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GaNの力と進化、パート6:GaN技術の採用とロードマップ

GaNの力と進化、パート6:GaN技術の採用とロードマップ

この連載の最後の記事では、GaNがシリコンを置き換えるための要件をどのように満たしているかを調べます。GaNの採用率が爆発的に拡大するにつれて、GaNは、わずか数年の短い間に多くの進歩を遂げましたが、それでもまだ理論的な性能限界にはほど遠いので、引き続き達成できる大きな改善があることを忘れないでくださいことが大切です。やがて、GaNオン・シリコンの性能およびコスト上の利点によって、現在、シリコン・ベースのデバイスを使っている大部分の用途において、より小型、より高速、より安価、より高信頼性のGaN技術に変換されることになるでしょう。

米Power Systems Design誌
2019年2月
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Efficient Power Conversion(EPC)、10本目の信頼性レポートを公表、窒化ガリウム・デバイスに対する自動車用AEC-Q101認定を超えた試験を強調

Efficient Power Conversion(EPC)、10本目の信頼性レポートを公表、窒化ガリウム・デバイスに対する自動車用AEC-Q101認定を超えた試験を強調

EPCのフェーズ10信頼性レポートは、これまで9本のレポートで公開された拡大する知識ベースに追加されます。このレポートで、EPCは、3万個以上の部品で合計1800万時間以上のストレス試験を実施し、不具合がないことを示しました。何100万個もの部品を出荷しているにもかかわらず、2年以上にわたって現場での不具合はありませんでした。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年2月26日、自動車品質のAEC-Q101認定の取得に成功した試験結果を文書化したフェーズ10信頼性レポートを発表しました。AEC-Q101では、パワーFETに対して最高レベルの信頼性規格を要求し、データシートにおいて不具合がないだけでなく、ストレス試験中のパラメータのドリフトが小さいことも要求します。注目すべきは、EPCのWLCSパッケージ(ウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ)が従来のパッケージ部品用に作成されたすべての同じ試験規格に合格していることです。これは、チップスケール・パッケージの優れた性能が耐久性や信頼性を損なわないことを実証しています。

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Efficient Power Conversion(EPC)、メーカーから最終ユーザーまでの全パワーGaN業界を網羅する初開催の会議「GaN Con」を仏Yole Développement(Yole)やSEMIと共に後援へ

Efficient Power Conversion(EPC)、メーカーから最終ユーザーまでの全パワーGaN業界を網羅する初開催の会議「GaN Con」を仏Yole Développement(Yole)やSEMIと共に後援へ

この会議では、GaNの市場と技術の現状が取り上げられ、設計者、メーカー、そして最終ユーザーの展望を総括し、その将来の進展を議論します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年1月30日、半導体市場調査企業の仏Yole Développement (Yole)および米国の半導体製造装置材料協会SEMIと協力して、メーカーから最終ユーザーまでの全パワーGaN産業を網羅する初開催の業界ネットワーキング・イベント「GaN Con」を後援すると発表しました。GaN Conのテーマは、「パワーGaN:期待から市場爆発の可能性へ」であり、新たに出現したGaN市場とその基盤となる技術の最先端に焦点を当てています。

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GaNの力と進化、パート5:eGaN FETとICを搭載した低コスト、高効率の12 V入力、1 V出力の POLコンバータの構築

GaNの力と進化、パート5:eGaN FETとICを搭載した低コスト、高効率の12 V入力、1 V出力の POLコンバータの構築

GaNデバイスが性能に貢献する例として、主流のアプリケーションの1つであり、伝統的なシリコンの用途である12 V入力、1 V出力のPOL(負荷点) DC / DCコンバータを検討します。全体で1 W当たり0.20米ドル以下のコスト、電力密度が少なくとも1000 W / 立方インチで、5 MHzにおいてピーク効率78%を実現する12 V入力、1 V、12 A出力のeGaN ICベースのコンバータを紹介します。

米Power Systems Design誌
2019年1月
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なぜGaNに向かうのか?

なぜGaNに向かうのか?

GaN技術は、伝統的なシリコン技術に挑戦することができる地点まで成熟してきました。窒化ガリウム(GaN)・オン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスは、2010年に製品化されて以来、多くの新しいアプリケーションを実現可能にしてきました。Lidar(光による検出と距離の測定)包絡線追跡ワイヤレス・パワーなどの新しい市場は、GaNの優れたスイッチング速度によって出現しました。これらの新しいアプリケーションは、強力なサプライチェーン、低い生産コスト、そして、ねたまれるほどの素晴らしい信頼性記録の確立に貢献してきました。これらすべてが、DC / DCコンバータ、AC / DCコンバータ、自動車などのアプリケーションにおける保守的な設計技術者に評価作業を始めさせるための十分な動機になっています。この記事では、この採用率の急速な拡大につながる要因を探ります。

米Electronics Weekly誌
2019年1月
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Efficient Power Conversion(EPC)、車載品質のeGaN FETを製品化、Lidarシステムの「目」の改善に貢献、48 Vの自動車用電源システムの効率を向上し、コストを削減

Efficient Power Conversion(EPC)、車載品質のeGaN FETを製品化、Lidarシステムの「目」の改善に貢献、48 Vの自動車用電源システムの効率を向上し、コストを削減

EPC(Efficient Power Conversion)は、新たに窒化ガリウム・デバイスを2品種製品化し、車載品質AEC Q101の製品ファミリを拡張しました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2019年1月16日、当社のeGaNデバイス2品種が、新たに車載品質AEC Q101の認定を取得したと発表しました。自動車業界、およびその他の過酷な環境におけるさまざまなアプリケーションに対応します。この新製品2品種(「EPC2206」と「EPC2212」)は、いずれもウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ(WLCS:wafer level chip-scale package)に収めたディスクリート・トランジスタで、耐圧は、それぞれ80 Vと100 Vです。

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GaNの力と進化、パート4:eGaN FETとICを使って手術用ロボットを精密に制御する

GaNの力と進化、パート4:eGaN FETとICを使って手術用ロボットを精密に制御する

このシリーズでは、窒化ガリウム(GaN)・オン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスの優れたスイッチング速度によって、多くの新しいアプリケーションがどうして可能になったかを説明しています。これらのアプリケーションには、自動運転車用Lidar(光による検出と距離の測定)、5G通信向け包絡線追跡、家庭やオフィス向け大面積ワイヤレス・パワーなどがあり、業界を変革しています。この記事では、GaNパワー・デバイスが手術用ロボットを精密に制御できるようにすることによって、医療をどのように変革しているかについて探ります。

米Power Systems Design誌
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