雜談GaN技術

來賓 GaN 談話部落格：Pavel Gurev，Sinftech Rus LLC

共同撰寫：Steve Colino

電力電子工程師不斷致力於設計具有更高效率和更高功率密度的設計，同時保持高可靠性並將成本降至最低。設計技術的進步和元件技術的改進使工程師能夠始終如一地實現這些目標。電力半導體是這些設計的核心，它們的改進對於更好的性能至關重要。在這篇EPC空間部落格中，我們將展示氮化鎵（GaN）電力半導體如何在空間應用的惡劣輻射環境中實現創新。

重新思考平凡並克服心理偏見

高效能電源轉換 (EPC) 正在提升與老化的矽電源 MOSFET 和 100 V 等級的 eGaN 電晶體之間的性能距離。新的第五代「plus」裝置相比於前一代產品，擁有約 20% 更低的 RDS(on) 和更高的直流額定值。這種性能提升來自於厚金屬層的增加和從焊球轉換為焊條。

包裝的SEE免疫和抗輻射增強型氮化鎵（eGaN）器件相比老化的抗輻射硅MOSFET提供了顯著提升的性能，使得新一代電源轉換器在太空中能夠在更高頻率、更高效率和更高功率密度下運行，達到前所未有的水平。

親愛的 EPC 朋友、同事和合作夥伴：

矽已經存在夠久了。是時候讓一個更年輕且更具競爭力的挑戰者來接管半導體材料的主導地位了。

隨著馬達技術的進步，功率密度增加；馬達被製成更小的形式，設計速度更高，精度更高，這需要更高的電氣頻率。

這篇文章最初由 M. Di Paolo Emilio 發表於 Power Electronic News 網站。