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ドイツのミュンヘンでの12月のパワー会議に先立ち、Bodo Arlt氏は、現在、GaN市場がどこにあり、将来の潜在的なアプリケーションがどこにあるとみているかについて、Alex Lidow(アレックス・リドウ)の見通しを聞く機会を得ました。Lidow博士は、Efficient Power Conversion(EPC)のCEO(最高経営責任者)で共同設立者です。
独Bodo’s Power Systems
2019年11月
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Efficient Power Conversion(EPC)は、欧州の幅広いユーザーをサポートするために、技術的リーダーシップ・チームを拡大し、 DC-DC、Lidar(光による検出と距離の測定)Lidar(光による検出と距離の測定)、モーター制御などのアプリケーション向けeGaN® FETと集積回路の採用支援を強化します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は10月29日、加速する設計活動をサポートし、欧州のEPCのユーザーにその地域での技術サポートを提供するため、経験豊富なエキスパートであるMarco Palmaが欧州のシニアFAEマネージャとしてEPC技術リーダーシップ・チームに加わったと発表しました。
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GaNとSiCは、価格が下がるにつれて、非常に魅力的になってきています。窒化ガリウム(GaN)と炭化ケイ素(SiC)に基づくパワー半導体の次の波へと展開しているベンダーがあり、市場において、従来のシリコン・ベースのデバイスに対する対決の舞台を設定しています。
米Semiconductor Engineering
2019年10月
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Efficient Power Conversion(EPC)、車載品質認定のeGaN® FETである耐圧15 VのEPC2216を製品化、飛行時間型Lidarシステムをより良く「見える」ようにすることに貢献
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は10月15日、自動運転車に加え、顔認識、倉庫の自動化、ドローン、マッピングといったその他の飛行時間TOF(time-of-flight)型のアプリケーションなどで、精度の向上が不可欠なLidar(光による検出と距離の測定)用途向けに設計された耐圧15 VのeGaN FET「EPC2216」を製品化し、車載品質AEC Q101の認定を取得したと発表しました。
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窒化ガリウムのFETとICを使ったLidar(光による検出と距離の測定)、DC-DC変換、ワイヤレス・パワーなどのGaNの理論とアプリケーションは、テキスト『GaN Transistors for Efficient Power Conversion』の第3版の中心となるテーマです。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は10月1日、電力変換業界のエキスパートたちが執筆したテキスト『『GaN Transistors for Efficient Power Conversion』の第3版を出版したと発表しました。米John Wiley and Sonsから出版されます。
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EPC(Efficient Power Conversion)は、カナダSolace Powerの250 Wワイヤレス・パワー・プラットフォーム向けに窒化ガリウム・ベースのパワー・デバイスを供給し、これによって、大電力ソリューションと設計サイクル時間の短縮が可能になります。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は9月3日、5G、航空宇宙、自動車、医療、および産業用のアプリケーション向けに設計した250 Wのワイヤレス・パワー・ソリューションが可能にする先進的なワイヤレス・パワーや、検出とデータの大手であるカナダSolace Powerと提携したと発表しました。同社のインテリジェント無線プラットフォームは、EPCの200 Vエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®200 Vエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)・パワー・トランジスタを採用しています。このモジュラ・プラットフォームは、同じEquus™ アーキテクチャを採用し、3次元において剛体が取り得る動きの空間的自由度(six degrees of spatial freedom)に優れ、送信電力は最大250 Wを実現しています。
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GaNは、かつて多くの業界において不可能と考えられていたことを実現しています。EPCのAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、GaN技術が医学の大幅な進展にどのように貢献しているかを説明します。
オンライン・ポータルの英Electronic Specifier
2019年8月
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Alex Lidow(アレックス・リドウ)は、エレクトロニクス業界に深いルーツがあります。彼の父と祖父は、1947年に米インターナショナル・レクティファイアーを設立しました。Alexは結局、12年間、この会社を経営しました。現在は、窒化ガリウム・ベースのパワー・トランジスタと集積回路のメーカーであるEPCのCEO(最高経営責任者)を務めています。この会社の製品は現在、自動運転車用Lidar(光による検出と距離の測定)システム、4G / LTE基地局、サーバーや衛星向けのDC-DCコンバータ、そして、さまざまな医療製品に使われています。
米EE Times誌のEE Times on Air
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48 Vの用途に向く性能指数(FOM:figure of merit)を備えたGaNトランジスタは、サイズ、重さ、BOM(部品表)コストの削減を実現できます。この記事では、5相の完全に安定化した双方向の48 V入力、12 V出力のDC-DCコンバータについて説明します。eGaN FETの使用に適した高度な熱管理ソリューションによって、14.5 Vのバッテリーに97.5%を超える効率で3 kWの電力を供給できるシステムが得られます。
米Power Systems Design誌
2019年7月
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小型衛星は、地球低軌道(LEO)のミッションに対して、より費用効果の高いアプローチであり、世界中に低コストのインターネット・アクセスを提供することに貢献します。このアプリケーションでは、耐放射線特性を強化したパルス幅変調コントローラとGaN FETドライバとを組み合わせたGaN FETは、従来のシリコンの対応品と比べて、より高効率なスイッチング、より高い動作周波数、より低いゲート駆動電圧、より小さなソリューション・サイズを実現可能にします。
英Electronics Weekly誌
July, 20192019年7月 記事を読む
2025年までにデータが175ゼタバイト以上になると予想されています。データセンターの建設と配置、および既存の旧式のもののアップグレード努力は、2020年に日本で開催されるオリンピックに加えて、人工知能(AI:artificial intelligence)や機械学習(ML:machine learning)の成長において本格的に始まる5Gの出現で急速に拡大しています(6Gは、将来の開発としてすでに議論されています)。
