雜談GaN技術

在接受 MakerPROTW 特約編輯 Judith Cheng 的專訪時，Efficient Power Conversion（EPC）共同創辦人暨執行長 Alex Lidow 介紹了公司目前已投入量產的第七代氮化鎵（GaN）技術，以及該技術對傳統上由矽 MOSFET 主導的低電壓應用所帶來的影響。隨著 40 V 的 EPC2366 等元件已進入大量生產，EPC 正將 GaN 定位為 40 V 及以下電壓範圍內的主流選項——此市場規模甚至超過 GaN 最初取得突破的 100 V 區段。

計算和電信市場的快速擴展對中間總線轉換器提出了越來越緊湊、高效和高功率密度的解決方案需求。LLC諧振轉換器是一個提供高功率密度和高效率解決方案的優秀候選者。eGaN® FET 以其超低導通電阻和寄生電容，顯著減少了LLC諧振轉換器的損耗，而這在使用矽MOSFET時是具有挑戰性的。展示了一個採用eGaN FET如EPC2053 和EPC2024 的48 V到12 V、900 W、1 MHz LLC DC到DC變壓器（DCX）轉換器，其峰值效率達到98.4%，功率密度超過1500 W/in3。

eGaN® FETs 和 ICs 由於其緊湊的尺寸、超快的切換速度和低導通電阻，使得非常高密度的電源轉換器設計成為可能。大多數高密度轉換器的輸出功率限制因素是結點溫度，這促使了對更有效的熱設計的需求。eGaN的芯片級封裝還提供了六面散熱，有效地從晶片的底部、頂部和側面提取熱量。本應用筆記介紹了一種高效的散熱解決方案，以擴展基於eGaN的轉換器的輸出電流能力。

增強型 GaN 功率器件（eGaN® FETs 和 ICs）為用戶提供了區分其最終產品的途徑。這項新技術在支持我們的設備和電子設備的隨處可見的電源供應和輸送電路中顯著提高了效率。

本文最初於2018年5月16日星期三發表在Compound Semiconductor網站上。了解更多有關eGaN技術和EPC GaN汽車應用解決方案的內容，請參閱汽車應用。

本文章最初於2018年5月發表在Bodo's Power Systems網站。了解更多關於eGaN技術以及EPC GaN在汽車領域的解決方案。

This post was written by EDN senior technical editor, Steve Taranovich for the Power-management Design Center , How To Article section on APEC 2017. Originally published on April 03, 2017.”

Every year in January 2017, the world’s consumer electronics community gathers in Las Vegas at the Consumer Electronics Show (CES) to see, learn and discuss the latest innovations and products available in the world of electronics.

More than 3,800 exhibitors spread out across 2.47 million net square feet of exhibit space, is the location where over 170,000 industry professionals, 50,000 outside of the U.S. wander, ogle, and “play with” the latest electronic devices.

GaN technology is disruptive, in the best sense of the word, making possible what was once thought to be impossible – eGaN® technology is 10 times faster, significantly smaller, and with higher performance at costs comparable to silicon-based MOSFETs. The inevitability of GaN displacing the aging power MOSFET is becoming clearer with domination of most existing applications and enabling new ones.