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Efficient Power Conversion(EPC)のCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)、同社アプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタのAlejandro Pozo、同社GaNアプリケーション・フェローのMichael De Rooijの寄稿
人工知能(AI)は、かつてない速さで私たちの仕事や生活に浸透しつつあります。ソフトウエア開発の効率化、複雑な分析課題への取り組み、日常の文書作成の自動化によって、AIは、もはや単なるツールではなく、私たちが創造し、課題を解決する方法を根本から変えています。
これら次世代AIサーバーのコストは、その大部分が電力需要の指数関数的な増大に起因しています。この電力消費の主因となっているのが、シリコン基板上に数10億個もの微細なトランジスタを集積して構成され、その寸法がわずか20オングストローム(DNAの二重らせん構造の幅に相当)のGPU(Graphic Processing Unit)です。これら数10億個もの演算素子を動作させるために必要な電力は、演算能力の向上に伴って急速に増大しています。表1には、米NVIDIA(エヌビディア)が公表している2028年までのロードマップに基づいた例を示しています。
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EPCが韓国Semiconductor Network Korea誌の表紙を飾り、人型ロボットや自律型ドローンのモーター駆動向けとなるGaNの最新の革新が取り上げられています。
ロボットやUAV(無人航空機)の用途が進化し続け、設計者は、より高い効率、電力密度の向上、システムの小型・軽量化を実現するためのソリューションを求めています。EPCのエンハンスメント・モードGaN FETは、従来のシリコン・ソリューションと比べて、高速スイッチング、低電力損失、優れた動的特性を可能にすることで、こうした課題を解決します。
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技術のパイオニア、地政学的な重要資産、そして戦略的拡大の有力候補 ―― PCIM Europe 2026におけるEPCのCEO(最高経営責任者)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)への1次調査を経て、評価を新たにしました。
Efficient Power Conversion Corporation(EPC)は、エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)技術を、単なる技術的構想から商用パワー・デバイスのプラットフォームへと進化させた企業の一つです。シリコン・パワーMOSFETの共同発明者であり、米インターナショナル・レクティファイアーの元CEOでもあるAlex Lidowによって2007年に設立されたEPCは、2009年に初の商用eGaNトランジスタを出荷して以来、GaNパワー・デバイス、集積回路、車載品質部品、さらには宇宙・防衛向けの耐放射線製品に至るまで、特化した製品ポートフォリオを構築してきました。
このSGI™リサーチ・レポート(バージョン3.0)には、ドイツのニュルンベルクで開催されたPCIM Europe 2026におけるスイスの調査会社GeoTechNexusの新たな独自調査結果が盛り込まれています。このイベントにおいて、CEOのAlex Lidowは、自身と共同投資家がEPCに2億5000万ドル以上を投資したことを明らかにし、同社が競合他社に対して、GaN技術の約2世代分の優位性を維持しているとの認識を示しました。
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本号の次の記事では、オーディオ測定に精通した愛好家であるStuart Yaniger氏が、Efficient Power Conversion(EPC)の最新eGaN FETのEPC2307を使ったリファレンス・デザインEPC9192を調べて概説します。この記事のタイトルで示しているように、高性能なD級オーディオ・アンプの設計開発者を支援するGaN技術の新たな選択肢となります。EPCが発表したこのリファレンス・デザインEPC9192は、モジュール式設計に、より大出力と高効率を実現しています。米audioXpress誌による今回の概説では、接地基準の耐圧200 VのeGaN FETであるEPC2307の性能が検証されました。この設計は、デュアル電源のシングルエンド(SE)構成を採用し、4Ω負荷時にチャネル当たり700 Wを供給できます。この記事では、EPCのGaNパワー・デバイスが、本来のエンハンスメント・モードの横型GaNオン・シリコンのHEMT(高電子移動度トランジスタ)を採用することで、なぜ他社製品と差異化できているかについても解説しています。カスコード接続の構成が不要となり、低電圧域におけるオン抵抗の増大というデメリットを回避できます。こうした特徴によって、EPCのデバイスは特に、15 Vから200 Vの電圧範囲において高い競争力を発揮します。
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超低オン抵抗と高速スイッチングを組み合わせた小型な電源設計が可能に
エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月8日、耐圧25 VのeGaNパワー・トランジスタの新製品「EPC2378」が量産体制に入ったと発表しました。これによって、高密度パワー・システム設計者は、要求の厳しいDC-DC変換用途において、より高い効率、より高速なスイッチング、より高い電力密度を実現できます。EPC2378は、48 V入力、8 Vまたは5 V出力の LLCコンバータの2次側における同期整流器用途に最適化しています。オン抵抗RDS(on)が最高クラスの410 μΩ(標準値)で、業界トップ・クラスの低い性能指数(RDS(on)×ゲート電荷QG)によって、より高い周波数とより高い効率での動作が可能になります。これらの能力は、AI(人工知能)インフラ、データセンター、通信システム、産業システム、高度なコンピューティング・プラットフォームなどの急成長市場において特に有益です。
