VDS（最大値）、 100 V
Id（最大実効値）、 35 A
複数のハーフブリッジを並列接続
開発基板EPC9013は、100 Vのエンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）であるEPC2001Cを搭載し、4つの並列接続したハーフブリッジと1つのゲート駆動回路を搭載し、最大出力電流35Aまで動作します。この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる単一基板上に、すべての重要な部品を搭載することによって、eGaN FETであるEPC2001Cの評価プロセスを単純化することです。
ステータス:廃止
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC90135を提案しています。