宜普電源轉換公司(EPC)是增强型氮化鎵 (GaN) FET 和 IC產品的領導者，在紐倫堡舉行的 PCIM Europe 2023展會上分享了關於氮化鎵技術的發展和其應用的演示。 我們與該公司的聯合創始人暨首席執行長 Alex Lidow 就電力電子行業和氮化鎵技術對行業的影響進行了深度交流。

Electronic Design
2023年5月
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Growing computational power and miniaturization of electronics in computing and data centers is increasingly putting pressure on 48-V power delivery and conversion systems. High-efficiency and high-power–density converters enable a reduction in power losses at the system level while allowing smaller form factors. In this context, LLC resonant topologies combined with GaN technology succeed to deliver outstanding performance, as it has been demonstrated with multiple examples. This article will show the key design parameters and components to achieve beyond 4 kW/in3 of power density in a 48-V to 12-V LLC converter using eGaN^® FETs.

Power Electronics News
December, 2022
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Gallium nitride devices are leading the innovation in power conversion. The benefits of GaN-based inverters are becoming increasingly evident in motor drive applications.

Power Electronics News
October, 2022
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Easy Engineering媒體採訪了宜普電源轉換公司（EPC）的市場行銷總監Renee Yawger，瞭解目前氮化鎵元件應用的情況和氮化鎵技術的未來。

Easy Engineering
2022年5月
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採訪影片- 宜普電源轉換公司的首席執行長 Alex Lidow與Electronic Design媒體討論了氮化鎵技術的未來發展、普及率及它在電源供電和其他技術中的應用。

Electronic Design
2022年3月
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In this article, the author introduces a GaN FET compatible analog controller that yields a low bill-of-material count and give designers the ability to design a synchronous buck converter in the same simple way as using silicon FETs, and offers superior performance for 48 V power systems.

Power Electronics News
April, 2021
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Gallium nitride (GaN) power devices have been in production for over 10 years and, beyond just performance and cost improvements, the most significant opportunity for GaN technology to impact the power conversion market comes from the intrinsic ability to integrate multiple devices on the same substrate. This capability will allow monolithic power systems to be designed on a single chip in a more straightforward, higher efficiency, and more cost-effective way.

Power Electronic News
March, 2021
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Gallium nitride (GaN) devices offer performance in a small form factor, increasing the efficiency, and reducing the system cost for 48 V power conversion applications. They have been adopted in high volumes in high density computing, as well as many new automotive power system designs.

Electronic Specifier
February, 2021
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宜普電源轉換公司（EPC）是增強型矽基氮化鎵（eGaN^®）功率場效應電晶體和積體電路的全球行業領先供應商，其首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow博士於2020全球電子成就獎（WEAA）評選中，榮獲年度傑出貢獻人物獎。

全球電子成就獎旨在評選並表彰對推動全球電子產業創新做出傑出貢獻的企業和管理者，以及在業界處於領先地位的產品。由ASPENCORE全球資深產業分析師組成的評審委員會以及各地區（亞洲、美國、歐洲）網站用戶群進行綜合評定共同評選出得獎者。

氮化鎵（GaN）技術已實現重大改進，而且它極具成本效益，可以替代MOSFET元件。 從2017年開始，採用氮化鎵元件的48 V DC/D轉換器開始成為市場上重要的應用。 各種拓撲諸如多相和多級降壓轉換器，實現具備更高效率的全新解決方案，可以滿足IT和汽車市場的能源需求。

Power Electronics News
2020年11月
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離散式功率電晶體，無論它是矽基還是矽基氮化鎵，都進入了最後發展階段。 矽基氮化鎵積體電路可以在較小的佔板面積內實現更高的性能，並且顯著降低成本和減少所需的元件工程。 本文詳細闡析氮化鎵元件的崛起和矽基氮化鎵積體電路如何重新定義功率轉換。

Bodo’s Power Systems
2020年10月
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氮化鎵功率電晶體是面向嚴苛航太任務的功率和射頻應用的理想元件。 通過全新基於eGaN^®元件的解決方案，EPC Space公司提供專門為商業衛星關鍵應用而設計的氮化鎵元件，可確保元件的耐輻射性能和對單粒子效應的免疫能力。 這些元件具有極高的電子遷移率、低溫度系數和非常低的導通阻抗。

EETimes
2020年7月
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eGaN FETs and ICs enable very high-density power converter design, owing to their compact size, ultra-fast switching, and low on-resistance. The limiting factor for output power in most high-density converters is junction temperature, which prompts the need for more effective thermal design. The chip-scale packaging of eGaN FETs and ICs offer six-sided cooling, with effective heat extraction from the bottom, top, and sides of the die. This article presents a high-performance thermal solution to extend the output current capability of eGaN-based converters.

EDN
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專為功率系統設計師而設的EPC2051功率電晶體是一種100 V、25 mΩ並採用超小型晶片級封裝的電晶體，可實現37 A脈衝輸出電流。EPC2051是多種應用的理想元件，包括48 V功率轉換器、雷射雷達及LED照明等應用。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出100 V的EPC2051氮化鎵場效應電晶體，其佔板面積只是1.1平方毫米、最大導通阻抗(R_DS(on))為25 mΩ及脈衝輸出電流高達37 A 以支援高效功率轉換。

Alex Lidow, CEO of Efficient Power Conversion, talks to Leo Laporte about Gallium Nitride, and how it is being used to create the next generation of microchips and wirelessly power the world.

This Week in Technology
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EPC2111氮化鎵半橋功率電晶體説明系統設計師實現具更高效率的負載點系統應用，在14 A、12 V轉至1.8 V、5 MHz開關時實現超過85%效率，及在10 MHz開關時實現超過80%效率。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出30 V的增強型單片式半橋氮化鎵電晶體（EPC2111）。透過整合兩個eGaN^®功率場效應電晶體形成單個元件，可以去除互連電感及節省印刷電路板上元件之間的空隙。這樣可以提高效率（尤其是在更高頻率時）及提高功率密度，而且同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2111是高頻12 V轉至負載點DC/DC轉換的理想元件。

Improving low-voltage DC/DC converter performance with GaN transistors:
The emergence of commercially available and cost-effective gallium nitride (GaN) power transistors begins a new age in power electronics. There are significant benefits in using enhancement-mode gallium nitride FET (eGaN FET) devices in power converters for existing data center and telecommunications architectures centering around an input voltage of 48 VDC with load voltages as low as 1 VDC. High-performance GaN power transistors can enable new approaches to power data center and telecommunications systems with higher efficiency and higher power density than possible with previous Si MOSFET based architectures.

Power Systems Design
David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
January, 25, 2016
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由於德國航空太空中心的機械人及機械電子研究院（Robotics and Mechatronics Institute ）對改善感測器及功率電子的興趣很大，我們利用開發全新機械人的機會來評估宜普電源轉換公司（EPC）的全新增強型氮化鎵場效應電晶體技術並與我們目前最優秀的逆變器設計進行比較。

雜誌 ：Bodo’s Power Systems
作者：德國航空太空中心 (DLR) Robin Gruber
日期：2014年3月

在開關頻率10 MHz或以上，電源轉換需要具備高速開關的電晶體並配備在高頻工作的封裝。相比日漸老齡化的功率MOSFET器件，由於氮化鎵場效應電晶體（eGaN® FET）提供無可匹敵的器件性能及封裝，因此可以在高頻時提高電源轉換效率。

Bodo’s Power Systems
客席編輯 Alex Lidow
2013年11月