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由 Bodo Power Systems 主辦的氮化鎵行業專家圓桌會議的嘉賓包括:
- EPC公司的首席執行長兼共同創始人Alex Lidow
- Power Integrations公司的市場行銷與應用工程副總裁Doug Bailey
- Nexperia 公司的氮化鎵功率技術行銷戰略總監Dilder Chowdhury
- Navitas Semiconductor公司的市場行銷戰略高級總監Tom Ribarich
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在下一代功率電晶體當中,氮化鎵(GaN)技術爲可替代矽MOSFET元件的其中一種技術。 當矽技術在性能上已經達到它的極限時,氮化鎵元件具更卓越的傳導性能及更快速開關性能。Alex Lidow在本播客將討論氮化鎵與矽功率元件的差异。
Power Electronic TIPS
2014年9月
領導增強型氮化鎵電晶體發展的宜普電源轉換公司的首席執行長Alex Lidow首次在EEWeb.com撰寫全新專欄,每月與設計工程師討論矽基氮化鎵功率器件可以 替代舊有功率MOSFET器件。
EEWeb.com
作者:Alex Lidow
日期:2013年6月
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我们对功率半导体最基本的要求是性能、可靠性、管控性及成本效益。它的高频率性能,可切合稳压器系统于体积及瞬态响应方面的需要而具更高价值,并为D类功率放大器提供高保真度。一个新器件结构如果不高效、不可靠的话,根本不可能商品化。市场上有很多新结构及原料可选择,但是接受度有限。不过,现在有氮化镓(Gallium Nitride/GaN)增强型功率管控器件问世,具有高导电性、极快开关、硅器件之成本结构及基本操作模式等优异性能,其代表就是宜普公司的新产品。
Stephen Colino, Robert Beach
今日电子
2010年9月
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Due to its advantages GaN will probably become the dominant technology. GaN has a much higher critical electric field than silicon which enables this new class of devices to withstand much greater voltage from drain to source with much less penalty in on-resistance.
By Alex Lidow, PhD
Bodo’s Power Systems
June, 2010
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Recent breakthroughs by EPC in processing gallium nitride (GaN) have produced enhancement-mode devices with high conductivity and hyper-fast switching, with a silicon-like cost structure and fundamental operating mechanism.
By Robert Beach, Steve Colino
Electronic Design
April 29, 2010
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