GaNの話シリコンを粉砕するために捧げたブログ
APEC 2018:パワー・エレクトロニクスの世界におけるGaN革命

APEC 2018:パワー・エレクトロニクスの世界におけるGaN革命

2 28, 2018

EPC Desktop Wireless Power CES 2018

世界で最小、最高効率、最低コストのDC-DCコンバータをご覧ください!eGaN技術がこれを可能にし、今年のAPECAmerican Power Engineering Conference)で展示する予定です。APECでは、世界中のパワーのエンジニアが集まり、パワー・エレクトロニクスの世界で利用可能な最新の革新や製品について見たり、学んだりできます。

EPCのGaNのエキスパートたちは、GaN技術の最新について、および、最先端パワー・エレクトロニクスへの応用について、半日の教育セミナーを開催します。さらに、EPCは6件の技術セッションを実施し、当社のブースや顧客用スイートでeGaNのアプリケーションをデモします。

具体的には、EPCのエキスパートたちによるeGaN FETと集積回路の技術プレゼンテーションは、以下です。

  • 教育セミナー:GaN FETとICの性能の最大化、MOSFETの単なる置き換えではない
  • 出展者セミナー:効率的電力変換向けGaNトランジスタ
  • eGaN®FETによる電圧の上昇
  • 大面積の高共鳴ワイヤレス・パワー・システム向けアンプ設計の課題
  • 高速GaNトランジスタの測定技術の評価
  • GaNトランジスタに基づく同期整流のための設計上の考察
  • 48 Vのサーバー用途向けの高電力密度の非絶縁型中間バス・コンバータ・システムの最適化

当社のブースでは、ユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN FETとICをデモします。 たとえば、先進的なコンピューティング、AI(人工知能)、およびゲームで使われる安定化された48 V入力、12 V出力の非絶縁型電力変換でベンチマークとなるDC-DC変換効率、サイズ、およびコストを実現する製品を発表します。

当社顧客の2つのLiDAR(光による検出と距離の測定)システムが展示され、当社自身のLiDARのデモでは、eGaN FETとICが超狭くて非常に大きな電流のレーザー・パルスを可能にし、より高速な画像、より高解像度、より長距離の視野を実現することによって、自動運転車の展開をスピードアップしています。

当社のブースでは、携帯電話、ノート・パソコン、モニター、ワイヤレス・スピーカ、スマート・ウォッチ、卓上灯など、さまざまな機器に無線で電力を供給するために、300 Wを供給できる共振型無線充電ソリューションを実装した机も展示します。

新しいeGaN IC製品2品種を紹介する予定です。1品種は、面積3.2 mm2で200 VのFETと集積化したゲート・ドライバの組み合わせです。2つ目の新製品は、同じく面積が小さい150 VのデュアルFETと集積化したゲート・ドライバの組み合わせです。いずれも最高7 MHzで動作し、低電力のCMOS論理で駆動できるので、ワイヤレス・パワー、D級オーディオ、高周波DC-DC変換などのアプリケーションに最適です。GaNに複数の機能を集積化してモノリシックにすることで、性能が向上し、コストが削減され、設計を単純化できます。

この高性能、低コストの半導体技術についてもっと知りたいですか? APECで当社に来てパワー・エレクトロニクスの世界におけるGaN革命について語り合いましょう。

プライベート・ミーティングのリクエスト

Total: 0 Comment(s)