在某些情況下,設計人員可能希望使用通用閘極驅動器或控制器。這通常是可能的(例如EPC9141–48 V/12 V、10 A降壓轉換器),但有幾點需要注意及研究,包括:
- 高側自舉電壓“鉗位”- 用於低側 FET 反向電流傳導(反向傳導電壓高達 2.5V,可以將自舉電容器充電至超過7V),用於自舉電源驅動的半橋驅動器。
- 應檢查欠壓鎖定 (UVLO),建議禁用範圍為3.6 V,啓用範圍為4.0 V。
- 由於GaN元件的開關非常快,因此閘極驅動器應該能够承受如此高的dv/dt – 建議大於100 V/ns。
- - 最小死區時間應足够短促,以最大限度地減少死區時間的功耗,最好在20-40ns 範圍內。 請參看優化死區時間以實現最大效率
- - 可能需要與下方FET並聯的小型、低成本肖特基二極體。有關實列,請参看EPC9141–48 V/12 V、10 A 降壓轉換器。
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