GaN 革命的核心 技術分享雜談GaN技術 – Maurizio Di Paolo Emilio 二月 24, 2026 當寬能隙半導體進入市場時,其應用領域劃分相當明確。SiC 在600V以上電壓範圍挑戰矽,而 GaN 則在約100V至600V的應用中與矽競爭。 Power Systems Design 閱讀文章 Tags: GaNLow-voltagePartnership Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC