新製品発表、アプリケーション関連情報など、EPCからの最新ニュースと最新情報を得るために、今、登録してください。 EPCからの電子メール配信に登録する
窒化ガリウム（GaN）ベースのパワー・デバイスは、利用される中で成長する大きな可能性を秘めているので、この市場機会は、より多くの新規サプライヤを魅了し続けています。この結果として、GaN技術ベースのパワー・デバイスのメーカーのリストは、着実に拡大しています。
米How2Power誌
2013年6月
続きを読む
パッケージには、欠点があります。すなわち、抵抗やインダクタンスが余分に増えることによって、特性を劣化させると同時に、実装面積を大きくし、パワーMOSFETの価格を上昇させます。GaN HEMTにおける最善の解決策は、現在主流のシリコンとのコスト競争を可能にする1つのステップとしてパッケージを捨てることだ、とEfficient Power Conversion CorporationのAlex Lidow（アレックス・リドウ）は主張しています。
米Compound Semiconductor誌
2013年6月
続きを読む
米EEWeb Pulse誌の特別インタビューにEPC社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が登場し、GaNデバイスの幅広い採用に貢献するために越えなければならないステップは何かについて議論します。
米EEWeb Pulse誌
2013年6月
続きを読む
EPC社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）による新たな毎月のコラムの第1回は、GaNオン・シリコンのパワー・デバイスが成熟したパワーMOSFETの優れた代替品になることができるという考察が紹介されます。
米EEWeb.com誌
By: Alex Lidow
2013年6月
続きを読む
eGaN FETは、パワー・スイッチング・デバイスとして設計され、最適化されましたが、良好なRF特性も備えています。この記事は、RF特性に対する2回シリーズの第1弾で、周波数範囲200 MHz～2.5 GHzのRF特性に焦点を当てています。
著者：Michael de Rooij博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション・エンジニアリング部門エグゼクティブ・ディレクタ
Johan Strydom博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション部門バイス・プレジデント
Matthew Meiller、米Peak Gain Wireless社の社長
記事を読む
続きを読む
eGaN FET ベースのPOL（負荷点）バック・コンバータ用プリント回路基板のレイアウトを最適化することは、寄生成分を低減するので、従来のMOSFETベースの設計に比べて、効率の向上、スイッチング速度の高速化、デバイスの電圧オーバーシュートの低減につながります。
By David Reusch博士、Efficient Power Conversionのアプリケーション部門ディレクタ
記事を読む
続きを読む
著者：Alix Paultre、米PSD（Power Systems Design）誌エディトリアル・ディレクタ
日付：2013年3月12日
このポッドキャストでは、GaNデバイスと、そのパワー業界への影響について、Efficient Power Conversion（EPC）社のAlex Lidow（アレックス・リドウ）と話します。EPC社は、エンハンスメント・モード窒化ガリウム・ベースのパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPC社は、POL（負荷点）コンバータ、PoE（Power over Ethernet）、サーバーやコンピュータのDC-DCコンバータ、LED（発光ダイオード）照明、携帯電話、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、D級オーディオ・アンプなどのアプリケーションで、パワーMOSFETの置き換えとして、シリコン・パワーMOSFETよりもデバイス特性が何倍も優れているエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN®） FETを最初に製品化しました。
http://www.powersystemsdesign.com/paultre-on-power---power-gan?a=1&c=6282
続きを読む
開発基板EPC9010は、耐圧100 VのeGaN® FETであるEPC2016を用いた高周波スイッチングの電力変換システムを迅速に設計するための専用eGaNドライバを搭載しています
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年3月14日、高速DC-DC電源、POL（負荷点）コンバータ、D級オーディオ・アンプ、ハード・スイッチングの高周波回路などの用途で、耐圧100 Vのエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）の電界効果トランジスタ（FET）を使った設計を容易に始められるようにするための開発基板「EPC9010」を製品化しました。
開発基板EPC9010は、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流7 Aで、エンハンスメント・モード（eGaN）の電界効果トランジスタ（FET）であるEPC2016を搭載し、ゲート駆動回路と共にハーフブリッジを構成しています。この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータに簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載することで、eGaN FETの評価プロセスを単純化することです。
続きを読む
