GaNの話

そのクルマを見ましたか？　その屋根上の鹿の角のように見えるものは何でしょう？　ほとんどの人は、公道に関してナビゲートしている自動運転車を見逃すことはないでしょう。ほとんどの人が知っている大抵の自動運転車には、クルマの周囲の情報を知らせる重要な機能を果たす無数のセンサー、カメラ、さらにはレーザーでさえも装備されています。これらのセンサーやカメラは、安全運転のために重要な歩行者、自転車に乗っている人、車線、道路標識、照明、道路の三角コーンや、その他の視覚的な詳細を識別する1つの手段です。

Michael de RooijとAlana Nakataの共著、Efficient Power Conversion

以下で発表しました：PCIM Europe 2017; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management; Proceedings of

ランド・グリッド・アレイ（LGA）、および／またはボール・グリッド・アレイ（BGA）の形態として、従来とは異なるチップスケール・パッケージ（CSP）に収めたeGaN FETは、さまざまなアプリケーションにわたって同等のMOSFETよりも電力密度と効率特性が高いというデモを繰り返し示されています [¹,²]。これらの特性改善は、不要な寄生要素を最小限に抑える適切なレイアウト方法が広範にわたって文書化されています[¹,³]。eGaN FETが市場に初めて投入されて以来7年間、フィールドで実際に使われた合計170億時間以上で、合計127個のデバイスの不具合がありました。そのうちの75個は、アセンブリ技術が不十分だったか、プリント回路基板の設計がうまくなかったことによるものでした [⁴]。設計者は、製造しやすさに影響するプリント回路基板の設計ルールにもっと精通しなければなりません。MOSFETに比べて、比較的サイズが小さいために許容度があまり大きくありません。この論文では、eGaN FETの性能を最大限に引き出すためのプリント回路基板設計のさまざまなガイドラインと、いまだに既存のプリント回路基板の製造能力に依存する信頼性について説明します。

電源コードが好きな人には、まだ会ったことがありません。

この記事は、もともとPowerPulse.netのウエブサイトで2017年5月26日に公開されました：8 VからPOL（負荷点）へのeGaN技術とEPCのGaNソリューションの詳細を知ることができます。

先週、ドイツのニュルンベルクで開催されたイベントPCIM Europeでは、主に展示フロアの外で、48 Vから1 Vへの直接電力変換アーキテクチャが大きなトピックでした。米バイコーは、最新世代の48 Vダイレクト・ツー・チップのパワー部品を静かに見せていました。スウェーデンのEricsson Power ModulesとEfficient Power Conversionは、48 Vから負荷への直接電力変換アーキテクチャの将来の設計が議論の焦点となる招待者専用の会議を実施しました。2017年末までに、48 Vから1 Vへの直接変換を実現するDC- DCコンバータを製品化するベンダーもあります。

このブログは、もともとHow2Powerのウエブサイトで公開されました。eGaN技術とワイヤレス・パワーに対するEPCのGaNソリューションについての詳細は、このブログをご覧ください。

This post was originally published on Velodyne LiDAR’s “360” Blog. Learn more about eGaN technology here and EPC GaN solutions for LiDAR here.

Have you ever been driving at night—perhaps on a twisty two-lane highway—when the headlights of an oncoming car seemingly “crash” into your retinas? Blue-tinged LED beams leap out from behind a curve, or crest over a hillside, and for an instant it feels like you may have gone blind. Your vision erupts with a painful jolt of white. You squint through patchy discolorations trying to locate the lane lines. A quick flip of your high beams results in an even brighter display from the oncoming car. And now there are two drivers swerving past one another who couldn’t read the top line at the eye doctor.

As nighttime images of the earth from the International Space Station confirm, ours is an increasingly illuminated world. And LEDs, or light emitting diodes, supply a cheap and efficient means for broad illumination, not just for vehicles but increasingly for street lighting. Yet some types of LEDs have recently raised concerns of associated health risks.

Written By Sanjay Gupta, VP Product Management, WiTricity

While the possibilities of magnetic-resonance-based wireless charging are very exciting, the technology is frequently misunderstood by those not involved in the industry.

Consider the devices we use every day: From smartphones and smartwatches and potentially electric vehicles, electronics are becoming as mobile as people themselves. We rely and expect our devices to be charged at all times, ready-to-use when needed. But as it currently stands, we still must plug in our phones, our electric cars, and our smartwatches, tethering us to cords and cables, triggering range anxiety and obsessing about the remaining juice on our devices.

Gallium nitride (GaN) power transistors designed for efficient power conversion have been in production for seven years. New markets, such as light detection and ranging, envelope tracking, and wireless charging, have emerged due to the superior switching speed of GaN. These markets have enabled GaN products to achieve significant volumes, low production costs, and an enviable reliability reputation. All of this provides adequate incentive for the more conservative design engineers in applications such as dc–dc converters, ac–dc converters, and automotive to start their evaluation process. So what are the remaining barriers to the conversion of the US$12 billion silicon power metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) market? In a word: confidence. Design engineers, manufacturing engineers, purchasing managers, and senior management all need to be confident that GaN will provide benefits that more than offset the risk of adopting a new technology. Let’s look at three key risk factors: supply chain risk, cost risk, and reliability risk.

Gallium nitride (GaN) is a better semiconductor than silicon. There are many crystals that are better than silicon, but the problem has always been that they are far too expensive to be used in every application where silicon is used. But, GaN can be grown as an inexpensive thin layer on top of a standard silicon wafer enabling devices that are faster, smaller, more efficient, and less costly than their aging silicon counterparts.

This post was written by EDN senior technical editor, Steve Taranovich for the Power-management Design Center , How To Article section on APEC 2017. Originally published on April 03, 2017.”