EPC demonstrates a 6 kW GaN platform spanning 800 V to core voltage. An ISOP stage converts 800 V to 6 V, followed by a monolithic GaN buck converter switching at 5 MHz and delivering 0.9 V at 11 A.

By Diego de Azcuénaga

The architecture of power management systems for spaceborne platforms demands semiconductor devices capable of operating deterministically under continuous ionizing radiation fluxes. In traditional space-grade LDO linear regulators, silicon MOSFETs serve as the primary pass element. However, prolonged exposure to TID induces the generation of electron-hole pairs within the gate dielectric of these devices. Holes trapped at the oxide interface shift the threshold voltage (V_th) and irreversibly degrade transconductance (g_m), typically by magnitudes exceeding 20%. This parametric degradation introduces severe non-linearities into the analog feedback loop, forcing designers to incorporate over-dimensioned design margins or complex dynamic compensation networks to prevent control loop oscillation or voltage hunting over the mission lifespan.

By Maurizio Di Paolo Emilio, Marcom Director, EPC

Artificial intelligence is creating a new generation of data centers. It’s not just about cramming more computing into a rack anymore. It delivers hundreds of kilowatts, and ultimately megawatts to that rack in an efficient, reliable way with a practical physical footprint.

The scale of the transformation is becoming apparent. NVIDIA is creating an 800 VDC power architecture for AI infrastructure that can handle 1 MW racks and above. New projects are being announced at multi-gigawatt scale. OpenAI, for example, has locked in some 8 GW of IT capacity at the PORTS-Pike Technology Campus in Ohio, with the first capacity expected to be brought online later this decade.

By Maurizio Di Paolo Emilio, Marcom Director, EPC

Gallium nitride (GaN) power technology is entering a new phase. After gaining traction in fast chargers, automotive power conversion, and other higher-voltage applications, GaN devices rated at 40 V and below are opening a new competitive front against silicon MOSFETs. According to Paul Pickering, Research Director at Omdia, low-voltage GaN could become one of the most disruptive developments in power semiconductors over the next several years.

AIインフラ向けの直流800 Vの電力供給や、ロボット、ドローン、精密モーター制御向けの

100 V の集積化GaNパワー段を検証した新たな技術論文を発表しました。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月14日、急速に進化する2つの市場、すなわち、AI（人工知能）データセンターと高性能多軸モーター駆動における厳しい電力変換に対処した2本の新しい技術ホワイト・ペーパーを公開したと発表しました。

EPC（Efficient Power Conversion）のマーケティング・コミュ二ケーションズ部門ディレクタのMaurizio Di Paolo Emilio、モーター・ドライブ・マーケティングとシステム・エンジニアリング部門バイス・プレジデントのMarco Palma

産業自動化、協働ロボット、自律走行搬送ロボット（AMR：autonomous mobile robot）、ドローン、高精度サーボ・システムの急速な成長が、より高い効率、より大きな電力密度、動的性能の向上を実現する新世代の低電圧モーター駆動回路の必要性を牽引しています。以前は、この電圧範囲ではシリコンMOSFETが最も一般的なスイッチング技術でしたが、現在では、窒化ガリウム（GaN）のパワー・デバイスによって、はるかに高いスイッチング周波数で動作できるインバータ・アーキテクチャが可能になり、従来のシリコンに伴う効率の低下を招くことなくモーターの効率が向上します。

このインタビュー記事では、AI（人工知能）の電力供給とTRINITYモーター制御向けのEPCの第8世代GaNプラットフォームについて学べますーー今週のPCIM Asiaで展示へーーAIとロボットにおける電力とスペースの需要の高まりに対応。

人工知能、ロボット、自律機械において電力需要が高まる中、窒化ガリウム（GaN）は、かつてはシリコンが主流だった用途に展開しつつあります。中国の深圳で開催される PCIM Asiaで、Efficient Power Conversion（EPC）は、この移行への対応を目的とした2つの技術を展示しています：AI電力供給用の次世代の第8世代GaNプラットフォームと、TRINITYモーター制御用の統合3相GaNソリューションです。

