雜談GaN技術

At PCIM，Alex Lidow 重點介紹了 GaN 技術的最新演進，強調其在導通電阻、電容和電壓性能方面取得的重大提升。他指出，第七代 GaN 的導電性正接近銅，同時在各個電壓等級上持續超越矽 MOSFET。Lidow 還展示了 EPC2370，該元件具有超低導通電阻和大幅降低的電容。展望未來，EPC’s 第八代 GaN 將瞄準低電壓、高頻率和高功率密度應用，以及用於機器人和無人機的單片馬達驅動 IC，並計劃在 2027 年和 2028 年整合保護功能和電流感測功能。 觀看影片

當寬能隙半導體進入市場時，其應用領域劃分相當明確。SiC 在600V以上電壓範圍挑戰矽，而 GaN 則在約100V至600V的應用中與矽競爭。

Power Systems Design
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一款具有 30 V 至 140 V 寬輸入範圍的馬達驅動逆變器參考設計適用於 80 V、110 V 等電池系統。此類應用範例包括工業自動化系統、農業機械和物料搬運設備（例如堆高機）。本文探討針對這些系統的即用型參考設計的設計重點，特別是針對使用 GaN FETs 的 PCB 佈局進行的性能優化。

隨著全球對光伏（PV）系統需求的增長，製造商面臨降低成本同時保持可靠性的巨大壓力。創新技術對於實現這些目標至關重要，尤其是在商業和住宅光伏系統中。這些系統通常分為兩種主要配置：微型逆變器和串式逆變器。

瞭解在選擇氮化鎵（GaN）柵極驅動器時應考慮的關鍵因素，在這裏為您的電力電子產品設計做出最佳選擇。

医疗技术行业涵盖对疾病和慢性病的预防、诊断和治疗的医疗设备。根据《财富商业洞察》，全球医疗设备行业市场预计将从2022年的4954.6亿美元增长到2029年的7189.2亿美元，复合年增长率为5.5%。

應用新的設計方法於流行的家用電器，使所有用戶能夠在日常活動中貢獻於減少能源使用。EPC剛剛發布了一款新的演示板，EPC9176，這是一款三相BLDC電機驅動逆變器，針對更高效、高性能的吸塵器電機。

氮化鎵(GaN)元件是一種非常堅硬和在機械方面非常穩定的寬帶隙半導體材料，用于生產功率元件、射頻元件和發光二極體 (LED)。其開關頻率遠高於矽元件，使電力電子設計人員能够利用氮化鎵元件創建更小、更高效、性能更高的系統，這是以前採用矽技術難以實現。

GaN 是馬達驅動應用的遊戲改變者。為了讓設計師能夠利用這項技術，快速且可靠的上市時間至關重要。使用最先進的電子技術和技術的易用參考設計提供了加快上市時間的寶貴工具。EPC9173 工具允許設計師設計 電動自行車 和無人機，提升馬達系統的尺寸、性能、範圍、精度和扭矩，同時簡化設計以加快上市時間。

氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術，可實現更高的效率、顯著減小系統尺寸、更輕和在應用中取得矽元件無法實現的性能。那麽，為什麽關於氮化鎵半導體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？