eGaN^®パワー・トランジスタは、電力変換特性のバーを上げ続けています。低いオン抵抗、低い容量、大電流、および優れた熱特性によって、高い電力密度のコンバータを実現できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年5月28日、電力変換特性のバーを上げるeGaN FETを2品種発売しました。2品種とも最大動作温度は150℃で、パルス電流能力は200 A（耐圧150 Vの「EPC2033」）と140 A（200 Vの「EPC2034」）です。用途は、DC-DCコンバータ、DC-DCコンバータやAC- DCコンバータの同期整流、モーター駆動、LED（発光ダイオード）照明、産業用オートメーションなどです。

米Integrated Device Technology（IDT^®）社（NASDAQ：IDTI）は本日、高速、高効率で広く知られている半導体材料である窒化ガリウム（GaN）に基づく技術を開発するために、Efficient Power Conversion（EPC）社との協業を発表しました。この協業の下で、両社は、業界をリードするIDT社のソリューションとEPC社のeGaN^®技術の統合について検討します。

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新しいeGaN^®パワー・トランジスタは、成熟した製造プロセスや組み立てラインとの互換性を強化し、大量生産が容易な高性能でワイド・ピッチのチップスケール・パッケージに収めたEPC社のパワー・トランジスタのポートフォリオを拡張します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年5月21日、ワイド・ピッチの接続レイアウトで設計したeGaN FETを3品種発売しました。これらの製品は、はんだボール・ピッチを1mmに広くしたことが特徴で、EPC社の「リラックス・ピッチ」のデバイス・ファミリーの拡張です。このワイド・ピッチは、実装面積が2.6mm×4.6mmと非常に小さいにもかかわらず、高い電流処理能力を可能にするために、デバイスの下により大きなビアを追加して配置することができます。

先週、米国カリフォルニア州エルセグンドに本拠を置くEfficient Power Conversion社は、窒化ガリウムで作ったパワー・トランジスタ2品種を製品化し、シリコンの対応品よりも安価であると発表しました。「シリコンに比べて、本当に高性能で低コストなデバイスは、これが初めてです」とCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。さらに、「窒化ガリウムは、聖火を受け取り、今、それを持って走っています」とも語りました

IEEE Spectrum誌
May 8, 2015
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EPC社の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidowが、優れた性能、小型化、高い信頼性、低価格であるeGaN FETの新しいファミリーについて、米Power Systems Design誌のAlix Palutre氏に語りました。この内容は、シリコンMOSFETの代替品として、GaNトランジスタが普及するための最後の壁が崩壊していることます。

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米Power Systems Design誌
2015年4月29日

eGaN^®パワー・トランジスタの新しいファミリーは、優れた性能、小型化、高い信頼性を提供します――しかもMOSFETの価格で。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年4月29日、シリコンの性能を上回ると同時に、価格で競合できるように設計したeGaNパワー・トランジスタ2品種（耐圧60 Vの「EPC2035」と耐圧100 Vの「EPC2036」）を発売しました。価格、すなわち、シリコンMOSFETの代替品として、GaNトランジスタ普及への最後の壁が崩壊しました。これらの製品は、窒化ガリウムが、シリコン半導体を置き換えることが可能で、この業界がムーアの法則の成長曲線に戻ることに貢献できることを実証しています。

Efficient Power Conversion社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、ムーアの法則の寿命を延ばすために、ライフワークとなる仕事をしています。どうして？　米インテル社などが見つけたように、かなり天井に近づいてきているシリコンに依存している伝統的なチップ技術では、誰かが、その材料が許す限り安価で強力なシリコン・チップを作ろうとしています。Lidowは、多くの方法でシリコンよりも優れている半導体材料を見つけたと語っています。それが窒化ガリウム（GaN）です。実験室でも、実用でも、GaNチップは、利用した多くの事例でシリコンを上回り、製造もより安価で、より弾力性があり、より少ない保護要素で済むと同時に、シリコン・チップを作るために必要なインフラで形成できます。