リファレンス・デザインのEPC91132は、ロボットやドローンのモーター駆動向けに、GaNのパワー段、検出、保護、フィードバックを統合しています

次世代の人型ロボットやドローンでは、モーター駆動回路をアクチュエータの近くに配置し、機械的な構造やセンサとスペースを共有できることが必要です。同時に、大電流の供給、高速な制御応答、信頼性の高い保護機能も実現しなければなりません

EPC91132は、GaNの3相モジュールのEPC33110をベースとした小型の3相BLDCモーター駆動用インバータのリファレンス・デザインによって、この統合の課題に対処します：その中核となるインバータは、直径23 mmの形状に小型化可能です。同社によると、48 V動作で最大100 kHzのスイッチング周波数において、人型ロボットの関節用途向けに、1相当たり11 ARMSの連続電流を実現しています

EPC、高性能モーター駆動向けの100 Vの集積化したGaNパワー段の量産開始を発表

ePower™ Stage ICの量産を開始しました。これによって、ロボット、ドローン、小型バッテリー駆動システムにおける拡張可能な設計が可能になります。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は8月26日、耐圧100Vの統合型GaNパワー段ICファミリー4品種（「EPC23108」、「EPC23109」、「EPC23110」、「EPC23111」）の量産開始を発表しました。

0.28 mΩ の極めて低いオン抵抗の eGaN® FET は、22 V の過渡電圧定格があり、先進的な大電流 DC-DC コンバータにおいて、高効率化、1 MHz 以上のスイッチング動作、電力密度の向上を実現できます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）のパワー・デバイスの世界的リーダーである EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は 8 月 20 日、次世代 AI（人工知能）サーバー用電源の効率と電力密度を向上させるために設計した超低オン抵抗の耐圧 18 V の eGaN® FET「EPC2370」の量産を開始したと発表しました。EPC2370 は、22 V の過渡電圧定格を備えており、定格電圧が最大 25 V の MOSFET を置き換えることができます。

AI 向け電源アーキテクチャは、直流 800 V の電力分配へと移行しつつあり、1 MHz で動作する 6 V 出力で高密度の数キロワット級の中間バス・コンバータを採用しています。当社の第 7 世代 GaN プラットフォームを基に開発した EPC2370 は、面積 3.3 mm×3.3 mm と小型で、熱特性に優れた両面冷却対応 PQFN パッケージに収められ、連続電流定格はベンチマークとなる 101 A、標準オン抵抗 0.28 mΩ、ゲート電荷 26 nC で、極めて低いスイッチング損失が得られます。これらの特徴によって、設計者は、効率の最大化、コンバータや磁気部品の小型化が可能で、要求の厳しい熱管理要件に対応できます。

AIの演算性能の急速な向上によって、データセンターの電力アーキテクチャの抜本的な再設計が迫られており、業界で高まる高効率化や電力密度の要求を満たすための重要技術として、窒化ガリウム（GaN）が浮上しています。

パワー半導体分野のオンライン国際会議EE Power Asia 2026のSpark Sessionにおいて、Efficient Power Conversion（EPC）のCEO（最高経営責任者）であるDr. Alex Lidow（アレックス・リドウ）と、同社のDC/DCマーケティングとシステム・エンジニアリング部門バイス・プレジデントであるJason Zhangが、GPUの消費電力が増大し続けるにつれて、従来のシリコンのパワー・デバイスが、なぜ実用上の限界に近づいているのかについて説明しました。

Zhangによれば、GPUの3世代にわたって、AIアクセラレータの消費電力は4倍に増加しました。今後2年以内に、個々のGPUは1 V以下のコア電圧で動作し、最大5 kWの電力を消費し、1万Aに迫る電流が必要になると予想されています。

Maurizio Di Paolo Emilio, Marcom Director, EPC

人工知能（AI）の急速な発展に伴い、データセンターの電力アーキテクチャの見直しに迫られています。従来のサーバー設計は、現代のAI仕事量が要求する極めて高い電力密度に対応することを想定していませんでした。こうした施設は、限られた物理的スペースの中で演算能力を最適化することを目的とする、いわば「AIファクトリー」へと変貌を遂げつつあります。

