功率轉換領域:矽器件已經走到盡頭 Posted 2014年5月12日 應用於功率轉換領域的矽器件的性能已接近其理論極限。氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)將取代大部分市值120億美元的矽功率MOSFET市場。目前已經有產品投產,其性能比矽器件的理論性能極限好5至10倍。 雜誌:Bodo’s Power Systems 作者:Alex Lidow 2014年5月 相關的熱門文章 GaN in Space: Unlocking Efficiency and Performance in Satellite Systems 氮化鎵技術在功率轉換領域普及進程的里程碑 GaN產業版塊動盪宜普如何越級挑戰? 宜普拚GaN成本優勢目標超車Si MOSFET Product roundup: GaN power semiconductors gain traction