雜談GaN技術

這篇文章最初由 M. Di Paolo Emilio 發表於 Power Electronic News 網站。

eGaN® FET 基於的電力轉換系統比基於 Si 的替代方案具有更高的效率、更高的功率密度和更低的整體系統成本。這些優勢特性促進了越來越多的電力電子元件生態系統的出現，例如門驅動器、控制器和被動元件，專門增強eGaN FET的性能。圖1顯示了一些 eGaN FET 的範例。

計算和電信市場的迅速擴展對於中間匯流排轉換器的需求變得越來越小型化、高效和高功率密度。LLC諧振轉換器是一個提供高功率密度和高效率解決方案的出色候選者。eGaN® FETs 具有超低的導通電阻和寄生電容，能顯著降低使用矽MOSFET時的損耗，這對LLC諧振轉換器非常有利。使用eGaN FETs（如EPC2053 和 EPC2023）的48 V到6 V、900 W、1 MHz LLC DC到DC變壓器（DCX）轉換器，展示了峰值效率達98.1%，特定功率為48 W/cm2 (308 W/in2)，功率密度為69 W/cm3 (1133 W/in3)。

隨著新的一年開始，花幾分鐘回顧2018年的成功，並展望2019年的期望是值得的。

在CES這個全球創新聚集地，曾經宣布了改變世界的創新，如1970年的第一台錄影機（VCR），以及全球第一台可無線充電的筆記型電腦。

eGaN® FETs 和 ICs 由於其緊湊的尺寸、超快的切換速度和低導通電阻，使得非常高密度的電源轉換器設計成為可能。大多數高密度轉換器的輸出功率限制因素是結點溫度，這促使了對更有效的熱設計的需求。eGaN的芯片級封裝還提供了六面散熱，有效地從晶片的底部、頂部和側面提取熱量。本應用筆記介紹了一種高效的散熱解決方案，以擴展基於eGaN的轉換器的輸出電流能力。

本文最初由 Bill Kleyman 于 2018年11月5日发布在 Data Center Frontier 网站上。了解更多关于 eGaN 技术 以及 EPC GaN 解决方案在 数据中心的应用。

這篇文章由 Planet Analog 主編 Steve Taranovich 撰寫，原文於 2018 年 8 月 10 日發表在 Planet Analog 網站。了解更多有關 eGaN 技術 和 EPC GaN 解決方案在 LiDAR 的應用。

本文最初於2018年5月16日星期三發表在Compound Semiconductor網站上。了解更多有關eGaN技術和EPC GaN汽車應用解決方案的內容，請參閱汽車應用。

本文章最初於2018年5月發表在Bodo's Power Systems網站。了解更多關於eGaN技術以及EPC GaN在汽車領域的解決方案。