IEEE電力電子學會（ PELS）將於2016年11月3日（星期四）舉行線上研討會，屆時將由Alex Lidow及Michael de Rooij主講並與參加者分享採用晶片級封裝的氮化鎵功率元件的設計及PCB製造方法。

氮化鎵技術領袖宜普電源轉換公司（EPC）的專家將於美國東部夏令時間（EDT）11月3日（星期四）早上11時至中午12時於IEEE電力電子學會（ PELS）線上研討會中與工程師分享如何設計及使用氮化鎵電晶體。

全新氮化鎵技術推動了無綫電源傳送應用的發展。近來在A4WP及PMA的合併下，工程師們對該發展尤感興趣。 本訪問涵蓋了饒富興味的問題並解答了氮化鎵元件何時會備受半導體業界廣泛採納。訪問的內容包括氮化鎵元件的優勢、成本如何可以更低、最新元件的創新性、元件可以工作在高頻的條件下而具備小尺寸、優越的散熱管理、氮化鎵的市場如何可以超越矽元件的市場及氮化鎵技術的未來發展等。

功率系統設計
2015年6月24日
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氮化鎵場效應電晶體（eGaN^® FET）之前在鬆散耦合式無綫電源傳送解決方案中，展示了在採用零電壓開關(ZVS)D類或E類放大器拓撲並工作在on-resonance條件下，該些電晶體具有較高的效率。然而，可行的無綫電源系統需要滿足這些系統的易用性的要求，結果是反射式綫圈阻抗在負載和耦合變化時顯著偏離諧振。由於這些系統仍然需要向負載供電，因此放大器需要在寬阻抗範圍內驅動綫圈。諸如A4WP第三等級的規範定義了可以滿足易用性因素、寬泛的綫圈阻抗範圍，並且可以用作比較放大器的性能的起點。

本章根據A4WP第三等級的標準對ZVS D類及E類放大器拓撲在6.78MHz頻率下進行測試並通過縮小了的阻抗範圍來判斷固有的工作範圍極限。諸如元件的溫度和電壓極限等因素將確定每個放大器能够驅動綫圈的負載阻抗範圍。

Bodos China
宜普電源轉換公司應用工程執行總監Michael de Rooij博士
2015年6月
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