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GaNベースの設計によって、次世代AI(人工知能)電源向けに97%の全負荷効率を実現
エルセグンド(米カリフォルニア州)– 2026年6月1日 – EPC(Efficient Power Conversion Corporation)は、次世代 AI(人工知能) データセンターの電源アーキテクチャをサポートするために設計した直流800 V入力、直流12.5 V出力の 6 kW 絶縁型コンバータである評価基板「EPC91123」に関する詳細情報を追加したと発表しました。米NVIDIA(エヌビディア)のリファレンス・アーキテクチャ MGX™ AI ファクトリーのエコシステムへの貢献企業として、当社は、次世代 AI インフラ向けに、より高い電力密度、より高い効率、拡張可能なラック・レベルの電力供給が得られる新たに登場した直流800 Vのサーバー・アーキテクチャをサポートできるように設計した高度な GaN ベースの電力変換ソリューションを提供します。
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AIファクトリーを強化へ:EPCのGaNソリューションがNVIDIA MGXアーキテクチャをいかに強化するか
デジタル世界は新たなAI産業革命に入っており、データセンターは大規模なインテリジェンスを生成するAIファクトリーへと変化しています。AIは、もはやソフトウエアだけの話ではなく、急速にインフラの話になってきています。現代の作業負荷は、人間とAIの単純なやり取りから、AI同士の協調へと移行しており、エージェント・モデルが作業量を調整し、自律的に推論し、非常に長いトークン・シーケンス(最小単位の羅列)にわたって作業します。これによって、インフラに新たな圧力がかかります:システムはより多くの生のコンピューティング能力を必要とするだけでなく、待ち時間、熱管理、エネルギー効率に関する厳しい要件も満たす必要があります。AIファクトリーが実際にどのように構築されているかを理解するために、米NVIDIA(エヌビディア)のMGX™は、拡張性と柔軟性に優れた高速コンピューティング・インフラのためのモジュール式基盤を提供します。MGXは、インフラのモジュール性と迅速な展開に対応していますが、より深刻なボトルネックが別の場所で発生しています:それは電力供給です。AIシステムが、より複雑で高密度になるにつれて、性能と効率を維持するためには、電力変換の効率が重要になります。重要な基盤技術の1つは、Efficient Power Conversion(EPC)の窒化ガリウム(eGaN®)・ソリューションであり、次世代AIインフラに必要な効率性、電力密度、熱特性を提供します。
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Maurizio Di Paolo Emilio著
衛星ペイロード(有効積載量)のアーキテクチャは、固定機能の処理チェーンから、軌道上で動的なワークロード(仕事量)を直接支援できる柔軟なコンピューティング・インフラストラクチャへと移行しつつあります。この変化は、宇宙システム工学におけるより広範な変革を反映しており、宇宙船は地上ベースの処理資源にのみ依存することなく、信号処理、センサー融合、異常検知、人工知能推論を実行することがますます求められるようになっています。
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マウザー・エレクトロニクス、高効率パワー設計向けのEPCの最新GaNデバイスを販売へ
15 Vから350 VまでのGaNデバイスを提供するエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN®)に基づくパワー・マネージメント(電源管理)・ソリューションの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月18日、最新の半導体や電子部品を取り扱う正規の世界的な販売代理店である米マウザー・エレクトロニクスとの世界的な販売代理店契約をしたと発表しました。この新たな提携によって、マウザー・エレクトロニクスは、EPCのeGaN® FETとICの全製品のポートフォリオを販売することになります。
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EPCと米テキサス・インスツルメンツのエキスパートたちが、関節レベルでの人型ロボットのモーター駆動設計において、窒化ガリウム(GaN)が主流になる理由を説明しています。
人型ロボットは、手足や胴体を駆動するために約40~80個のモーターを必要とし、さらに器用な操作を再現するために、各手には10個以上のモーターを追加しています。独立したアクチュエータが高密度に配置されているため、パワー・エレクトロニクスの統合が複雑になるという課題が生じ、それを人間の寸法に合わせた制約の中で組み込まなければなりません。
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小型のモーター駆動やコンバータは、人型ロボット、ドローン、バッテリー駆動工具に貢献します。800 V入力から、負荷点POL(point-of-load)出力までの高電力密度DC-DCコンバータには、EPCの最新世代GaNデバイスが使えます。
カリフォルニア州エルセグンド – 2026年5月13日 — エンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)に基づくパワー・ソリューションの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月13日、2026年6月9日から11日にドイツのニュルンベルクで開催されるパワー・エレクトロニクスの世界的な展示会PCIM Europe 2026に出展し(ホール9、スタンド304)、人型ロボット、ドローン、小型電動モーター・システム向けの最新世代のGaN技術を展示すると発表しました。この展示会でデモを実施し、当社の第7世代GaNプラットフォームが、次世代インテリジェント・モーター・システムやAI(人工知能)の電力供給向けの小型で量産対応のパワー・アーキテクチャをどのように実現するかを示します。これらのデバイスは、より高いスイッチング周波数、より低い損失、より密なレイアウトを可能にし、ロボットのモーター制御における効率と統合性を向上させます。
