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宜普電源轉換公司的7 mΩ、200 V及5 mΩ、150 V氮化鎵功率電晶體可以進一步擴大與其他元件相比的績效差距

宜普電源轉換公司的7 mΩ、200 V及5 mΩ、150 V氮化鎵功率電晶體可以進一步擴大與其他元件相比的績效差距

eGaN®功率電晶體在功率轉換領域繼續實現更高的性能。該電晶體系列具備更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及優越的散熱性能,從而實現具備更高的功率密度的轉換器。

宜普電源轉換公司宣佈推出兩個可以提高電源轉換效率的eGaN FET。這些產品的工作溫度最高達150°C。150 V的EPC2033的脉衝電流爲260 A及200 V的EPC2034的脉衝電流爲140 A。應用範圍包括DC/DC轉換器、DC/DC與AC/DC轉換器的同步整流應用、馬達驅動器、LED照明及工業自動化等應用。

這些產品採用具有1 mm間距的焊球,進一步擴大EPC的“寬間距”元件系列。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔,使得元件以超小型尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)實現大電流承載能力。

元件型號 VDS RDS(on)
(典型值)
QG
(典型值)
ID
(脉衝)
尺寸 單價
(以1000片計算)
EPC2033 150 V 5.0 mOhm 10 nC 260 A 2.6 mm x 4.6 mm $4.25
EPC2034 200 V 7.0 mOhm 8.5 nC 140 A 2.6 mm x 4.6 mm $4.37

開發板

爲了簡化對這些高效的氮化鎵場效應電晶體進行評估,EPC推出EPC9047 開發板,使得工程師可以容易對EPC2033“在電路中”的性能進行評估。該開關板包含了所有重要元件以易於與任何轉換器連接。

EPC9047 開發板採用半橋拓撲,尺寸爲2英寸乘1.5英寸。該板含兩個EPC2033 eGaN FET、採用德州儀器的UCC27611閘極驅