EPCは、面積3 mm×5 mmの小型QFNパッケージに封止した耐圧100 V、オン抵抗1 mΩのGaN FETであるEPC2361を製品化し、DC-DC変換、高速充電、モーター駆動、ソーラーMPPT（最大電力点追従）に、高い電力密度を提供します。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月27日、耐圧100 V、オン抵抗1 mΩの「EPC2361」を製品したと発表しました。これは、市場で最も低いオン抵抗のGaN FETであり、当社の前世代品と比べて、電力密度が2倍になっています。
EPC2361は、表面が露出し、3 mm×5 mmと小さな実装面積の熱的に強化されたQFNパッケージに収められ、オン抵抗RDS(on)の標準値は、わずか1 mΩです。EPC2361の最大 RDS(on)×面積は15 mΩ*mm2で、同等の100 VのシリコンMOSFETの1/5以下です。
EPC2361は、この超低オン抵抗によって、電力変換システムの電力密度と効率を高め、エネルギー消費と放熱の削減につながります。このブレークスルーは、大出力PSU（電源ユニット）のAC-DC同期整流、データセンター用の高周波DC-DC変換、イーモビリティ、ロボット、ドローン向けのモーター駆動、ソーラーMPPT （最大電力点追従）などのアプリケーションにとって特に重要です。
「当社の新しい1 mΩのGaN FETは、GaN技術で可能なことの限界を押し広げ、ユーザーが、より高効率、小型で信頼性の高いパワー・エレクトロニクス・システムを構築することに貢献します」とCEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。
開発基板
開発基板のEPC90156は、GaN FETのEPC2361を搭載したハーフブリッジです。最大デバイス電圧100 Vおよび最大出力電流 65 A向けに設計されています。この基板の目的は、パワー・システム設計者の評価プロセスを簡素化し、製品の市場投入までの時間を短縮することです。この面積2インチ×2インチ（50.8 mm×50.8 mm）の基板は、最適なスイッチング特性を実現するように設計されており、簡単に評価するためのすべての重要な部品が含まれています。
米国での参考価格と入手方法
EPC2361の単価は、3000個購入時で4.60米ドルです。
開発基板EPC90156の単価は200.00ドルです。
製品は、当社の販売代理店を通して、または、当社のウエブサイトから直接注文して、入手できます。
シリコンMOSFETをGaNソリューションに置き換えることに関心のある設計者は、EPCのGaNパワー・ベンチのクロスレファレンス・ツールを使って、独自の動作条件に基づいて推奨される代替品を見つけることができます。クロスレファレンス・ツールは、https:/epc-co.com/epc/jp/設計サポート/gan-power-bench/クロスレファレンス検索
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EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、 リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星 などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。ウエブサイトはwww.epc-co.com/epc/jpです。
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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です
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Efficient Power Conversion：Renee Yawger 電話：+1.908.619.9678、電子メール：[email protected]