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米Peregrine Semiconductor社、世界最速のGaN FETドライバを発表

米Peregrine Semiconductor社、世界最速のGaN FETドライバを発表

GaNベースのFETは、電力変換市場を破壊し、シリコン・ベースの金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を置き換え続けています。MOSFETに比べて、GaN FETは、はるかに高速に動作し、可能な限り小さな体積で、より高いスイッチング速度を実現できます。GaNの可能性は、任意の電源のサイズと重さを劇的に削減できることです。その潜在性能を引き出すためには、この高性能GaNトランジスタに最適化されたゲート・ドライバが必要です。

米Peregrine Semiconductor社
2016年7月12日
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eGaN技術の信頼性と故障の物理のブログ3回目

eGaN技術の信頼性と故障の物理のブログ3回目

このシリーズの最初の2回では、Efficient Power Conversion(EPC)社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)FETと集積回路(IC)のフィールドにおける信頼性の実績を詳細に報告しました。ストレスに基づく品質試験で、顧客のアプリケーションにおける信頼性を確保することが可能であり、eGaNデバイスの優れたフィールド信頼性が実証されています。この回では、製品を品質認定する前に、EPC社のデバイスに実施されるストレス・テストを検討します。

米Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年7月9日
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シリコンのライバルが、米アップル社、米グーグル社、米テスラモーターズ社が注目するチップ市場に忍び寄っています

シリコンのライバルが、米アップル社、米グーグル社、米テスラモーターズ社が注目するチップ市場に忍び寄っています

シリコン・バレーという名称の元になった原料に、有望な新しいライバルが立ちはだかっています―― 窒化ガリウム(GaN)。この新参者は、300億米ドルの半導体電源市場に突入する用意が整っていると言われています。米アップル社(AAPL)のiPhoneの充電器からテスラモーターズ社(TSLA)の高級電気自動車に至るまで「壁にプラグを差し込まない」という市場です。

米Investor's Business Daily紙
2016年7月
July 2016
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EPC、現在のすべてのワイヤレス・パワー充電規格と互換性があるマルチモードの無線デモ・システムを製品化、無線充電の規格戦争は終結へ

EPC、現在のすべてのワイヤレス・パワー充電規格と互換性があるマルチモードの無線デモ・システムを製品化、無線充電の規格戦争は終結へ

eGaN®FETとICの優れた特性は、受信器で使われる標準規格によらず、機器を無線充電することができる低コストの単一送信アンプのソリューションを実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2016年6月28日、マルチモードの完全なワイヤレス・パワー充電デモ・キット「EPC9121」を製品化しました。このデモ・キットの目的は、受信ユニットで使われる任意の標準規格に対応することができるマルチモードの高効率ワイヤレス・パワー充電システム向けに、eGaN FETとICを採用したときの評価プロセスを単純化することです。

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シリコンのパイオニア、シリコンと電源コードへの葬送ラッパを吹く

シリコンのパイオニア、シリコンと電源コードへの葬送ラッパを吹く

火曜日、私は、米国カリフォルニア州エルセグンドの半導体企業EPC社の創立者であるAlex Lidow(アレックス・リドウ)と対談するという幸運に恵まれました。彼は、半導体の世界では、ちょっとした有名人です。Lidowは、1977年に、半導体売上高の何10億米ドルの基礎となったデバイス「パワーMOSFET」を思い付きました。

彼の新会社は、「Efficient Power Conversion」の頭文字をとった名称で、MOSFETの基礎となり、半導体の最も一般的な種類であるシリコンに対して、それと異なる材料である窒化ガリウム、一般的にGaNと略記されますが、これで置き換えを狙っています。Lidowは、同社が新たに改良したGaNを「eGaN」と呼んでいます。

米バロンズ紙
Tiernan Ray
2016年6月29日
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eGaN対シリコン:同期整流器においてeGaN FETとシリコンMOSFETのデッドタイム損失を比較

eGaN対シリコン:同期整流器においてeGaN FETとシリコンMOSFETのデッドタイム損失を比較

ハードスイッチ、ソフトスイッチ、高周波といった電力変換など、さまざまなアプリケーションにおいて、eGaN FETとシリコンMOSFETとの比較がいくつか実施されています。これらの比較は、シリコンMOSFETを上回る高効率と高電力密度が得られるというeGaN FETの優位性を示しています。ここでは、同期整流器(SR)のアプリケーションへのeGaN FETの利用、およびデッドタイム管理の重要性に焦点を当てます。eGaN FETは、低オン抵抗RDS(on)で低電荷というメリットだけでなく、同期整流器におけるデッドタイムによる損失を劇的に低減できることを示します。

米Power Systems Design誌
By: John Glaser博士、David Reusch博士、Efficient Power Conversion
2016年6月13日
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窒化ガリウム半導体に関する米レイセオン社の仕事は、レーダーを超えて広がりました

