EPC9016：開発基板

開発基板EPC9016は、ゲート駆動回路を搭載し、耐圧40V、最大出力電流25Aで動作するエンハンスメント・モード（eGaN^®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2015をハーフブリッジ構成にして搭載しています。この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータの中に容易に接続することができる単一基板の上に、すべての重要な部品を搭載することによって、eGaN FETであるEPC2015の評価プロセスを単純化することです。