GaNの話

新年が始まって、2018年の成功を見直し、2019年の期待を見据えるために数分を費やす価値はあります。

1970年の最初のビデオ・テープ・レコーダ（VTR）から無線で充電できる世界初のノート・パソコンまで、世界を変える革新は、世界中のイノベーションが集まる場所CESで発表されました。

eGaN® FETとICは、小型、超高速スイッチング、低オン抵抗という特徴によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータを設計できます。ほとんどの高電力密度コンバータの出力電力を制限している要因は接合部温度であり、より効果的な熱設計が求められます。eGaN のチップスケール・パッケージは、チップの上面、下面、および側面から効果的に熱を逃がし、6面冷却を実現できます。このアプリケーション・ノートでは、eGaN ベース・コンバータの出力電流能力を高めるための高性能の熱ソリューションを紹介します。

このブログは、もともとData Center Frontier のウエブサイトに2018年11月5日にBill Kleyman氏によって公開されましたデータセンター向けのeGaN技術とEPCのGaNソリューションの詳細をご覧ください。

米ニュース・サイトPlanet Analogの編集長Steve Taranovich氏が執筆したこの記事は、もともとPlanet Analogのウエブサイトに2018年8月10日に掲載されました。LiDAR（光による検出と距離の測定）のeGaN技術とEPCのGaNソリューションの詳細をご覧ください。

EPCの最高経営責任者（CEO）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）に、彼のGaNパワー・デバイス事業の将来と、自動車認証の取得について尋ねます。

最近、同社は、LiDAR（光による検出と距離の測定）、48 Vの電力分配システム、および、その他のアプリケーション向けにAEC Q101認定の80 Vのディスクリート・トランジスタの供給を始めました。この最新のエンハンスメント・モードFETは、シリコンMOSFETよりも小さい実装面積で、より高いスイッチング周波数とより高い効率が得られています。これはほんの始まりに過ぎません。

当社には、LiDAR（センサー）用に設計された集積回路と同様に、多くのトランジスタがあり、ここにきて車載認証の取得を進めています」とLidowは強調します。「LiDARはコストと性能へのプレッシャが厳しいため、部品を統合して性能を向上させると同時に、コストを下げることが大きな課題です」とも語りました。

この記事は、もともとBodoのPower Systemsのウエブサイトに2018年5月に掲載されました。自動車自動車向けeGaN技術とEPCのGaNソリューションに関する詳細をご覧ください。

世界で最小、最高効率、最低コストのDC-DCコンバータをご覧ください！eGaN技術がこれを可能にし、今年のAPECAmerican Power Engineering Conference）で展示する予定です。APECでは、世界中のパワーのエンジニアが集まり、パワー・エレクトロニクスの世界で利用可能な最新の革新や製品について見たり、学んだりできます。

EPCのGaNのエキスパートたちは、GaN技術の最新について、および、最先端パワー・エレクトロニクスへの応用について、半日の教育セミナーを開催します。さらに、EPCは6件の技術セッションを実施し、当社のブースや顧客用スイートでeGaNのアプリケーションをデモします。

そのクルマを見ましたか？　その屋根上の鹿の角のように見えるものは何でしょう？　ほとんどの人は、公道に関してナビゲートしている自動運転車を見逃すことはないでしょう。ほとんどの人が知っている大抵の自動運転車には、クルマの周囲の情報を知らせる重要な機能を果たす無数のセンサー、カメラ、さらにはレーザーでさえも装備されています。これらのセンサーやカメラは、安全運転のために重要な歩行者、自転車に乗っている人、車線、道路標識、照明、道路の三角コーンや、その他の視覚的な詳細を識別する1つの手段です。

Michael de RooijとAlana Nakataの共著、Efficient Power Conversion

以下で発表しました：PCIM Europe 2017; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management; Proceedings of

ランド・グリッド・アレイ（LGA）、および／またはボール・グリッド・アレイ（BGA）の形態として、従来とは異なるチップスケール・パッケージ（CSP）に収めたeGaN FETは、さまざまなアプリケーションにわたって同等のMOSFETよりも電力密度と効率特性が高いというデモを繰り返し示されています [¹,²]。これらの特性改善は、不要な寄生要素を最小限に抑える適切なレイアウト方法が広範にわたって文書化されています[¹,³]。eGaN FETが市場に初めて投入されて以来7年間、フィールドで実際に使われた合計170億時間以上で、合計127個のデバイスの不具合がありました。そのうちの75個は、アセンブリ技術が不十分だったか、プリント回路基板の設計がうまくなかったことによるものでした [⁴]。設計者は、製造しやすさに影響するプリント回路基板の設計ルールにもっと精通しなければなりません。MOSFETに比べて、比較的サイズが小さいために許容度があまり大きくありません。この論文では、eGaN FETの性能を最大限に引き出すためのプリント回路基板設計のさまざまなガイドラインと、いまだに既存のプリント回路基板の製造能力に依存する信頼性について説明します。