宜普電源轉換公司將於國際著名功率電子與應用研討會（APEC®2017）展示超過25多種基於卓越氮化鎵技術的演示電路，以及它如何改變了我們的生活方式。我們的技術專家將以GaN® FET和集成電路技術爲主題，舉行合共七場技術演講。
宜普電源轉換公司的團隊宜普電源轉換公司的團隊將於2017年3月26日至30日在美國佛羅里達州Tampa舉行的APEC 2017研討會，舉行以氮化鎵（GaN）技術及應用為主題的七場演講。此外，EPC將展示最新的eGaN FET及積體電路，以及分享客戶採用eGaN技術的最終產品。
宜普公司的展位是#530。演示包括桌面的高功率共振式無線充電解決方案，可替多種設備充電，包括手機、筆記型電腦、顯示器及桌燈。 此外，無刷DC馬達驅動器、應用於自動駕駛汽車的一系列感應器並提供3D即時LiDAR成像、貨車用高强度LED車燈，以及與最優的矽基MOSFET相比，最新的100/200 V eGaN FETs如何更优越。這些最新的eGaN FET的尺寸減半而性能却高出3倍。這種良性循環--尺寸更小、成本更低、性能更高--使eGaN FET及集成電路與日益老化的功率MOSFET的績效差距繼續擴大。
APEC國際研討會專注功率電子的實際應用。該研討會備受推薦，主要關注功率電子元件及設備的使用、設計、製造及推廣，大受業界功率專家的歡迎。詳情請瀏覽APEC官方網站，網址為 http://www.apec-conf.org/。
- 「利用氮化鎵（GaN）電晶體實現高效電源轉換」
P講者：Alex Lidow
時間：3月29日星期三(上午11:15-11:45 Exhibitor Session Room 13)
- 「對防止增強型氮化鎵電晶體的閘極驅動器出現過壓的方法進行評估」
講者：David Reusch及Michael de Rooij
時間：3月29日星期三(下午2:00-5:30 Session T17)
- 「再次評估基於高性能氮化鎵電晶體的48 Vin 伺服器架構」
講者：David Reusch
時間：3月29日星期三(下午2:00-5:30 Session IS10)
- 「氮化鎵技術使得摩爾定律復活」
講者：Alex Lidow
時間：3月29日星期三(下午2:00-5:30 Session IS09)
- 「eGaN FET及矽MOSFET的死區功耗–沒有反向恢復如何降低您的設計的功耗？」
講者：John Glaser
時間：3月30日星期四(上午8:30-11:30 Session IS13)
- 「eGaN FET及積體電路被評估具備更高可靠性，準備進軍主流市場」
講者：Chris Jakubiec
時間：3月30日星期四(上午8:30-11:30 Session IS13)
- 「面向無線電源應用並採用eGaN FET及eGaN閘極驅動器積體電路的E類放大器」
講者：Yuanzhe Zhang
時間：3月30日星期四(下午2:00-5:30 Session IS19)
如果參加是次研討會的朋友希望在EPC展臺或專為客戶而設的會議地點與EPC公司的應用專家會面，請在此網頁提交表格：/epc/Contact/RequestMeeting.aspx。
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增强型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商，爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站，網址爲www.epc-co.com.tw 。
商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
傳媒聯絡
Winnie Wong ( [email protected])