窒化ガリウムの設計例 | GaN First Time Right

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素早いプロトタイピングと評価 — これらの使いやすく、資料が充実した評価基板は、EPCのGaN FETとICを使う設計の非常に良い出発点となります

すべての基板で、回路図、部品表BOM（Bills of Material）、ガーバー・ファイルなどが用意されており、すぐに参照して使えます。

特定用途向け評価基板

特定用途向け評価基板は、設計者が完全に機能する閉ループ設計の性能を評価できる完全な回路ソリューションです。

DC-DCコンバータ

型番	概要	電力 (W)	回路構成	GaN製品	コントローラ	ゲート・ドライバ	V_IN (V)	V_OUT (V)	l_OUT (A)
LLC、フルブリッジ・コンバータ
EPC9159	1 kW、48 V/12 Vの双方向LLCコンバータ	1 kW	LLC、1次側フルブリッジ、2次側センター・タップ、非絶縁	EPC2619, EPC2067	マイクロチップのdsPIC33CK256MP503 （デジタル・コントローラ）	uP1966E & LMG1020	12 - 52 V	12 V	83 A
EPC9174	小型（1/8ブリック）、LLC、固定比率1対4、双方向、サーバー用	1.2 kW	LLC、1次側フルブリッジ、２次側センター・タップ、非絶縁	EPC2071, EPC2066	マイクロチップのdsPIC33CK32MP102 （デジタル・コントローラ）	uP1966E & LMG1020	48 - 60 V	10 - 15 V	100 A
降圧コンバータ
EPC9158	小型、同期整流型降圧、アナログ・コントローラ	600 W	降圧、2相	EPC2218	アナログ・デバイセズ／リニアテクノロジーの EVAL-LTC7891-AZ （アナログ・コントローラ）	（コントローラに内蔵）	14 - 54 V	12 V	50 A
EPC9157	小型（1/16ブリック）、同期整流型降圧、アナログ・コントローラ、マザーボード付き	300 W	降圧、2相	EPC2218	ルネサスエレクトロニクスのISL81806 （アナログ・コントローラ）	（コントローラに内蔵）	18 - 60 V	12 V	25 A
EPC91109	高電力密度、2相バック	280 W	降圧、2相	EPC2057	アナログ・デバイセズ／リニアテクノロジーの EVAL-LTC7890-AZ （アナログ・コントローラ）	（コントローラに内蔵）	20 – 36 V	12 – 20 V	14 A
EPC9160	デュアル出力、アナログ・コントローラ、同期整流、降圧	125 W	降圧、デュアル出力	EPC2055	アナログ・デバイセズ／リニアテクノロジーの EVAL-LTC7891-AZ （アナログ・コントローラ）	（アナログ・コントローラ）	9 - 24 V	デュアル出力： 5 V / 3.3 V	15 A
昇圧コンバータ
EPC9166	昇圧、アナログ・コントローラ	500 W	昇圧、2相	EPC2218	ルネサスのISL81807 （アナログ・コントローラ）	（アナログ・コントローラ）	9 - 28 V	設定可能： 36 V, 48 V, 60 V	16 A @ 36 V 11 A @ 48 V 8 A @ 60 V
降圧または昇圧コンバータ
EPC9165	同期整流、降圧または昇圧、デジタル・コントローラ、QFN封止のGaN FET	2 kW	降圧または昇圧、2相:	EPC2302	マイクロチップのdsPIC33CK256MP503 （デジタル・コントローラ）	MPQ1918	降圧：20 – 60 V 昇圧：11.3 – 16 V	降圧：5 - 16 V 昇圧：20-50 V	140 A（降圧）
EPC91106	高出力密度、低プロファイル、同期型バックおよびブーストコンバータ	150	バックまたはブースト、1相	EPC23104	dsPIC33CK64MP102 (デジタルコントローラ)	(EPC23104内)	12 - 64 V	4 - 40 V	13 A

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モーター駆動

型番	構成	I_Phase (A_RMS)	V_IN	f_SW (kHz)	搭載した製品	コントローラ基板に搭載	ゲート・ドライバ
EPC9193	3相BLDCモーター駆動	20	14 - 65	50 - 250	EPC2619	ST STM32 Nucleo	STDRIVEG600
EPC9176	3相BLDCモーター駆動	20	14 - 65	20 - 250	EPC23102	Microchip dsPIC	（内蔵）
EPC9193HC	3相BLDCモーター駆動、2×並列FET	40	14 - 65	50 - 250	EPC2619	ST STM32 Nucleo	STDRIVEG600
EPC9173	3相BLDCモーター駆動	35	20 - 85	20 - 250	EPC23101	Microchip dsPIC	（内蔵）
EPC9194	3相BLDCモーター駆動	40	14 - 65	20 - 250	EPC2302	ST STM32 Nucleo	STDRIVEG600
EPC9186	3相BLDCモーター駆動、4×並列FET	150	14 - 60	20 - 120	EPC2302	ST STM32 Nucleo	STDRIVEG600

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Lidar

型番	ディフォルト	構成	V_BUS （最大値）	V_INPUT （最大値）	T_PIN （最小値）	Max Pulse (A)	GaN Product
EPC9144	IToF	大電流パルス・レーザー・ダイオードのドライバ・デモ・ボード	12	5	1 ns	28	EPC2216
EPC9154	IToF	大電流パルス・レーザー・ダイオードのドライバ・デモ・ボード	30	5	2 ns	10	EPC21601
EPC9150	共振パルス DToF	大電流パルス・レーザー・ダイオードのドライバ・デモ・ボード	160	5	1 ns	220	EPC2034C

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ハーフブリッジ評価基板

ハーフブリッジ評価基板には、最適なスイッチング特性を実現するためのすべての重要な部品とレイアウトが含まれています。これらの基板は、ほとんどの既存のコンバータに簡単に接続でき、実用的なプロトタイプを簡単に構築できます。

利用可能なハーフブリッジ評価基板の完全なリストについては、ここをクリックしてください。

追加資料

技術パートナの評価基板 ―― 当社の技術パートナがeGaN FETとICを最先端の設計にどのように組み込んでいるかをご覧ください。

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