窒化ガリウム半導体に関する米レイセオン社の仕事は、レーダーを超えて広がりました

米国マサチューセッツ州アンドーバー発:米レイセオン社のIntegrated Air Defense Centerの正面玄関に非常に大きなマイクロ波電子機器があり、これが電子レンジの元祖として使われたことを思い出します。レイセオン社のエンジニアは、同社が開発していたレーダー・システムで使われたマグネトロンの近くに立っていたとき、彼のキャンディー・バーが溶けてしまうことを発見しました。その後、今日、どの家庭のキッチンにもある機器が発明されました。ほぼ冷蔵庫サイズの電子レンジの元祖は、金属の暖炉の内に置かれたものは何でも、とてもよく調理できたように見えます。これは、マグネトロンからのマイクロ波を包むように意図されました。

米Ars Technica
2016年6月9日
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米デル社が無線充電機能を搭載したノート・パソコンを準備している一方で、米インテル社はその開発から撤退しています

米デル社が無線充電機能を搭載したノート・パソコンを準備している一方で、米インテル社はその開発から撤退しています

この半導体チップの巨人の幹部たちは、この企業がパソコンから離れて旋回するように、AirFuelアライアンスを去ろうとしていますが、米WiTricity社は、コンピュータ関連の展示会Computexで無線充電マットを使う米デル社のノート・パソコンを披露しました。

米ZDNet
Sean Portnoy
2016年6月8日
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米インテル社、無線充電の開発を中止

米インテル社、無線充電の開発を中止

この3年間、米インテル社は、新しいパソコンが完全に無線化されるのは確実として、次の大きな購買サイクルのパソコン需要に向けてかき立てられています。インテル社のシニアPC幹部であるKirk Skaugen氏は、「私たちは、たくさんの電線を持ち歩いています。電話、タブレット、パソコンに対して6本のケーブルを持ち歩いています。これらのすべてのケーブルを排除したい」とコンピュータ関連の展示会Computex Taipei 2015で語りました。

米Forbes誌
Elise Ackerman
2016年6月6日
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チップスケール・パッケージ封止の窒化ガリウム・トランジスタで熱特性を改善

チップスケール・パッケージ封止の窒化ガリウム・トランジスタで熱特性を改善

より高い電力密度を要求するパワー・コンバータでは、トランジスタは、永遠に削減され続けている基板スペースに収容されなければなりません。電気的な効率を改善するための窒化ガリウム・ベースのパワー・トランジスタの能力に加えて、熱的な効率もより高めなければなりません。この記事では、チップスケール・パッケージ封止のeGaN® FETの熱特性を評価し、回路内での電気的および熱的特性を最先端のシリコンMOSFETと比較します。

Bodo’s Power Systems誌
David Reusch博士、Alex Lidow博士
2016年6月1日
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GaNパワー・デバイスの採用で新機軸、PCIM Europeのポディウム・セッションで

GaNパワー・デバイスの採用で新機軸、PCIM Europeのポディウム・セッションで

先行している代表的なGaNパワー・メーカー(EPC社、米トランスフォーム社、カナダGaN Systems社、独インフィニオン社、米Navitas社)は、主流の量産アプリケーションに技術を移行させるときに重要な開発の詳細を発表しました。この5社の講演で発表された情報に基づいて、GaNパワー・デバイスの採用が劇的に拡大すると期待される3つの大きな理由があります。

Bodo’s Power Systems誌
2016年6月1日
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米インターシル社、衛星用途向け窒化ガリウム電力変換ICで市場をリードする耐放射線ポートフォリオを拡張

米インターシル社、衛星用途向け窒化ガリウム電力変換ICで市場をリードする耐放射線ポートフォリオを拡張

カリフォルニア州ミルピタス発のPRNewswire:革新的なパワー・マネージメント(電源管理)と高精度アナログ・ソリューションのリーディング・プロバイダである米インターシル社(NASDAQ:ISIL)は本日、衛星や他の過酷な環境のアプリケーション向けに、窒化ガリウム(GaN)の電力変換ICを含めた市場をリードする耐放射線ポートフォリオを拡張する計画を発表しました。

米PR Newswire誌
2016年5月25日
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実際に破壊の準備が整った5つの産業

実際に破壊の準備が整った5つの産業

スマートなウエアラブルやノート・パソコンからハンドヘルド・ツールや電気自動車まで――すべての電子製品を改善するための1番の障壁は、充電池技術です。現在の最先端の充電池であるリチウムイオンは、25年前から出回っています。ハイテクが進んでいますが、これは、かなり古いものです。何か新しいものが出てくる時期だと思いませんか?