この移行を可能する鍵は、直流800 Vの電力分配の採用です。この高電圧化のアプローチによって、ラック・レベルでの電力容量を従来のレベルからメガワット級へと拡大することが可能になり、次世代のアクセラレータ・プラットフォームにとって不可欠です。演算サブシステムへの800 Vの直接給電は、絶縁の調整やデバイスへの負荷といった新たな課題をもたらす一方で、絶縁の実現方法を見直す好機でもあります。こうした中、モジュール性、拡張性、効率性に優れていることから、ISOP（入力直列出力並列）方式のコンバータ構成が注目を集めています。

Jason Zhang、EPCのDC-DCマーケティングとシステム・エンジニアリング部門バイス・プレジデント

AI（人工知能）データセンターにおいて、電力供給は極めて重要な設計課題となっています。GPUの消費電力が増大し続ける中、設計者は、電力変換効率の向上と、コンバータの小型化と熱損失の低減という高まる要求への対応を迫られています。こうした要求が、最新のAI向け電源アーキテクチャにおける中間バス変換段でのワイド・バンドギャップ半導体技術、とりわけ窒化ガリウム（GaN）の採用の追い風になっています

こうした背景の中、Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧25 VのGaN FETであるEPC2378や耐圧18 VのGaN FETのEPC2370を製品化しました。いずれも、当社の最新の第7世代製品ファミリーの製品で、大電流DC-DCコンバータの2次側同期整流用途に最適化しています。EPC2378は、標準オン抵抗RDS(on)が410 µΩ、ゲート電荷34 nCが特徴で、EPC2370は、標準オン抵抗280 µΩ、ゲート電荷26 nCを実現しています。両デバイスとも、両面冷却に対応した露出基板構造で、小型かつ熱特性に優れた3.3×3.3 mmのPQFNパッケージに封止されています。導通損失の最小化に加え、低いゲート電荷によって、スイッチング周波数1MHzにおけるスイッチング損失も低減するように設計しており、システム全体の効率と電力密度を向上できます。

最新のeGaN FET、集積化したパワー段、評価基板は、直流800 Vから負荷点（PoL：Point-of-Load）に第7世代の電力供給を実現します。高度なモノリシックGaNパワー段は、ロボットやドローンにおける高効率化と、小型・軽量化を可能にします。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）に基づくパワー・ソリューションの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は7月20日、中国の深圳で8月26日～28日に開催されるパワー・エレクトロニクスの国際展示会PCIM Asia 2026において、当社の最新世代GaN技術を展示（ホール16、ブースB03）すると発表しました。この展示会で、インテリジェント・モーター制御やAI（人工知能）の電力供給に対して、当社の第７世代 GaNプラットフォームが、いかに小型で高性能なパワー・アーキテクチャを実現可能にするかをデモします。最新世代のeGaN®デバイスは、極めて低いオン抵抗、低いスイッチング損失で、高周波動作が可能なので、システムの統合を簡素化でき、効率、動的応答、熱特性を向上できます。

業界の基調講演は、AI主導のパワーのトレンド、直流800 Vのアーキテクチャ、GaNの革新が焦点に

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）に基づくパワー・ソリューションの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は7月15日、台湾の主要なパワー・エレクトロニクス関連会議Tech Taipei Power 2026に参加すると発表しました。この会議は、AI（人工知能）インフラ、産業システム、自動車、ロボット、次世代エネルギーの各用途向けの電力変換技術における最新の進歩について議論するため、業界のエキスパートたちが一堂に会する場です。

Efficient Power Conversion（EPC）のCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）、同社アプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタのAlejandro Pozo、同社GaNアプリケーション・フェローのMichael De Rooijの寄稿

人工知能（AI）は、かつてない速さで私たちの仕事や生活に浸透しつつあります。ソフトウエア開発の効率化、複雑な分析課題への取り組み、日常の文書作成の自動化によって、AIは、もはや単なるツールではなく、私たちが創造し、課題を解決する方法を根本から変えています。