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米PandoDaily誌
2015年4月21日

「ムーアの法則は、新しい素材について何かにモーフィング（ある物体から別の物体へと自然に変形する映像をみせること）しています」と半導体業界に長く身を置き、Efficient Power Conversion（EPC）社のCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。EPC社は、電子のより良い導電体である窒化ガリウム（GaN）を、シリコンとの置き換えが可能なレベルにし、シリコンを上回る特性と電力効率のメリットを提供しています、とも語りました。GaNは、すでに電力変換と無線通信に使われており、いつかデジタル・チップへの道をたどることができます。「60年ぶりに初めて、小型化というよりも、優れた材料としての有力な候補になります」と語っています。

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米Network World誌
2015年4月17日

ムーアの予測は、自己達成的予言となりました。チップの計算能力は、24カ月ごとに2倍になっただけでなく、24カ月ごとに2倍にならなければならなくなり、ハイテク産業、そして経済全体は、悲惨な結末に苦しみ、イノベーションと経済の発展を抑圧しています。

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米re/code誌
Alex Lidow
2015年4月17日

チップの進歩は、次々と起こる技術革新の原動力となっています――パソコン、インターネット、スマートフォン、スマートウォッチ、そして、すぐに自動運転車。III-V族の材料に未来を賭けている1つの企業がEfficient Power Conversion社で、最高経営責任者（CEO）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が率いる34人のスタートアップ企業です。EPC社は、すでに窒化ガリウム（GaN）で作ったIII-V族の層を組み込んだデバイスからの収益で安定に成長しています。2016年か2017年には、コンピュータ・プロセッサで思考を行う論理回路として動作するように、窒化ガリウムの製造プロセスを対応させようとしています。窒化ガリウムの電気的特性のため、従来のシリコンを超えて、「すぐに、何1000倍もの潜在的な改善を実現できます」とも語っています。

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米CNET.com誌
2015年4月17日

この新しい耐圧100 VのハーフブリッジEPC2104によって、EPC2104を使う完全なバック（降圧型）・コンバータのシステム効率は、48 Vから12 Vに変換するときに、スイッチング周波数300 kHz、22 A出力で97％以上、500 kHz、22 Aで97％弱が得られます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年4月16日、耐圧100 Vのエンハンスメント・モードGaNトランジスタのモノリシック・ハーフブリッジ「EPC2104」を発売しました。2個のeGaN^®パワーFETを単一のデバイスに集積することによって、相互接続インダクタンスとプリント回路基板上に必要になるスペースを削減できるので、トランジスタによって占有される基板面積を半分に減らすことができます。さらに、エンド・ユーザーの電力変換システムの組み立てコストを削減できると同時に、（特により高い周波数において）効率を改善し、出力密度を高められます。

新しいGaNパワー・トランジスタEPC2029は、大量生産を容易にするために、より広いピッチのチップスケール・パッケージに封止した高性能な製品で、EPC社のパワー・トランジスタのポートフォリオを拡張します。成熟した製造プロセス、および組み立てラインとの互換性を重視しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年4月13日、より広いピッチの接続レイアウトで設計されたeGaN^® FETを発売しました。「リラックス・ピッチ」・デバイスの新しいファミリーの最初の製品である「EPC2029」は、耐圧80 V、最大電流31 AのeGaN FETで、はんだボール・ピッチを1 mmに広げたことが特徴です。ピッチを広げたことによって、デバイスの下に、より大きな追加のビアを配置できるので、非常に小さい実装面積（2.6 mm×4.6 mm）にもかかわらず、大電流を処理することが可能になります。

米VentureBeat誌のDean Takahashi氏がAlex Lidow（アレックス・リドウ）を紹介：シリコン・チップは、現代のエレクトロニクスの基盤として数10年の長きにわたって利用されています。しかし、化合物材料の窒化ガリウム（GaN）に基づく新しい種類のチップは、高性能、低消費電力、低コストなので、シリコンの座を奪うとみられています。

