10 24, 2018
Rick Pierson, Senior Manager, Digital Marketing
eGaN® FETは、Si MOSFETよりもはるかに高速にスイッチングできるので、寄生インダクタンスを最小限に抑えるために、プリント回路基板のレイアウト設計に細心の注意を払わなければなりません。寄生インダクタンスによって、オーバーシュート電圧が大きくなり、スイッチングの遷移が遅くなります。このアプリケーション・ノートでは、これらの不要な影響を避け、コンバータの特性を最大限に引き出すために、eGaN FETを使って最適なパワー段のレイアウトを設計するための鍵となるステップについて検討します。
図1に示すように、3つの寄生インダクタンス、すなわち、1)パワー・ループのインダクタンス(Lloop)、2)ゲート・ループのインダクタンス(Lg)、3)共通ソースのインダクタンス(Ls)によって、スイッチング特性が制限されます。eGaN FETのチップスケール・パッケージは、トランジスタ内部のインダクタンスをかなり排除しているので、主な制限要因としてプリント回路基板が残ります。各寄生インダクタンスは、動的電流経路とその戻りループによって囲まれる領域全体にあります(WP009:特性への寄生容量の影響を参照)。
10 07, 2018
クラウド・コンピューティングやビッグデータ処理への需要が劇的に増加していることから、米国のデータセンターの電力消費量は、2020年までに730億kWhに達すると予測されています [1]。これは、米国全体の電力消費量の約10%を占めます。この消費の大部分は、非効率な電力供給アーキテクチャによる損失によって引き起こされ、改善のために大きな注意を払わなければなりません [2],[3]。
8 27, 2018
米ニュース・サイトPlanet Analogの編集長Steve Taranovich氏が執筆したこの記事は、もともとPlanet Analogのウエブサイトに2018年8月10日に掲載されました。LiDAR(光による検出と距離の測定)のeGaN技術とEPCのGaNソリューションの詳細をご覧ください。
7 24, 2018
Andrea Mirenda, Vice President of Americas Sales
エンハンスメント・モードGaNパワー・デバイス(eGaN® FETとIC)は、ユーザーが最終製品を差異化するための道を拓きます。この新技術は、小型機器や電子機器に給電するために、常に存在する電源回路や電力分配回路の効率を大幅に向上させます。
アメリカのセールス・マネージャとして、私は、優れた新しいビジョンを創り出すためにユーザーと協力するという羨ましがられる立場に立っており、彼らは、引き続き市場をリードし、エネルギー消費を削減して消費電力を最適化することに貢献しています。
新しい技術やアプローチを導入するパワー・システムの設計は常に、好奇心と評価で満ちています。ユーザーは常に、新技術の属性と実装に関して、最も根本的で遠大な質問をします。 したがって、私が受けた最も一般的な質問を文書化することは、GaN技術の使用がこの過渡的な技術を、自信を持って採用するための道を開くと考えている人の助けになるだろうと考えました。
6 12, 2018
EPCの最高経営責任者(CEO)であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)に、彼のGaNパワー・デバイス事業の将来と、自動車認証の取得について尋ねます。
最近、同社は、LiDAR(光による検出と距離の測定)、48 Vの電力分配システム、および、その他のアプリケーション向けにAEC Q101認定の80 Vのディスクリート・トランジスタの供給を始めました。この最新のエンハンスメント・モードFETは、シリコンMOSFETよりも小さい実装面積で、より高いスイッチング周波数とより高い効率が得られています。これはほんの始まりに過ぎません。
当社には、LiDAR(センサー)用に設計された集積回路と同様に、多くのトランジスタがあり、ここにきて車載認証の取得を進めています」とLidowは強調します。「LiDARはコストと性能へのプレッシャが厳しいため、部品を統合して性能を向上させると同時に、コストを下げることが大きな課題です」とも語りました。
5 01, 2018
Alex Lidow, Ph.D., CEO and Co-founder
この記事は、もともとBodoのPower Systemsのウエブサイトに2018年5月に掲載されました。自動車自動車向けeGaN技術とEPCのGaNソリューションに関する詳細をご覧ください。
3 21, 2018
Steve Colino, Vice President, Strategic Technical Sales
電力変換の周波数を高めることには多くの理由があります。基本的に、これらの理由は、大きさ/重さの削減、およびコスト削減に帰着します。スイッチング周波数を高めるという目標に加えて、高効率に動作しなければならない電源システムには、いくつかの部品があります。これらには、パワー・スイッチ、パワー・スイッチのドライバ、コントローラ、磁気部品、およびコンデンサなどがあります。総称して、これらの部品は、高周波の電力変換エコシステム(全体の特性をどのように高めていくかの生態系)を表します。これらの要素のどれかがなければ、周波数を高める利点は、完全には実現できません。
2 28, 2018
世界で最小、最高効率、最低コストのDC-DCコンバータをご覧ください!eGaN技術がこれを可能にし、今年のAPECAmerican Power Engineering Conference)で展示する予定です。APECでは、世界中のパワーのエンジニアが集まり、パワー・エレクトロニクスの世界で利用可能な最新の革新や製品について見たり、学んだりできます。
EPCのGaNのエキスパートたちは、GaN技術の最新について、および、最先端パワー・エレクトロニクスへの応用について、半日の教育セミナーを開催します。さらに、EPCは6件の技術セッションを実施し、当社のブースや顧客用スイートでeGaNのアプリケーションをデモします。
1 01, 2018
Nick Cataldo, Senior Vice President for Global Sales and Marketing
12 05, 2017
そのクルマを見ましたか? その屋根上の鹿の角のように見えるものは何でしょう? ほとんどの人は、公道に関してナビゲートしている自動運転車を見逃すことはないでしょう。ほとんどの人が知っている大抵の自動運転車には、クルマの周囲の情報を知らせる重要な機能を果たす無数のセンサー、カメラ、さらにはレーザーでさえも装備されています。これらのセンサーやカメラは、安全運転のために重要な歩行者、自転車に乗っている人、車線、道路標識、照明、道路の三角コーンや、その他の視覚的な詳細を識別する1つの手段です。
設計例について、質問がありますか? GaNのエキスパートに聞く
GaN FEとIC
評価基板
eGaN FETの電力変換向けに拡張するエコシステム (How2AppNote005)
eGaN FETベースのパワー段を最適なレイアウトで設計する方法 (How2AppNote007)