宜普電源轉換公司發佈第九階段可靠性測試報告，記錄受測元件在累計超過900萬個元件-小時的應力測試後,沒有發生故障。該報告聚焦電路板熱機械可靠性，首次描述焊點的完整性的預測模型，以及與可比的封裝元件相比，展示出採用晶圓級晶片尺寸封裝（WLCSP）的氮化鎵電晶體具備卓越的可靠性。

宜普電源轉換公司的第九階段可靠性測試報告表明所有受測的元件都通過了嚴謹的熱機械可靠性測試。我們過去已發佈了八份關於產品可靠性的測試報告，第九階段可靠性測試報告進一步累積與氮化鎵技術相關的知識，以及實現我們的承諾，與工程師分享對氮化鎵技術的學習研究。

宜普公司首席執行長及共同創始人Alex Lidow博士說：「要展示全新技術的可靠性是一個重大的挑戰。我們非常重視所有產品的可靠性。第九階段可靠性測試報告闡述我們採用晶圓級晶片尺寸封裝的氮化鎵產品無論在可靠性、成本及性能方面都比矽基元件優越，是替代矽技術的首選半導體技術。丟棄封裝的時候終於來臨了。」

EPC公司的場效應電晶體（FET）及積體電路採用晶圓級晶片尺寸封裝（WLCSP），可以提高性能、降低成本及把元件的佔板面積減至最小而同時提高可靠性。WLCSP具備優越的散熱性能，於終端應用中焊接元件到PCB時，這是非常重要的。 第九階段可靠性測試報告主要闡述電路板熱機械可靠性。

所選的受測元件採用不同的封裝尺寸及焊接工位的佈局和配置，並且使用預測焊點的完整性的模型。客戶可以利用本報告所述的熱機械應力模型來預測元件於各種特定最終應用中的可靠性。在與最終應用相關的任意壓力條件下，客戶可利用焊點應變之間的相關性和元件的熱疲勞壽命，利用模型來預測熱迴圈/循環引致的元件故障。

從這九份可靠性報告所累計的資料可以看到，eGaN^® FET及積體電路是非常可靠的器件，以及在目前的終端產品的合理壽命內，eGaN FET及積體電路的失效概率是非常低的。與矽元件相比，報告描述了氮化鎵技術具備卓越的性能、成本及可靠性，丟棄採用較低可靠性封裝的矽元件、轉用晶片級氮化鎵場效應電晶體及積體電路的時候終於來臨了。

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增强型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商，爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。詳情請瀏覽我們的網站，網址爲www.epc-co.com.tw 。

商標

eGaN^® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。

傳媒聯絡

Winnie Wong ( [email protected])