EPC2378：25 V、101 A、0.37 mΩ GaN 功率電晶體

VDS, 25 V
典型 RDS(on), 0.37 mΩ
ID, 101 A
脈衝 ID, 699 A

EPC2373 增強型 GaN 功率電晶體
封裝尺寸：3.3 mm x 3.3 mm

應用

  • 高效能、高功率密度 DC-DC 轉換
  • 高頻 DC-DC 轉換器
  • 同步整流器
  • 負載點（POL）降壓轉換器
  • 48 V 至 8 V/5 V LLC 轉換器中的次級側功率級

優勢

  • 超低 QG，適用於高頻運作
  • 業界領先的低 RDS(on) × QG 優值係數
  • 具背面散熱焊盤的 PQFN 封裝
  • 針對同步整流進行最佳化
狀態：首選
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