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在您的設計過程中，EPC為您提供越来越多的設計工具、模型和性能模擬。這些工具讓您能够針對您的應用，一開始就選擇正確的氮化鎵元件，以最大限度地提高性能和加快您的產品上市進程。
交互參照搜尋允许設計人員從詳盡的元件數據庫中搜尋當前的Si MOSFET，以及將其與基於特定簡化操作條件而進行優化的 EPC GaN FET 產品進行比較。比較結果包括功耗、庫存、交貨時間和價格。
用於降壓轉換器的 GaN FET 選型工具可以比較硬開關降壓轉換器中的EPC FET 及其功耗。該基本電路塊可用於大多數硬開關應用，包括馬達控制器。
當您確定了適合您的應用的元件，您就可以使用GaN FET熱計算器以評估元件在您的熱環境中的工作情况。當確定了功耗，GaN FET熱計算器就可以優化熱解決方案。
EPC的GaN FET和IC採用晶片級封装(CSP)和功率四方扁平無引脚(PQFN)封装。CSP和PQFN 之間的選擇取決於應用的具體要求。CSP非常適合尺寸受限的高功率密度應用。PQFN封裝在高性能和易於製造之間取得平衡。
在選擇正確的元件时，產品可靠性是一个關鍵的考慮因素。eGaN®元件自2010 年3月起開始批量生產，並在實驗室測試和大批量客戶應用中表現出極高的可靠性和擁有卓越的現場可靠性記錄。
EPC採用“測試元件至失效”的方法進行廣泛的產品可靠性測試和定期發佈這些測試和研究結果。如需最新的產品可靠性測試報告，请訪問EPC網站和參看關於產品可靠性的資源。
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