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Efficient Power Conversion(EPC)は、より小型、高速で、かつ高効率なシステムを実現できるeGaN技術を使って、パワー・エレクトロニクスの新たなフロンティアを開拓しています。ロボットやドローンから、AI(人工知能)や宇宙開発まで、EPCは、技術者の設計を簡素化し、次世代イノベーションの実現に貢献します。
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Marco Palma、EPCのモーター駆動システムとアプリケーション部門ディレクタとMaurizio Di Paolo Emilio、EPCのマーケティング・コミュニケーション部門ディレクタが
窒化ガリウム(GaN)のパワー・デバイスは、高効率・高出力密度のモーター駆動システムの新世代を実現可能にしています。従来のシリコンMOSFETと比べて、GaNトランジスタは、ゲート電荷が非常に低く、出力容量が小さく、オン抵抗も非常に低いため、パワー・コンバータは、はるかに高速にスイッチングできます。この結果、GaN技術に基づいたモーター・インバータは、導通損失とスイッチング損失の両方を低減すると同時に、100 kHzをはるかに超えるスイッチング周波数が得られます。これらの特性によって、受動部品の小型化、効率の向上、より小型なシステム設計が可能になります。
独Bodo’s Power Systems:5月号
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既存のシリコンMOSFETと比べて、GaNは、より高速なスイッチングと高い効率を提供します。AI(人工知能)サーバーの電源、アダプタ、UPS(無停電電源装置)システム、EV(電気自動車)充電器など、広い用途で需要が急速に増加しています。特に48 Vベースの電源アーキテクチャでは、GaNを適用することで電力損失を20%以上削減できるため、データセンターや高性能コンピューティングの環境における重要な技術となっています。こうした動きの中、パワー半導体市場は、GaNを中心に再編されると予想されており、現在200億米ドルを超える既存のMOSFETとドライバIC市場も急速な変化を遂げています。EPCなどの企業は、GaN ICへの移行を加速させており、継続的な技術革新によって、システムの効率化、小型化、信頼性の向上を牽引しています。韓国でも、特にEV、再生可能エネルギー、バッテリー・システムなどの用途でGaNソリューションの需要が着実に増加しています。GaNは、より小型軽量な設計を可能にすると同時に、電力効率を高める中核技術として注目を集めています。
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AI(人工知能)インフラが800 Vの電力分配に移行し、人型ロボットの関節に、パワー・エレクトロニクスを直接組み込めるようになるにつれて、第7世代GaNとGaN ICは、重要な15 V~40 Vの範囲で、より高い効率、より高速なスイッチング、劇的に向上した電力密度を実現し、ハードウエア開発チームが次世代変換アーキテクチャに取り組む方法を変革しています。
人工知能インフラがメガワット級のラックや800 Vの電力分配アーキテクチャへと規模を拡大し、人型ロボットがパワー・エレクトロニクスを関節やアクチュエータに直接組み込めるようになるにつれて、変換効率、密度、動的性能に対する要求は根本的に変化しました。従来のシリコンMOSFETベースの設計は、特にモーター駆動回路、負荷点POL(point of load)コンバータ、ロボットの分散型パワー段を支える15 V~40 Vの範囲においてスイッチング損失、熱的制約、物理的な実装面積によってますます制約を受けるようになっています。.
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Maurizio Di Paolo Emilio、マーケティング・コミュニケーション部門ディレクタ、EPC – Efficient Power Conversion
従来の自動化からモバイル・ロボットへの移行が進むにつれて、モーター駆動用電子機器の設計要件は大きく変化しています。ウエアラブル技術、人型ロボット、空中プラットフォームに組み込まれるアクチュエータによって、体積、質量、効率、音響放射、動的応答といったあらゆる要素が同時に制約されます。これらの用途では、インバータは、周辺に配置した電力段ではなく、電気機械構造の密結合部品となります。
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APECのこのビデオでは、EPCのアプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタのAlejandro Pozoが、大電流バック(降圧型)・コンバータ向けの最新の低電圧eGaN FETソリューションを紹介します。40 V、25 V、15 Vのデバイスを搭載した複数の評価基板を詳しく解説し、ヒートシンクなしでも優れた効率と非常に低い温度上昇で最大50 Aの電流を供給できることを示します。小型なハーフブリッジ基板EPC90175と、要求の厳しいアプリケーションでの正確なテストに使う標準的なコントローラと測定ハードウエアとの統合についても焦点を当てます。
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評価プラットフォームのEPC9186HC2とEPC9186HC3は、eGaN® FET技術のEPC2361を使って、最大150 A(実効値)の大電流BLDC制御を可能にします。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は4月14日、ロボット、産業自動化、小型電気自動車、電動自転車、フォークリフト、農業機械、バッテリー駆動モビリティ・システム、高出力ドローンなどの用途向けに設計した高性能3相BLDCモーター駆動用インバータのプラットフォームの評価基板2品種(「EPC9186HC2」と「EPC9186HC3」)を製品化したと発表しました。最大5 kWのモーター駆動システムに対応するこれらの基板によって、耐圧100 VのeGaN® FET技術のEPC2361に基づいた小型で高効率なインバータ・アーキテクチャを評価できます。
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