直流24 Vのシステムで使われるPOL（負荷点）コンバータの設計者は、伝統的に、コストが高い絶縁型コンバータと、周波数と効率が低いバック（降圧型）・コンバータとの間で決めなければなりませんでした。コンピューティング・システムにおいて一般的な12 VのPOLコンバータと比べて、より高い電圧の24 VのPOLコンバータでは、スイッチ・ノードのリンギングに対応するためにFETの電圧を少なくとも40 Vに高くするので、転流と出力容量COSSの損失が大きくなります。EPC社のeGaN FETは、出力容量を充放電するとき、QGDが非常に小さいので転流損失を低減でき、QOSSが小さいので低損失にできます。さらに、EPC社のeGaN FETのウエハー・レベル・パッケージである革新的なランド・グリッド・アレイ（LGA）は、高周波のパワー・ループとゲート駆動ループの両方ともに超低インダクタンスにできます。最も重要なのは、これらのループに共通の経路は、共通ソース・インダクタンス（CSI）として知られ、電流の転流損失の最小化に役立ちます。eGaN FETの電荷とCSIが小さいことによって、伝統的なMOSFETのように、効率を犠牲にすることなく、周波数をより高くすることで電力密度をより高められます。
David Reusch博士、アプリケーション部門ディレクタ
Stephen L. Colino、セールス＆マーケティング部門バイス・プレジデント
記事を読む
続きを読む
EPC社は、米Constant Contact社の2012 All Starとして認められる栄誉に浴しました。これは、Constant Contact社の顧客の10％だけが達成した年間認定です。顧客に貢献するために特別の努力をしている企業に授与されます。当社を支えてくれたすべての人に感謝します。当社のニュースレターをまだ受信していない方は、ここ（http://bit.ly/qr28tu）から、リストに登録してください。
続きを読む
シリコンMOSFETが可能とするよりも効率とスイッチング周波数を高くできるeGaN® FETのようなエンハンスメント・モード窒化ガリウム・ベースのパワー・デバイスの能力が、さまざまな用途で使われています。eGaN FETによって提供されるスイッチングの性能指数（FOM：figure of merit）の改善によって、高い性能を得るためには、パッケージやプリント回路基板のレイアウトの寄生成分が重要になります。この記事の最初のパートでは、スイッチング周波数1 MHz、入力電圧12 V、出力電圧1.2 V、最大出力電流20 Aで動作するeGaN FETおよびMOSFETに基づくPOL（負荷点）コンバータに対して、特性に及ぼす寄生インダクタンスの影響を検討します。
By David Reusch博士、Efficient Power Conversion社のアプリケーション部門ディレクタ
記事を読む
続きを読む
パワー・エレクトロニクス業界の会議IEEE APEC（Applied Power Electronics and Exposition Conference）2013において、EPC社のCEO（最高経営責任者）とアプリケーションのエキスパートは、GaN FETの技術とアプリケーションに関する半日セミナーや技術的なプレゼンテーションを行います。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN®）のパワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年2月25日、APEC 2013において、教育セミナーと、アプリケーションに焦点を当てた数件の技術的なプレゼンテーションを行います。この会議は、3月17日～21日に、米国カリフォルニア州ロングビーチで開催されます。
続きを読む
電力変換用途向けのGaN-on-Si技術を商用化するレースは、劇的なペースで続いています。2012年12月の時点で、20社以上の半導体ベンダーが、このレースに参加し、約7社のベンダーのグループによって主導されています。
www.bodospower.com
記事を読む
続きを読む
EPC9004は、米テキサス・インスツルメンツ社のGaN FET専用ゲート・ドライバとeGaN® FETとを組み合わせて搭載しています。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年2月5日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）電界効果トランジスタ（FET）を搭載した開発基板「EPC9004」を製品化しました。この基板は、GaN FET向けに最適化され、最近製品化されたゲート・ドライバICによって、シリコン・パワー・トランジスタから、より高性能のeGaN FETへの移行作業が、いかに簡単で費用対効果が高いかを示します。
開発基板EPC9004は、eGaN FETのEPC2012を搭載し、ピーク電圧200 Vで、最大出力電流2 Aのハーフブリッジです。EPC2012は、米テキサス・インスツルメンツ社の高速ゲート・ドライバUCC27611と組み合わせて使っているので、高周波、高性能の電源システムを設計するための時間を短縮し、複雑さを軽減します。
続きを読む
最初の決戦の記事は、eGaN® FETがシリコン・デバイスと同様に動作し、同じ基準の特性を使って評価できることを示しました。eGaN FETは、多くの基準で非常に良好な特性が得られますが、eGaN FETの「ボディ・ダイオード」の順方向電圧は、MOSFETの対応品よりも大きく、デッドタイム期間の大きな損失成分になります。ボディ・ダイオードの順方向導通損失だけが、デッドタイムに依存するすべての損失を構成するわけではありません。ダイオードの逆回復と出力容量の損失も重要です。この記事では、デッドタイム管理とデッドタイムのすべての損失を最小化する必要性について議論します。
By Johan Strydom博士、アプリケーション部門バイス・プレジデント、EPCのパワー・エレクトロニクス技術
記事を読む
続きを読む
無線充電は、2013年に、パワー・エレクトロニクス業界の急成長分野になるでしょう。主な開発は、昨年、加速し始めました。米PowerPulse誌の編集者によって選ばれた「トップ10」開発は、無線充電の重要なトレンドに焦点を当てており、これは2013年とそれ以降も続くでしょう。
EPC社は、窒化ガリウム・トランジスタの高周波スイッチング能力を利用して、高効率のワイヤレス・パワーのデモ・システムを発表しました。EPC社のeGaN® FETは、高周波、高電圧、大電力で高効率の動作が可能なので、これらのシステムに最適です。EPC社と米WiTricity社が共同開発したこのワイヤレス・パワーのデモ・システムは、6.78 MHzで動作するD級パワー・システムであり、負荷に最大15 W供給することができます。このデモ・システムの目的は、ワイヤレス・パワー技術の評価プロセスを単純化することです。このシステムは、無線エネルギー伝送でデバイスに電力を供給することを実証するために、簡単に接続することができる単一システムに、すべての重要な部品を搭載しています。
記事を読む
続きを読む