米Fortune誌
Steve Tobak
2016年5月13日
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eGaN技術の信頼性と故障の物理:eGaNのフィールド信頼性を試験

eGaN技術の信頼性と故障の物理:eGaNのフィールド信頼性を試験

Efficient Power Conversion(EPC)社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)のFETと集積回路(IC)は、LiDAR(光による検出と距離の測定)、無線充電、DC-DC変換、RF基地局の送信、衛星システム、オーディオ・アンプなどの多くの最終ユーザーのアプリケーションへの道筋を見つけています。

フィールドの信頼性は、顧客のアプリケーションに採用されているeGaN® FETとICの品質レベルを裏付ける究極の評価基準です。最初の採用については、量産出荷の6年間、および全体で170億デバイス時間以上の記録を含めて、eGaN FETのフィールド信頼性の概要を公表しました。その後の計算された故障件数(FIT:109時間の故障数)が約0.24 FITだったことは、これまでの優れたフィールド信頼性特性を示しています。

米Plant Analog誌
Chris Jakubiec
2016年5月1日
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GaNはどこに行くのですか? 産業用途と民生用途においてゲームを変えるGaN技術に関する6本のビデオをEPC社が公開

GaNはどこに行くのですか? 産業用途と民生用途においてゲームを変えるGaN技術に関する6本のビデオをEPC社が公開

Efficient Power Conversion社の業界のエキスパートたちによって制作された窒化ガリウムのトランジスタと集積回路を使ったワイヤレス・パワー伝送、48 Vから1 Vへの1段のDC-DC変換、4G/ LTEの基地局向け包絡線追跡など、沸いている最終用途を紹介する6本のビデオを公開しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2016年4月26日、eGaN® FETとICを使った最終顧客のアプリケーションを紹介する6本の短いビデオを制作し、自社のウエブサイト(www.epc-co.com)で公開しました。このビデオは、GaN技術が、私たちの生き方をどのように変えるか、および、次世代電源システムの設計に高性能な窒化ガリウムのFETとICを組み込むための電源システム設計技術者の課題を説明しています。

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Efficient Power Conversion(EPC)、ウエブ・ベースの新しいGaN製品セレクタガイドを公開、高性能電力変換システム向け製品の選択を単純化

Efficient Power Conversion(EPC)、ウエブ・ベースの新しいGaN製品セレクタガイドを公開、高性能電力変換システム向け製品の選択を単純化

電力変換向けの最先端のGaNトランジスタやICを使う設計者は、所望の電力変換システム向けに、可能な限り最高のGaNソリューションを検索するためのウエブ・ベースの対話型パラメトリック選択ツールを使えるようになります。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2016年4月20日、EPC社のウエブサイトepc-co.com上に、ユーザーが制御するGaN製品セレクタ検索ツールを公開したと発表しました。 EPC社の顧客とのやり取りの経験に基づいたこのウエブ・ベースの製品セレクタガイドは、以下の電源システムの設計エンジニアに提供されます。

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効率改善のためのデータセンターの次世代電源ソリューション

効率改善のためのデータセンターの次世代電源ソリューション

クロード・シャノンが1と0、すなわち基本的な2進数に情報の伝達を削減し、1948年に『通信の数学的理論』を書いたとき、すべてが始まりました。その理論は、現実世界の雑音に満ちた環境で誤りなしにデータを伝送する能力につながりました。シャノンは、2016年4月30日に100歳になっていたでしょう。

米EDN Network誌
Steve Taranovich
2016年4月16日
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米Freebird Semiconductor社とEPC社、衛星や過酷な環境の用途向けに耐放射線特性を強化した窒化ガリウムの電力変換システムの開発で協業

米Freebird Semiconductor社とEPC社、衛星や過酷な環境の用途向けに耐放射線特性を強化した窒化ガリウムの電力変換システムの開発で協業

Freebird Semiconductor社とEfficient Power Conversion(EPC)社は、eGaN®のパワー・トランジスタや集積回路を利用して、Freebird社が宇宙や過酷な環境の用途で信頼性高く使える製品を開発することで合意しました。

米Freebird Semiconductor社(本社:マサチューセッツ州ノース・アンドーバー)は2016年4月14日、エンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー・トランジスタのリーディング・プロバイダであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)と、EPC社のeGaN®技術を利用して、宇宙や過酷な環境の用途で信頼性高く使用できる製品を開発するための契約を締結したと発表しました。

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WiGaN:eGaN FETを利用した低コスト、差動モードのワイヤレス・パワーE級アンプ

WiGaN:eGaN FETを利用した低コスト、差動モードのワイヤレス・パワーE級アンプ

WiGaNのこの記事では、6.78 MHz、疎結合の共振ワイヤレス・パワーのアプリケーション向けの差動モードE級アンプを紹介します。ここでは、実装面積が小さく(0.9 mm×0.9 mm)、論理ゲートを直接駆動できるeGaN® FET(EPC2037)を使っています。このアンプは、AirFuel™クラス2と互換性があり、インピーダンス範囲70jΩにわたって最大6.5 Wまでの負荷電力を供給可能です。

米EEWeb誌のWireless & RF Magazine
Yuanzhe Zhang博士、アプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタ
Michael de Rooij博士、アプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント
2016年4月12日
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GaN回路は、無線充電のために何ができますか

GaN回路は、無線充電のために何ができますか

この短いビデオで、EPC社のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、GaN FETが、ドローンなどのさまざまな輸送機関の無線充電を可能にする理由を説明します。GaN FETを用いた無線充電回路は、通常のシリコンFETでは実現できないスイッチング周波数である13.56 MHzで動作します。しかも、利用したGaNトランジスタは、同じ電力レベルを扱うことができるシリコン・デバイスの大きさと比べて1/5〜1/10と小型です。

米Design World誌
2016年4月11日
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