雜談GaN技術

氮化鎵(GaN)元件是一種非常堅硬和在機械方面非常穩定的寬帶隙半導體材料，用于生產功率元件、射頻元件和發光二極體 (LED)。其開關頻率遠高於矽元件，使電力電子設計人員能够利用氮化鎵元件創建更小、更高效、性能更高的系統，這是以前採用矽技術難以實現。

脈衝激光雷達系統通常使用 905 nm 或 1550 nm 激光進行光學發射。  在 1400 nm 以上時，眼睛的各種元素會吸收光線，阻止其到達並損害視網膜。  隨著激光功率的增加，並不是所有的光都被吸收，在某些情況下可能會發生視網膜損傷。  由於 905 nm 的光線不被吸收，它確實會到達視網膜，因此必須小心控制能量密度以防止損壞。

共同撰寫：Steve Colino

包裝的SEE免疫和抗輻射增強型氮化鎵（eGaN）器件相比老化的抗輻射硅MOSFET提供了顯著提升的性能，使得新一代電源轉換器在太空中能夠在更高頻率、更高效率和更高功率密度下運行，達到前所未有的水平。

矽已經存在夠久了。是時候讓一個更年輕且更具競爭力的挑戰者來接管半導體材料的主導地位了。

計算和電信市場的快速擴展對中間總線轉換器提出了越來越緊湊、高效和高功率密度的解決方案需求。LLC諧振轉換器是一個提供高功率密度和高效率解決方案的優秀候選者。eGaN® FET 以其超低導通電阻和寄生電容，顯著減少了LLC諧振轉換器的損耗，而這在使用矽MOSFET時是具有挑戰性的。展示了一個採用eGaN FET如EPC2053 和EPC2024 的48 V到12 V、900 W、1 MHz LLC DC到DC變壓器（DCX）轉換器，其峰值效率達到98.4%，功率密度超過1500 W/in3。

在CES這個全球創新聚集地，曾經宣布了改變世界的創新，如1970年的第一台錄影機（VCR），以及全球第一台可無線充電的筆記型電腦。

這篇文章由 Planet Analog 主編 Steve Taranovich 撰寫，原文於 2018 年 8 月 10 日發表在 Planet Analog 網站。了解更多有關 eGaN 技術 和 EPC GaN 解決方案在 LiDAR 的應用。

本文最初於2018年5月16日星期三發表在Compound Semiconductor網站上。了解更多有關eGaN技術和EPC GaN汽車應用解決方案的內容，請參閱汽車應用。

本文章最初於2018年5月發表在Bodo's Power Systems網站。了解更多關於eGaN技術以及EPC GaN在汽車領域的解決方案。