サイズ、効率、速度が重要なデータセンターのパワー・アーキテクチャにおいて、GaNが最適なパワー・トランジスタであるべきだということは、私にとって非常に理にかなっています。48 V入力のすべての回路構成で、最高の効率がGaNデバイスで達成されました。
米EDN誌
2019年6月
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EPC(Efficient Power Conversion)は、米Spirit Electronicsと提携し、業界をリードする当社の窒化ガリウム・ベースのパワー・デバイスに関連する製造ロット固有のデータ・サービスを提供します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月11日、業界をリードする当社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)・デバイス向けに、製造ロット固有の広範なデータ・サービスを提供するために、米Spirit Electronicsと提携したと発表しました。
「Spirit Electronicsとの提携は、同社の広範な経歴、および、防衛や航空宇宙のユーザーとの協業での実績のある成功例を補う機会をEPCに提供します。当社のeGaNパワー半導体製品に関連したロット固有のデータ・サービスを提供することで、要求の厳しいこれらの用途に付加価値をもたらすことができます」とEPCのCEO(最高経営責任者)で共同創立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は述べています。
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今日のGaN FETは、サイズと特性が急速に向上しています。このベンチマーク・デバイスは、まだ、その理論上の性能限界から300倍も離れています。初期のGaNの採用者は、速度が必要でした。大きな例には、自動運転車用Lidar(光による検出と距離の測定)システム、ドローン、ロボット、4G / LTE基地局があります。この量は増えており、今やGaNパワー・デバイスの価格は、より遅く、より大きく、そして老朽化しているパワーMOSFETと同等レベルになっています。そして、GaNの正面攻撃の時が来ました!
独Bodo’s Power Systems
2019年6月
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EPC(Efficient Power Conversion)は、パワー・システムの統合を容易にするため、業界をリードする窒化ガリウム・ベースのパワー・デバイスをウエハーの形態で提供します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月4日、統合化を容易にするため、業界をリードするエンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)・デバイスをウエハーの形で提供すると発表しました。当社のeGaN® FETとICはこれまで、切り出したチップを、はんだバーまたははんだバンプを備えたチップスケール・デバイスとして販売していました。
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EPCは、当社CEO(最高経営責任者)で共同創立者であるAlex Lidow博士が2019年のISPSD殿堂入りしたと発表しました
エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月29日、当社CEO(最高経営責任者)で共同創立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)博士が2019年のISPSD殿堂入りしたと発表しました。この権威ある栄誉は、パワー半導体技術の進歩とISPSDの発展を支えることに貢献した功績に対して授与されました。この殿堂入りは、2019年5月20日に、中国の上海のMarriott Parkview Hotelで開催されたパワー半導体デバイスとICに関する国際シンポジウム第31回ISPSD(IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)2019で発表されました。
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無線技術を使って、jjPlusと共に、あなたのソリューションの潜在能力を最大限に引き出しましょう!
高品質の無線通信やワイヤレス・パワーの組み込みソリューションの設計メーカーである台湾のjjPLus社は5月21日、5月28日~6月1日に台湾の台北で開催されるCOMPUTEX 2019の会場Nangang Exhibition Center(南港展覧館)のホール1、ブース番号K1024で、次世代のワイヤレス・パワー伝送および新しいWiFiソリューションを展示すると発表しました。
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eGaN FETとICは、その小型、超高速スイッチング、低オン抵抗によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータ設計を可能にします。ほとんどの高電力密度コンバータの出力電力を制限する要因は接合部の温度です。このため、より効果的な熱設計が必要になります。eGaN FETとICのチップスケール・パッケージは、6面冷却、すなわち、チップの裏面、表面、側面から効果的に放熱します。この記事では、eGaNベースのコンバータの出力電流能力を強化するための高性能熱ソリューションを紹介します。
米EDN誌
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シリコン・バレーの中心から、新しいは流行語が登場します。窒化ガリウムは、パワー技術の未来です。テク・ブログは、将来のシリコンとして、窒化ガリウムを売り込んでおり、あなたは、そのエントランスに入るために十分、理解しています。窒化ガリウムがいかに重要であるかを知ることは、あなたをよりカッコよく、より良いユーザーにします。あなたが、あなたのグループの最前線にいるのは、あなたがこの新技術を知っているからです。そして、その技術の名は窒化ガリウムです。
米ブログ・サイトのHACKADAY
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EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、彼のGaNデバイスが性能と価格でシリコンを凌駕していると考えている、とRebecca Pool氏は報告しています。
EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidowにとって、今年のPCIM Europe 2019はアプリケーションに絞られました。最終製品の中にある無数のエンハンス・モードGaN FETとICを示し、先進的なコンピューティングや自動車の48 V入力のDC-DC電力変換のために、同社は大きな役割を果たしています。
英Compound Semiconductor誌
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今年のパワー・エレクトロニクス機器の国際展示会PCIM Europeには、1万2000人を超える記録的な訪問者が訪れました。半分以上(54%)がドイツ国外から参加しました。彼らは、500を超える出展者を見に来ました。主題は多様で広範囲にわたっていましたが、いくつかのテーマが際立ちました。特に、GaNとSiCが注目を集めました。Efficient Power Conversion(EPC)は、GaNがすでに製品化されている潜在力を示し、同社が2009年に発表したeGaN FET技術の例を数多く取り揃えていました。
英オンライン・ニュースElectronic Specifier
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