EPC（Efficient Power Conversion）は、パワー・システムの統合を容易にするため、業界をリードする窒化ガリウム・ベースのパワー・デバイスをウエハーの形態で提供します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月4日、統合化を容易にするため、業界をリードするエンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）・デバイスをウエハーの形で提供すると発表しました。当社のeGaN^® FETとICはこれまで、切り出したチップを、はんだバーまたははんだバンプを備えたチップスケール・デバイスとして販売していました。

EPCは、当社CEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidow博士が2019年のISPSD殿堂入りしたと発表しました

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月29日、当社CEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）博士が2019年のISPSD殿堂入りしたと発表しました。この権威ある栄誉は、パワー半導体技術の進歩とISPSDの発展を支えることに貢献した功績に対して授与されました。この殿堂入りは、2019年5月20日に、中国の上海のMarriott Parkview Hotelで開催されたパワー半導体デバイスとICに関する国際シンポジウム第31回ISPSD（IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）2019で発表されました。

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高品質の無線通信やワイヤレス・パワーの組み込みソリューションの設計メーカーである台湾のjjPLus社は5月21日、5月28日～6月1日に台湾の台北で開催されるCOMPUTEX 2019の会場Nangang Exhibition Center（南港展覧館）のホール1、ブース番号K1024で、次世代のワイヤレス・パワー伝送および新しいWiFiソリューションを展示すると発表しました。

eGaN FETとICは、その小型、超高速スイッチング、低オン抵抗によって、非常に高電力密度のパワー・コンバータ設計を可能にします。ほとんどの高電力密度コンバータの出力電力を制限する要因は接合部の温度です。このため、より効果的な熱設計が必要になります。eGaN FETとICのチップスケール・パッケージは、6面冷却、すなわち、チップの裏面、表面、側面から効果的に放熱します。この記事では、eGaNベースのコンバータの出力電流能力を強化するための高性能熱ソリューションを紹介します。

米EDN誌
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シリコン・バレーの中心から、新しいは流行語が登場します。窒化ガリウムは、パワー技術の未来です。テク・ブログは、将来のシリコンとして、窒化ガリウムを売り込んでおり、あなたは、そのエントランスに入るために十分、理解しています。窒化ガリウムがいかに重要であるかを知ることは、あなたをよりカッコよく、より良いユーザーにします。あなたが、あなたのグループの最前線にいるのは、あなたがこの新技術を知っているからです。そして、その技術の名は窒化ガリウムです。

米ブログ・サイトのHACKADAY
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EPCの最高経営責任者（CEO）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、彼のGaNデバイスが性能と価格でシリコンを凌駕していると考えている、とRebecca Pool氏は報告しています。

EPCの最高経営責任者（CEO）であるAlex Lidowにとって、今年のPCIM Europe 2019はアプリケーションに絞られました。最終製品の中にある無数のエンハンス・モードGaN FETとICを示し、先進的なコンピューティングや自動車の48 V入力のDC-DC電力変換のために、同社は大きな役割を果たしています。

英Compound Semiconductor誌
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今年のパワー・エレクトロニクス機器の国際展示会PCIM Europeには、1万2000人を超える記録的な訪問者が訪れました。半分以上（54％）がドイツ国外から参加しました。彼らは、500を超える出展者を見に来ました。主題は多様で広範囲にわたっていましたが、いくつかのテーマが際立ちました。特に、GaNとSiCが注目を集めました。Efficient Power Conversion（EPC）は、GaNがすでに製品化されている潜在力を示し、同社が2009年に発表したeGaN FET技術の例を数多く取り揃えていました。

英オンライン・ニュースElectronic Specifier
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Efficient Power Conversion（EPC）は、欧州の展示会PCIM Europe 2019で、GaN技術の優れた性能が、コンピュータ、通信、輸送などの業界全体の電力供給をどのように変えているかを示すライブ・デモを実施します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2019年4月23日、5月7日～9日にドイツのニュルンベルクで開催される国際的な展示会と会議PCIM Europe 2019で、当社のチームが窒化ガリウム（GaN）技術とその応用に関する7件の技術プレゼンテーションを行うと発表しました。さらに、いち早くeGaN技術を採用しているユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN^® FETとICをホール7、スタンド335で展示する予定です。

Efficient Power Conversion（EPC）は、高分解能Lidar（光による検出と距離の測定）システム向けに最適化された耐圧80 Vの窒化ガリウム・トランジスタEPC 2214を製品化し、車載品質の規格AEC Q 101認定の製品ファミリーを拡張します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2019年4月16日、自動車産業やその他の過酷な環境におけるLidar（光による検出と距離の測定）システム向けに設計した耐圧80 Vの「EPC2214」がAEC Q101認定を取得したと発表しました。

EPC（Efficient Power Conversion）は最近、48 Vのサーバーや自動車のニーズに対応できる100 Vの新しいGaNデバイス2種を製品化しました。私は、プロセッサだけでなく、自動車システムやエネルギー蓄積システム（私の記事である双方向DC / DC電源：私たちはどちらに行くのか？、を参照してください）の双方向電源に対する48 Vサーバー電源ソリューションを、近々、公開される米EDN誌だけの記事で調べる予定です。GaNパワー・トランジスタは、この種のアーキテクチャの一部として「必須」です。私の視点からすると、これ以上良い選択肢はありません。

