宜普電源轉換公司（EPC）與工程師分享經過專業製作的6個影片，展示出在最終用戶端的應用，例如無線充電桌面、高性能雷射雷達、48 V–1.8 V DC/DC單級轉換，以及利用氮化鎵電晶體及積體電路實現準確控制的馬達驅動器等應用。

宜普電源轉換公司（www.epc-co.com.tw）製作了6個精簡影片，展示出在最終用戶端採用eGaN^® FET及積體電路的應用。這些影片描述氮化鎵技術正在改變我們的生活方式，並挑戰功率系統設計工程師如何在他們新一代的功率系統設計中，發揮高效氮化鎵場效應電晶體及積體電路的優勢。

採用eGaN技術的應用的演示影片包括：

1.  APEC 2017: 基於氮化鎵技術的應用

宜普電源轉換公司（EPC）於國際著名功率電子與應用研討會（APEC 2017）展示出超過25種應用，它們都採用了改變我們生活方式的氮化鎵技術。在本影片，EPC首席執行長Alex Lidow與我們分享在EPC展位上所展出採用氮化鎵場效應電晶體（eGaN®FET）及積體電路的多種應用，包括於2 x 3英尺的桌面上以無線充電方式對多個設備同時供電。

2.  剪斷電源線！基於氮化鎵技術的無線充電桌面

EPC公司首次展示在桌面上可以同時對多個設備進行無線充電。本影片描述在該桌面上，我們可以同時對筆記型電腦、電視顯示幕、Google Home、Amazon Alexa、檯燈及手機進行無線充電。氮化鎵技術不僅僅是對手機進行無線充電，而是可以對我們的智慧家居進行無線充電。

3.  面向雷射雷達應用的氮化鎵驅動器

相比日益老化的MOSFET元件，目前氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）及積體電路的開關速度快十倍。高速開關使得LiDAR系統具備優越的解析度、更快速反應時間及更高準確性等優勢。這種技術迅速被各種需要更高準確性的應用所採用，例如自動駕駛汽車及擴增實境系統。

4.  在48 V - 1.8 V DC/DC轉換採用GaN FET 與MOSFET的比較

EPC公司最新一代的製程再一次擊敗矽基MOSFET功率元件，實現更高性能的元件而同時縮小元件的尺寸及降低成本。本影片展示出100 V 的GaN FET與等效MOSFET相比，GaN FET的性能更高、佔板面積小很多、功耗低30%及提高功率密度達3倍。

5.  在150 V - 12 V DC/DC轉換採用GaN FET 與MOSFET的比較

EPC的產品再一次擊敗矽基MOSFET功率元件，實現更高的性能而同時縮小元件的尺寸及降低成本。本影片展示出200 V的 GaN FET與等效MOSFET相比，GaN FET的性能更高、大大減小佔板面積（元件小型化達15倍）、功耗低出40%及提高功率密度達3倍。

6.  馬達驅動器應用

本影片展示出德州儀器公司的48 V、10 A、三相位的氮化鎵逆變器參考設計，採用了LMG5200元件。 基於氮化鎵的解決方案具有更優越的散熱特性/模式–不需散熱器、更低的電感可以縮小器件的尺寸及更輕盈。這個參考設計可實現難以置信的98.5% 效率。

EPC公司首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow稱：「這些精簡影片展示出在最終用戶端的應用中，目前採用高效氮化鎵場效應電晶體及積體電路或由它們提升性能。我們希望這些視頻可以激發具備創新性思維、前瞻性眼光的功率系統工程師，利用氮化鎵產品的優勢，開發創新的解決方案。」

觀看各種氮化鎵應用的演示影片，可從EPC網站的影片庫或EPC YouTube影片頻道EPC YouTube影片頻道看到。

宜普電源轉換公司簡介

宜普電源轉換公司是基於增强型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商，爲首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器、 光學遙感技術（LiDAR）<