雜談GaN技術

當寬能隙半導體進入市場時，其應用領域劃分相當明確。SiC 在600V以上電壓範圍挑戰矽，而 GaN 則在約100V至600V的應用中與矽競爭。

Power Systems Design
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Efficient Power Conversion（EPC）執行長兼共同創辦人 Alex Lidow 在最近的一次專訪中，與 Power Systems Design 編輯 Ally Winning 討論了 EPC 與瑞薩（Renesas）的策略合作協議。該訪談探討了達成此協議的原因、第二供應來源的重要性，以及某些 eGaN 元件如何幫助在低電壓 GaN 市場中建立事實標準。

專業音訊產業在評估新型半導體技術時，傳統上優先考量可靠性、可預測的產品生命週期，以及長期產品穩定性。因此，新興元件平台通常只有在其電氣性能與強固性獲得充分驗證與理解後，才會被導入。

在這樣的背景下，Innosonix 執行長暨共同創辦人 Markus Bätz 早在 2020 年便決定從矽基功率元件轉向氮化鎵（GaN）功率元件——那時距離 GaN 在專業音訊領域被廣泛討論還有數年之久。

與提供高電壓 GaN 產品的瑞薩（Renesas）建立合作關係，為 EPC 擴展其中低電壓產品組合帶來新的契機。

氮化鎵（GaN）——一種與碳化矽（SiC）並列的寬能隙半導體——已成為新世代電力電子中優於矽的替代技術。知名市場研究機構 Yole 預測，到 2030 年 GaN 功率市場規模將達 30 億美元，2024 年至 2030 年期間的年複合成長率高達 42%，主要受 OEM 採用率提升、消費市場成熟，以及在 NVIDIA 支持下 AI 資料中心業務擴張所推動。

Power Electronic News
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