EPC2373：15 V，0.47 mΩ GaN 功率晶體管

VDS, 15 V
典型值 RDS(on), 0.47 mΩ
ID, 88 A
脉衝 ID, 447 A

EPC2373 Enhancement Mode GaN Power Transistor
封裝尺寸：3.3 mm x 2.6 mm

應用

  • 高速DC/DC轉換器
  • 同步整流器
  • 伺服器
  • 人工智慧
  • 馬達驅動器

優勢

  • 超低QG
  • 極低導通電阻 (RDS(on))
  • 邏輯電平
  • 輕量
  • 帶背面散熱墊的 PQFN 封裝
產品狀況:工程產品
在購買元件時，產品型號尾碼ENG*代表該元件仍然處於"工程狀態"，不適宜進行可靠性應力測試或其他的認證測試。在進行該些測試之前，請聯繫您的所屬區域的EPC公司FAE及查詢該元件的最新狀態。
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