EPC9018：開発基板

EPC9018：デューティ比が小さい用途向けの30 V
のハーフブリッジ開発基板

V_DS(max), 30 V
I_D(max RMS), 35 A
搭載した製品: EPC2015, EPC2023

EPC9018は、POL（負荷点）コンバータなど、大電流、高降圧比のアプリケーション向けのハーフブリッジ構成の開発基板です。デバイスの最大電圧30 V、最大出力電流35 AのEPC9018は、単一のハイサイド（制御用）FETとして40 Vの EPC2015、ローサイド（同期整流用）FET として30 Vの EPC2023、およびゲート駆動回路を搭載したハーフブリッジ構成です。

この開発基板は、面積2インチ×1.5インチで、最適なスイッチング特性のためのすべての重要な部品を搭載し、最適にレイアウトしてあります。この最適なレイアウト技術は、電圧オーバーシュートやEMI（電磁干渉）雑音の低減と同時に、効率の向上に貢献します。