
表 3:eGaN FET 兼容的同步整流控制器
製造商 零件編號 包含門驅動器 工作頻率 最大占空比 工作電壓 (V)
Analog Devices LTC7800 320 kHz - 2.25 MHz 98% 60
Microchip MIC2127A 270 kHz - 800 kHz 85% 75
Microchip MIC2103/4 200 kHz - 600 kHz 85% 75
德州儀器 LM5140-Q1 440 kHz / 2.2 MHz 95.6% / 78% 65
德州儀器 TPS40400 200 kHz - 2 MHz 95% / 75% 20
德州儀器 TPS53632G 300 kHz - 1 MHz 5
Renesas ISL8117A 100 kHz - 2 MHz 60
表 4:eGaN FET 兼容的同步降壓轉換器控制器

數字控制器對於許多 eGaN FET 應用也是有用的,例如多相和多級架構。適用的範例包括 Microchip 的 PIC 系列和 TI 的 Delfino 和 Piccolo 系列。

eGaN FET 的被動元件

eGaN FET 基於的轉換器的更高工作頻率需要優化高頻的被動元件。

eGaN FET 轉換器性能的關鍵指標是功率密度和效率,包括輸入和輸出濾波器。重要的電感器選擇參數包括低串聯電阻 (ESR) 以最小化導通損耗、低磁芯損耗和低寄生電容。Vishay 的 IHLP 系列非常適合滿足這些標準。

適用於旁路/去耦的陶瓷電容選擇來自多個供應商,其中 X7R 或 X7S 的溫度系數提供了卓越的效果,具有最高的功率密度。

結論

隨著 eGaN FET 繼續滲透到應用設計中,為了實現 eGaN FET 優越性能所需的支援元件生態系統也將增長。如今,這一生態系統不再是基於 GaN 設計的限制因素,設計師有越來越多的門驅動器、控制器和被動元件選擇。

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