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米VentureBeat誌
2015年4月2日

評価基板DrGaNPLUSファミリーのEPC9201（30 V、40 A）とEPC9203（80 V、20A）は、高速スイッチング可能なeGaN®パワー・トランジスタを使って得られる非常に小型で高効率の電力変換を実証します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年3月17日、電源システムの設計者が窒化ガリウム・トランジスタの比類のない特性を評価し、その製品を迅速に大量生産するための使いやすい方法を提供する評価基板DrGaNPLUSのポートフォリオを拡大しました。これらの基板は、GaNトランジスタの電力変換ソリューションの優れた特性を実証するために、簡単に実装することができる極めて小型の単一プリント回路基板モジュールに、ハーフブリッジ回路に必要なすべての部品を統合した概念実証設計です。

DC-DCバス・コンバータEPC9115によって、完全に安定化された絶縁型1/8ブリックDC-DCコンバータの回路構成において、所定のドライバとeGaN FETを使って得られる優れた特性を確認できます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年3月15日、入力電圧範囲48 V〜60 Vで12 V、42 A出力のデモ・ボード「EPC9115」を製品化しました。エンハンスメント・モード（eGaN®）のパワー・トランジスタであるEPC2020（耐圧60 V）とEPC2021（耐圧80V）、および、米テキサス・インスツルメンツ社のハーフブリッジ・ドライバLM5113とローサイド・ドライバUCC27611を搭載しています。このパワー段は、従来のハード・スイッチングで300 kHzの絶縁型バック（降圧型）・コンバータです。

Wireless Power Handbookは、ワイヤレス・パワー伝送システム向けの高効率アンプを設計するためのガイドブックで、窒化ガリウム・パワー・トランジスタの優れた性能を活用することができます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年3月12日、窒化ガリウムに基づくトランジスタを用いた高効率ワイヤレス・パワー・システムの理解と設計に重要な参照ポイントと貴重な経験を電源システムの設計エンジニアに提供するために執筆した実用的な工学ハンドブックを出版しました。EPC社の書籍『GaN Transistors for Efficient Power Conversion』の補足として、この新しい実用的なガイドブックは、ワイヤレス・パワー伝送へのGaNトランジスタの採用に関するステップ・バイ・ステップの分析を提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）トランジスタは、5年以上も前から市販されています。市販のGaN FETは、最先端のシリコン・ベースのパワーMOSFETよりも、より高性能でより低コストになるように設計されています。この成果は、あらゆる技術が、性能とコストの両方に関してシリコンと対抗してきた60年の歴史で初めてのことであり、これは、尊敬に値するが成熟しているパワーMOSFETの究極の置き換えとなる兆しです。

米EDN誌
Alex Lidow
2015年2月18日

パワー・エレクトロニクス業界の会議IEEE APEC（Applied Power Electronics and Exposition Conference）2015において、EPC社のアプリケーションのエキスパートは、シリコン・パワーMOSFETに比べたときのGaNトランジスタの優位性を示すGaN FETの技術とアプリケーションに関して8件の技術的なプレゼンテーションを行います。

EPC社の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、シリコンに対する超高効率な代替品の開発に自身のキャリアの大半を費やしてきました。ブルームバーグTVのインタビューを聞く。

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米ブルームバーグTV
2015年2月17日

金融情報サービス大手の米ブルームバーグ・ビジネスのAshlee Vance氏がEPC社を分析。シリコンは、いくつかの大きな耐久力を享受してきました。60年にわたって、トランジスタ、すなわち、情報化時代を駆動した小さなスイッチの心臓部で選ばれてきた半導体でした。バレーは、それにちなんで命名されました。数10億ドル規模の大国は、そこから作り出されています。そして今、向うを見ると、シリコンは、最終的に置き換えられる瀬戸際にきているかもしれません。