これら次世代AIサーバーのコストは、その大部分が電力需要の指数関数的な増大に起因しています。この電力消費の主因となっているのが、シリコン基板上に数10億個もの微細なトランジスタを集積して構成され、その寸法がわずか20オングストローム（DNAの二重らせん構造の幅に相当）のGPU（Graphic Processing Unit）です。これら数10億個もの演算素子を動作させるために必要な電力は、演算能力の向上に伴って急速に増大しています。表1には、米NVIDIA（エヌビディア）が公表している2028年までのロードマップに基づいた例を示しています。

EPCが韓国Semiconductor Network Korea誌の表紙を飾り、人型ロボットや自律型ドローンのモーター駆動向けとなるGaNの最新の革新が取り上げられています。

ロボットやUAV（無人航空機）の用途が進化し続け、設計者は、より高い効率、電力密度の向上、システムの小型・軽量化を実現するためのソリューションを求めています。EPCのエンハンスメント・モードGaN FETは、従来のシリコン・ソリューションと比べて、高速スイッチング、低電力損失、優れた動的特性を可能にすることで、こうした課題を解決します。

技術のパイオニア、地政学的な重要資産、そして戦略的拡大の有力候補 ―― PCIM Europe 2026におけるEPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）への1次調査を経て、評価を新たにしました。

Efficient Power Conversion Corporation（EPC）は、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）技術を、単なる技術的構想から商用パワー・デバイスのプラットフォームへと進化させた企業の一つです。シリコン・パワーMOSFETの共同発明者であり、米インターナショナル・レクティファイアーの元CEOでもあるAlex Lidowによって2007年に設立されたEPCは、2009年に初の商用eGaNトランジスタを出荷して以来、GaNパワー・デバイス、集積回路、車載品質部品、さらには宇宙・防衛向けの耐放射線製品に至るまで、特化した製品ポートフォリオを構築してきました。

このSGI™リサーチ・レポート（バージョン3.0）には、ドイツのニュルンベルクで開催されたPCIM Europe 2026におけるスイスの調査会社GeoTechNexusの新たな独自調査結果が盛り込まれています。このイベントにおいて、CEOのAlex Lidowは、自身と共同投資家がEPCに2億5000万ドル以上を投資したことを明らかにし、同社が競合他社に対して、GaN技術の約2世代分の優位性を維持しているとの認識を示しました。

本号の次の記事では、オーディオ測定に精通した愛好家であるStuart Yaniger氏が、Efficient Power Conversion（EPC）の最新eGaN FETのEPC2307を使ったリファレンス・デザインEPC9192を調べて概説します。この記事のタイトルで示しているように、高性能なD級オーディオ・アンプの設計開発者を支援するGaN技術の新たな選択肢となります。EPCが発表したこのリファレンス・デザインEPC9192は、モジュール式設計に、より大出力と高効率を実現しています。米audioXpress誌による今回の概説では、接地基準の耐圧200 VのeGaN FETであるEPC2307の性能が検証されました。この設計は、デュアル電源のシングルエンド（SE）構成を採用し、4Ω負荷時にチャネル当たり700 Wを供給できます。この記事では、EPCのGaNパワー・デバイスが、本来のエンハンスメント・モードの横型GaNオン・シリコンのHEMT（高電子移動度トランジスタ）を採用することで、なぜ他社製品と差異化できているかについても解説しています。カスコード接続の構成が不要となり、低電圧域におけるオン抵抗の増大というデメリットを回避できます。こうした特徴によって、EPCのデバイスは特に、15 Vから200 Vの電圧範囲において高い競争力を発揮します。

直径23 mmのGaNインバータは、48 V、PWM（パルス幅変調）周波数100 kHzで連続電流11 A（実効値）を実現します

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月9日、GaN搭載の3相モジュールEPC33110をベースとした小型3相BLDCモータ駆動用インバータのリファレンス・デザイン「EPC91132」を製品化したと発表しました。