eGaN FETを搭載した高効率、高密度で1 kWの1/8ブリック・サイズLLC共振コンバータ Posted 2021年9月20日 データ処理インフラの継続的で急速な成長に伴い、より高い電力レベルが最小の面積で得られることが求められています。 米Power Systems Design誌 2021年9月 記事を読む 最も閲覧された関連記事 eGaN FETは、48 Vから12 Vへの電力変換で4 kW／立方インチを超える電力密度を実現します パワー・ブリックはGaNで効率が向上 GaNの性能を決定するためのモデルの振る舞い GaN技術がデータセンターの電力密度を牽引 GaN FETの使用は、シリコンFETの使用と同じくらい簡単です：48 Vシステムの例