GaN FETとICは、その高周波動作によって、より高速なレーザー・パルス変調を可能にするため、Lidar(光による検出と距離の測定)用途における主要な技術です。最小限の損失で大電流を処理する能力は、Lidarシステムの精度を向上させ、範囲を拡大するために重要です。GaN の高効率と高電力密度の利点によって、Lidar システムがより小型・軽量になり、自動車、セキュリティ、ロボット、ドローン、航空宇宙の各用途向けのより優れたソリューションが実現できます。
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ハーフブリッジ開発基板は、ほとんどのeGaN FETとICの素早い評価に利用できます。
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