Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧150 V、オン抵抗6 mΩのGaN FETであるEPC2308を発売し、DC-DC変換、AC/DCスイッチング電源と充電器、太陽光発電用 オプティマイザとマイクロインバータ、モーター駆動などの高電力密度用途向けの高性能で小型のソリューション・サイズに貢献します。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は10月20日、150 Vの「EPC2308」を製品化し、熱的に強化したQFNパッケージの市販の GaN FETの選択肢を拡大したと発表しました。この製品は、電動工具やロボットのモーター駆動、産業用途向けの 80 Vと100 Vの間の高密度 DC-DC、充電器、アダプタ、電源向けの28 V入力、54 V出力の同期整流、スマートフォンのUSB 高速充電器、太陽光発電のオプティマイザとマイクロインバータ向けに設計しました。
GaN FETのEPC2308は、わずか4.9 mΩ（標準値）の非常に小さなオン抵抗RDS(on)と、小さい導通損失とスイッチング損失のための非常に小さなゲート電荷QG、ゲート-ドレイン間電荷QGD、出力電荷QOSSを実現しています。このデバイスは、実装面積がわずか3 mm×5 mmの熱的に強化したQFNパッケージに収められており、最高の電力密度の用途向けに、非常に小型なソリューション・サイズの実現に貢献します。
このパッケージは、アセンブリと検査を単純化するウェッタブル・フランクを提供し、露出した上部と超低熱抵抗によって、ヒートシンクを介した放熱を最適化し、より低温での動作を実現します。
EPC2308は、以前に製品化した100 V、1.8 mΩのEPC2302や100 V、3.8 mΩのEPC2306とフットプリントの互換性があります。
「EPC2308は、150 VのGaNの利点と、アセンブリが容易で熱的に強化したQFNパッケージを組み合わせています。設計者は、当社のパッケージ化したGaN FETファミリーを使って、ロボットや電動工具用の小型・軽量なバッテリー駆動のBLDCモーター駆動、80 V入力の高効率DC-DCコンバータ、高効率のUSB充電器や電源を構成できます」と、CEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。
開発基板
開発基板のEPC90148は、GaN FETのEPC2308を搭載したハーフブリッジです。最大デバイス電圧150 V、最大出力電流12 A向けに設計されています。この基板の目的は、評価プロセスを単純化して、製品の市場投入までの時間を短縮することです。この面積2インチ×2 インチ（50.8 mm×50.8 mm）の基板は、最適なスイッチング特性を実現するように設計されており、簡単に評価できるようにすべての重要な部品を搭載しています。
米国での参考価格と入手方法
EPC2308の単価は、1000個購入時に3.75米ドルです。
開発基板EPC90148の単価は200.00ドルです。
すべてのデバイスと基板は、米Digi-Key社のウエブサイト（https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc）から購入でき、即座に配送されます。
シリコンMOSFETをGaNソリューションに置き換えることに関心のある設計者は、EPCのGaNパワー・ベンチのクロスレファレンス・ツールを使って、独自の動作条件に基づいて推奨される代替品を見つけることができます。クロスレファレンス・ツールは、https://epc-co.com/epc/jp/設計サポート/gan-power-bench/クロスレファレンス検索にあります。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、 リモート・センシング技術（Lidar）リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。
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