EPC 透過與瑞薩策略合作擴展 GaN 應用版圖 技術分享雜談GaN技術 – Maurizio Di Paolo Emilio 二月 16, 2026 與提供高電壓 GaN 產品的瑞薩（Renesas）建立合作關係，為 EPC 擴展其中低電壓產品組合帶來新的契機。 氮化鎵（GaN）——一種與碳化矽（SiC）並列的寬能隙半導體——已成為新世代電力電子中優於矽的替代技術。知名市場研究機構 Yole 預測，到 2030 年 GaN 功率市場規模將達 30 億美元，2024 年至 2030 年期間的年複合成長率高達 42%，主要受 OEM 採用率提升、消費市場成熟，以及在 NVIDIA 支持下 AI 資料中心業務擴張所推動。 Power Electronic News 閱讀原文 Tags: AI資料中心high-voltagePartnership Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC