消費者は、好きなときに、好きな場所へ、ワイヤレスで行くことができるようにしたいと思っています。タブレット端末、携帯電話、ノート・パソコン、自動車などとテレビをシームレスに同期させたいと思っています。すべての通信、情報、エンターテインメントを、高解像度でいつでも、すぐに利用したいと思っています。ここにきて、自動車産業は、このトレンドに目を付けており、完全に移動性のあるライフスタイルの将来ビジョンを示し始めています2。

消費者は、電池が切れる心配もしたくありませんし、空港で空いているコンセントを探し回りたくもありません。この縛られない生活を「モビリティ・インペラティブ」と呼び、これが消費者向け製品のイノベーションを牽引し、そして、シリコン・ベースの半導体技術を限界に近づけています。

Nikkei Business Publications
2015年7月10日
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最新の窒化ガリウムの技術は、ワイヤレス・パワー伝送のアプリケーション開発を推進しています。特に、標準化団体の A4WPとPMAが合併した直後の時期なので、エンジニアの関心を集めています。このインタビューは、GaNデバイスの差異、コストの低減、最新デバイスの革新、高速で小型のデバイス動作、熱管理、どのようにGaNの市場がシリコンの市場を上回るのか、窒化ガリウム技術開発の将来展望など、半導体業界によるGaNデバイスの採用拡大への質問に答えるという形で、さまざまな興味深い領域を網羅しています。

中国Power System Design China誌
2015年6月24日
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拡大する産業が活況を呈している場合、通常、買収や統合のレースは、一般的に反対側の反映です ―― 成熟における緩やかな成長期は、しばしば、いったん高度飛行の領域になります。多くの産業は、スターダムの期間を経験し、急で着実な降下へと続きます。一方で、私たちの社会経済の活力に対する中心的な基幹産業でこれが発生した場合、私たちは非常に懸念すべきです。

米フォーブス誌
2015年6月26日
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窒化ガリウムを活用するための努力は、シリコン・ベースの半導体チップによって改善が遅れていた技術的および経済的な要因に部分的に応えます。企業は、まだシリコンに小さいトランジスタを形成する方法を探っていますが、コストや消費電力の削減を達成することが、ますます難しくなってきています。しかし、窒化ガリウム回路は、オンとオフのスイッチングが、シリコンよりもはるかに高速で、より高い電圧を扱うことができます、とEPC社のCEO （最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。特に、電力変換を伴う仕事には、最適な材料を言えます。

米ウォール・ストリート・ジャーナル誌
2015年6月22日
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電力変換には、さまざまな電気機器を機能させるために、電気をある形態から別の形態に変換する非常に小型のデバイスを生み出す必要があります。今までは、シリコンが、電力変換処理の好ましい媒体となっていましたが、その効果の限界に達するにつれ、新しい材料への関心が高まってきています。

米Los Angeles Business Journal誌
2015年6月21日
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EPC社のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、PCIM2015において、経口できるX線ピルや、この他のGaNが可能にした機器を紹介します。

米Power Systems Design誌
2015年3月19日
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EPC社のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、APEC2015でGaNが可能にした最新のワイヤレス・パワー技術を紹介します。

米Power Systems Design誌
2015年3月19日
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ZVSのD級またはE級のアンプを使って共振動作をするとき、eGaN^®FETは、疎結合のワイヤレス・パワー伝送のソリューションにおいて、高い効率が得られることを以前に示しました。ただし、実際のワイヤレス・パワー・システムは、システムの利便性の要素に対処する必要があり、この結果、負荷や結合の変化に従って、共振から大きく離れることができる反射コイル・インピーダンスになります。これらのシステムは、依然として負荷に電力を供給する必要があるので、アンプは、広いインピーダンス範囲にわたってこのコイルを駆動しなければなりません。A4WPクラス3などの規格は、利便性の要素に対処するためにコイルの広いインピーダンス範囲を規定しており、アンプの特性を比較するための出発点として使うことができます。ZVSのD級やE級のアンプへのこの実装は、固有の動作範囲の制限を決めるために、インピーダンス範囲を縮小したA4WPクラス3規格に対して6.78 MHzでテストされるでしょう。デバイスの温度や電圧の制限などの要素が、各アンプが駆動することができる負荷インピーダンスの範囲の境界を決定するでしょう。

中国のBodos China誌
2015年6月
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eGaN^®パワー・トランジスタは、電力変換特性のバーを上げ続けています。低いオン抵抗、低い容量、大電流、および優れた熱特性によって、高い電力密度のコンバータを実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年5月28日、電力変換特性のバーを上げるeGaN FETを2品種発売しました。2品種とも最大動作温度は150℃で、パルス電流能力は200 A（耐圧150 Vの「EPC2033」）と140 A（200 Vの「EPC2034」）です。用途は、DC-DCコンバータ、DC-DCコンバータやAC- DCコンバータの同期整流、モーター駆動、LED（発光ダイオード）照明、産業用オートメーションなどです。

米Integrated Device Technology（IDT^®）社（NASDAQ：IDTI）は本日、高速、高効率で広く知られている半導体材料である窒化ガリウム（GaN）に基づく技術を開発するために、Efficient Power Conversion（EPC）社との協業を発表しました。この協業の下で、両社は、業界をリードするIDT社のソリューションとEPC社のeGaN^®技術の統合について検討します。

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新しいeGaN^®パワー・トランジスタは、成熟した製造プロセスや組み立てラインとの互換性を強化し、大量生産が容易な高性能でワイド・ピッチのチップスケール・パッケージに収めたEPC社のパワー・トランジスタのポートフォリオを拡張します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年5月21日、ワイド・ピッチの接続レイアウトで設計したeGaN FETを3品種発売しました。これらの製品は、はんだボール・ピッチを1mmに広くしたことが特徴で、EPC社の「リラックス・ピッチ」のデバイス・ファミリーの拡張です。このワイド・ピッチは、実装面積が2.6mm×4.6mmと非常に小さいにもかかわらず、高い電流処理能力を可能にするために、デバイスの下により大きなビアを追加して配置することができます。

先週、米国カリフォルニア州エルセグンドに本拠を置くEfficient Power Conversion社は、窒化ガリウムで作ったパワー・トランジスタ2品種を製品化し、シリコンの対応品よりも安価であると発表しました。「シリコンに比べて、本当に高性能で低コストなデバイスは、これが初めてです」とCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。さらに、「窒化ガリウムは、聖火を受け取り、今、それを持って走っています」とも語りました

IEEE Spectrum誌
May 8, 2015
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EPC社の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidowが、優れた性能、小型化、高い信頼性、低価格であるeGaN FETの新しいファミリーについて、米Power Systems Design誌のAlix Palutre氏に語りました。この内容は、シリコンMOSFETの代替品として、GaNトランジスタが普及するための最後の壁が崩壊していることます。

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米Power Systems Design誌
2015年4月29日

eGaN^®パワー・トランジスタの新しいファミリーは、優れた性能、小型化、高い信頼性を提供します――しかもMOSFETの価格で。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年4月29日、シリコンの性能を上回ると同時に、価格で競合できるように設計したeGaNパワー・トランジスタ2品種（耐圧60 Vの「EPC2035」と耐圧100 Vの「EPC2036」）を発売しました。価格、すなわち、シリコンMOSFETの代替品として、GaNトランジスタ普及への最後の壁が崩壊しました。これらの製品は、窒化ガリウムが、シリコン半導体を置き換えることが可能で、この業界がムーアの法則の成長曲線に戻ることに貢献できることを実証しています。

Efficient Power Conversion社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、ムーアの法則の寿命を延ばすために、ライフワークとなる仕事をしています。どうして？　米インテル社などが見つけたように、かなり天井に近づいてきているシリコンに依存している伝統的なチップ技術では、誰かが、その材料が許す限り安価で強力なシリコン・チップを作ろうとしています。Lidowは、多くの方法でシリコンよりも優れている半導体材料を見つけたと語っています。それが窒化ガリウム（GaN）です。実験室でも、実用でも、GaNチップは、利用した多くの事例でシリコンを上回り、製造もより安価で、より弾力性があり、より少ない保護要素で済むと同時に、シリコン・チップを作るために必要なインフラで形成できます。

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米PandoDaily誌
2015年4月21日

「ムーアの法則は、新しい素材について何かにモーフィング（ある物体から別の物体へと自然に変形する映像をみせること）しています」と半導体業界に長く身を置き、Efficient Power Conversion（EPC）社のCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。EPC社は、電子のより良い導電体である窒化ガリウム（GaN）を、シリコンとの置き換えが可能なレベルにし、シリコンを上回る特性と電力効率のメリットを提供しています、とも語りました。GaNは、すでに電力変換と無線通信に使われており、いつかデジタル・チップへの道をたどることができます。「60年ぶりに初めて、小型化というよりも、優れた材料としての有力な候補になります」と語っています。

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米Network World誌
2015年4月17日

ムーアの予測は、自己達成的予言となりました。チップの計算能力は、24カ月ごとに2倍になっただけでなく、24カ月ごとに2倍にならなければならなくなり、ハイテク産業、そして経済全体は、悲惨な結末に苦しみ、イノベーションと経済の発展を抑圧しています。

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米re/code誌
Alex Lidow
2015年4月17日

チップの進歩は、次々と起こる技術革新の原動力となっています――パソコン、インターネット、スマートフォン、スマートウォッチ、そして、すぐに自動運転車。III-V族の材料に未来を賭けている1つの企業がEfficient Power Conversion社で、最高経営責任者（CEO）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が率いる34人のスタートアップ企業です。EPC社は、すでに窒化ガリウム（GaN）で作ったIII-V族の層を組み込んだデバイスからの収益で安定に成長しています。2016年か2017年には、コンピュータ・プロセッサで思考を行う論理回路として動作するように、窒化ガリウムの製造プロセスを対応させようとしています。窒化ガリウムの電気的特性のため、従来のシリコンを超えて、「すぐに、何1000倍もの潜在的な改善を実現できます」とも語っています。

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米CNET.com誌
2015年4月17日

この新しい耐圧100 VのハーフブリッジEPC2104によって、EPC2104を使う完全なバック（降圧型）・コンバータのシステム効率は、48 Vから12 Vに変換するときに、スイッチング周波数300 kHz、22 A出力で97％以上、500 kHz、22 Aで97％弱が得られます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年4月16日、耐圧100 Vのエンハンスメント・モードGaNトランジスタのモノリシック・ハーフブリッジ「EPC2104」を発売しました。2個のeGaN^®パワーFETを単一のデバイスに集積することによって、相互接続インダクタンスとプリント回路基板上に必要になるスペースを削減できるので、トランジスタによって占有される基板面積を半分に減らすことができます。さらに、エンド・ユーザーの電力変換システムの組み立てコストを削減できると同時に、（特により高い周波数において）効率を改善し、出力密度を高められます。

新しいGaNパワー・トランジスタEPC2029は、大量生産を容易にするために、より広いピッチのチップスケール・パッケージに封止した高性能な製品で、EPC社のパワー・トランジスタのポートフォリオを拡張します。成熟した製造プロセス、および組み立てラインとの互換性を重視しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年4月13日、より広いピッチの接続レイアウトで設計されたeGaN^® FETを発売しました。「リラックス・ピッチ」・デバイスの新しいファミリーの最初の製品である「EPC2029」は、耐圧80 V、最大電流31 AのeGaN FETで、はんだボール・ピッチを1 mmに広げたことが特徴です。ピッチを広げたことによって、デバイスの下に、より大きな追加のビアを配置できるので、非常に小さい実装面積（2.6 mm×4.6 mm）にもかかわらず、大電流を処理することが可能になります。