EPC9003C：開発基板

開発基板EPC9003Cは、エンハンスメント•モード（eGaN^®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2010Cを搭載し、ゲート駆動機能を備えたハーフブリッジ構成で、最大デバイス電圧は200 V、最大出力電流は5Aです。

この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板上に、すべての重要な部品を搭載することで、eGaN FETであるEPC2010Cの評価プロセスを単純化することです。