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GaNのエキスパートに聞く
EPC2214:車載用の80 V、47 Aのエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタ
V
DS
, 80 V
R
DS(on)
, 20 mΩ
I
D
, 10 A
パルス I
D
, 47 A
AEC-Q101準拠
チップ・サイズ: 1.35 mm x 1.35 mm
アプリケーション
Lidar/パルス電力のアプリケーション
DC-DCコンバータ
絶縁型DC-DCコンバータ
BLDCモーター駆動
AC-DCおよびDC-DCの同期整流
ワイヤレス・パワー伝送
特徴
スイッチング周波数の高速化:
スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
高効率化:
導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
実装面積の小型化:
電力密度の向上
ステータス:
アクティブ
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eGaN FETのアセンブリ
eGaNのFETまたはICをマニュアルで組み立てる方法
最適レイアウトによるeGaN FETベースのパワー段の設計方法
eGaN FETの利用
デバイス・モデル
PSPICE (.net)
Spectreモデル (.scs)
熱モデル
製品変更告知PCN(製品変更告知PCN(Product Change Notice))
PCN210201:代替製造拠点:台湾Ardentecでテープ・アンド・リールの後工程アセンブリ
PCN210301:製造工場の代替:台湾Chipbond TechnologyでWLCSPのテープ・アンド・リールのアセンブリ