EPC2051：100 V、37 Aのエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタ

VDS, 100 V
RDS(on), 25 mΩ
ID, 1.7 A
パルス ID, 37 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2051 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：1.3 mm x 0.85 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • 絶縁型DC-DCコンバータ
  • BLDCモーター駆動
  • AC-DCおよびDC-DCの同期整流
  • LiDAR /パルス電源アプリケーション
  • D級オーディオ
  • LED照明
  • ToF module using Vcsel laser for camera modules, laptops and smart phones

特徴

  • スイッチング周波数の高速化： スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化： 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化： 電力密度の向上
ステータス:推奨
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