米Planet Analog誌
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Efficient Power Conversionは、GaNベースのデバイス開発の最前線にいます。このビデオでは、EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）がAlix Paultre氏と、GaNベースのデバイスが提供する利点を強調したこの展示会におけるさまざまなデザイン・インについて話します。

米Embedded Computer Design誌
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書籍「ワイヤレス・パワー伝送の3部作」は、3つのパートで構成されています。すなわち、ワイヤレス・パワー伝送の基本原理、ワイヤレス・パワー伝送システムと応用です。この本の最初のパートでは、物理的な基本原理と、非接触電力伝送のさまざまな方法について説明しています。さらに、主要な標準規格をこのパートで紹介します。第2部では、例えば、ワイヤレス・パワー伝送システム、ワイヤレス・パワー伝送のさまざまな回路構成、効率を高めるために必要な送信コイルと受信コイルの正しい選択、およびトランジスタの選択について説明します。3番目のパートは、実践的な応用を説明します。これには、Qi規格の範囲内のアプリケーション、および独自のソリューションの例が含まれます。密結合システムと疎結合システムのEMI（電磁干渉）関連トピックの概要、およびマルチモードのワイヤレス・パワー伝送システムの例で、この実践的なパートを締めくくります。「ワイヤレス・パワー伝送の3部作」の著者は、ウルトエレクトロニクスeiSosのワイヤレス・パワー伝送部門マネージャのCem Somと、Efficient Power Conversionのアプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデントのMichael de Rooij博士です。この本の価格は19ユーロで、ウルトエレクトロニクスeiSosまたは書店で注文できます。

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EPCのCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、APEC 2019のRidley Engineeringブースで、シリコンが死んだというタイトルのプレゼンテーションを行いました。

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PSDtvのこのエピソードでは、Efficient Power Conversion（EPC）の最高経営責任者で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、米国カリフォルニア州アナハイムで開催されたAPEC 2019において、GaNオン・シリコン・デバイスが、なぜ今、シリコンを滅亡させるのかを説明します。

米Power Systems Design誌のビデオPSDtv
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EPCは、すでに製品化したEPC2045、EPC2052、EPC2051に加えて、耐圧100 V、最大オン抵抗3.8 mΩのeGaN^® FETであるEPC2053を製品化し、GaNトランジスタの100 Vファミリーを拡張しました。48 V入力の高性能DC-DC変換を、より高効率、より小型、より低コストで実現できます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2019年4月3日、eGaN FET「EPC2053」（最大オン抵抗3.8 mΩ、耐圧100 V）を製品化したと発表しました。窒化ガリウム・トランジスタの市販品のコストを低価格化し、性能を向上しました。

EPC2052は、非常に小型のチップスケール・パッケージに収め、74 Aのパルス出力が可能な耐圧100 V、最大オン抵抗13.5mΩのパワー・トランジスタを発売しました。48 V入力、12 V出力の DC-DCパワー・コンバータにおいて、これらの新世代eGaN FETは、500 kHzで効率97％以上、1 MHzで96％以上を実現できました。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2019年3月15日、最大オン抵抗RDS(on)が13.5 mΩで、高効率電力変換用に74 Aのパルス電流を出力でき、実装面積がわずか2.25 mm2と小型の耐圧100 VのGaNトランジスタ「EPC2052」を発売しました。

問題がパワー半導体、すなわちトランジスタ、ダイオード、または集積回路のパッケージに向けられると、常に、改善の要求は6つの分野に分類されます。

1. パッケージを小型化できますか？
2. パッケージのインダクタンスを減らすことができますか？
3. 導通損失が小さい製品を作ることができますか？
4. パッケージの熱効率を高めることができますか？
5. より低価格で製品を売ることができますか？
6. パッケージの信頼性の高くできますか？

この記事では、GaNオン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスのパッケージに焦点を当てます。これは、パワー・システムの設計者が、効率と電力密度を高めると同時に、システムのサイズとコストを削減するために最も強く求めていることです。

DC-DC、Lidar（光による検出と距離の測定）、ワイヤレス・パワーといったアプリケーションなどの幅広い顧客基盤への継続的なサポートの一環として、EPCは、2019年の3月と4月に開催される業界の主要な世界的展示会で技術者とミーティングすることで革新の旅を続けます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2019年3月8日、2019年の3月と4月に開催される業界の主要な世界的展示会で、GaNを自身の設計に取り込むことを検討している革新的な技術者と当社のエキスパートたちがミーティングする機会を設定すると発表しました。

新しいコンバータ構成とパワー・トランジスタが、次世代人工知能（AI）のプラットフォームを動かすだろう電源のサイズを小型化し、効率を高めると断言できます。48 V入力のすべての回路構成において、最高の効率はGaNデバイスを使うことによって得られます。これは、容量が小さくサイズが小さいためです。GaNパワー・トランジスタの最近の低価格化に伴って、シリコン・ベースのコンバータとのコスト比較は今、すべての最先端のソリューションにおいてGaNが非常に優勢になりました。

米オンライン・ニュースPower Electronic Tips
2019年3月
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EPCは、GaN技術の優れた性能が、コンピュータ、通信、自動車などの業界全体の電力供給をどのように変えているかを示すライブ・デモを実施する予定です。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は、当社のチームが2019年3月6日、3月17日～21日に米国カリフォルニア州アナハイムで開催されるAPEC 2019 で、窒化ガリウム（GaN）技術とその応用に関する11件の技術発表を行うと発表しました。さらに、eGaN技術によって実現されるユーザーの最終製品に搭載した最新のeGaN FETとICを展示する予定です。