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GaNパワー•トランジスタEPC2100は、パワー・システムの設計者に、完全なバック・コンバータ・システムの効率と電力密度を向上するためのソリューションを提供します。スイッチング500 kHzで、12 Vから1.2 Vに変換するときの効率は、10 Aで93％弱、25 Aで90.5％以上を実現できます。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年9月24日、エンハンスメント・モードGaNトランジスタで初めてのモノリシック・ハーフブリッジ「EPC2100」を製品化しました。2個のeGaNパワーFETを単一のデバイスに集積化することで、相互接続インダクタンスと、プリント回路基板上に必要なデバイス間の空間が除去されます。最終ユーザーの電力変換システムの組み立てコストを削減できると同時に、効率（特に、より高い周波数において）と電力密度の両方を向上できます。
ハーフブリッジ EPC2100に内蔵した各デバイスの電圧定格は30 Vです。上側（ハイサイド）FETのオン抵抗RDS(on)は、標準値で6mΩ、下側（ローサイド）FETのRDS(on)は標準1.5mΩです。入力電圧／出力電圧の比が大きいバック（降圧型）・コンバータの効率的なDC-DC変換を最適化するために、ハイサイドFETの大きさは、ローサイド・デバイスの約1／4になっています。EPC2100は、スイッチング速度と熱特性を改善するためにチップスケール・パッケージで提供され、電力密度を高めるために、パッケージ面積は6mm×2.3mmと小型です。
「今、設計者は、eGaN技術による製品、すなわち、スペースを節約し、効率を向上し、コストを削減できるモノリシックのeGaNハーフブリッジ・デバイスのファミリーの最初のサンプルを入手できます。電力変換システムがマルチメガヘルツ領域へと拡張すると同時に、システム効率と電力密度を向上するために、ディスクリート（個別）・デバイスの集積化が、ますます重要になります」と、EPC社の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス•リドウ）は述べています。
開発基板
開発基板「
EPC9036」は、面積2インチ×2インチ（1インチは2.54cm）で、集積化された1個のハーフブリッジEPC2100に加え、米テキサス・インスツルメンツ社のゲート•ドライバLM5113、電源回路、バイパス•コンデンサを搭載しています。この基板は、最適なスイッチング特性が得られるようにレイアウトされており、波形測定と効率計算を単純化するために、さまざまなプローブ・ポイントを備えています。
価格と購入方法
モノリシック・ハーフブリッジEPC2100の1000個購入時の単価は5.81米ドルです。
開発基板EPC9036の単価は137.75ドルです（いずれも米国での参考価格）。
いずれも、Digi-Key社のウエブ（http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja）で購入でき、即時に配送されます。
eGaN FETの設計情報とサポート：
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。
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9月3日のIEEE PELSで、Johan Strydom博士は、包絡線追跡の用途で要求されるシステム帯域幅の要件を満たすために、窒化ガリウム・パワー・トランジスタの寄与について議論するウェビナを実施します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年8月21日、包絡線追跡のパワー回路設計への窒化ガリウム・トランジスタの応用を担当するEPC社の専門家が、IEEE Power Electronics Society（PELS）が主催する9月3日の1時間（午前11:00～12:00（EDT））のウェビナを実施すると発表しました。
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この記事では、10 MHzでスイッチングするハード・スイッチングのバック（降圧型）・コンバータの結果を示し、コンバータの損失の内訳を説明します。eGaN® FETを使って、現在利用可能な並ぶもののない高周波特性を実証し、より高いスイッチング周波数へ押し上げるための現在の制約にも焦点を当てます。
米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年8月
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GaNオン・シリコンFETでパワー・デバイス市場に押し寄せる意図、EPC社のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が将来の市場機会について米Compound Semiconductor誌に語りました。
米Compound Semiconductor誌
2014年7月
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ワイド・バンドギャップの窒化ガリウム・オン・シリコン（GaNオンSi）トランジスタは現在、一般に入手できることについての長い話。彼らは、シリコン・ベースのMOSFETを置き換えるためにしつこく売り込んでいます。これは、多くの高性能電源の設計にとって、非効率性からの脱出となります。最近では、GaNオンSiベースのHEMTやFETのいくつかのサプライヤが市場に出現し、その中にEfficient Power Conversion（EPC）社があります。電源設計がシリコンMOSFETからeGAN FETに移行するためのeGAN FETの評価を円滑に行うために、EPC社は、ここ数年の間にいくつかの開発基板を製品化しました。
By Ashok Bindra
Digi-Key Article Library
2014年7月15日
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低出力容量、低入力容量、低寄生インダクタンス、小型などのeGaN®FETの優れた特性は、高共鳴でRezence (A4WP) 準拠のワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化に最適です。
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実用化に近い高耐圧GaNデバイスで、メーカーは、最後に、巨大市場への成長を期待できます。
米Compound Semiconductor誌
2014年7月
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低出力容量、低入力容量、低寄生インダクタンス、小型などのeGaN® FETの優れた特性は、高共鳴のワイヤレス給電規格 Rezence (A4WP) 準拠のワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化に最適です。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年6月27日、革新的で高性能な回路構成であるゼロ電圧スイッチング（ZVS）のD級によるワイヤレス・パワー伝送向けデモ・ボードを製品化しました。このアンプ（給電）基板 EPC9506とEPC9507は、75％以上の効率が得られるワイヤレス・パワー・システムを容易に実現するために、EPC社の窒化ガリウム・トランジスタの高周波スイッチング能力を利用しています。
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全体的にみると、2020年のデバイス市場規模は6億米ドルと推定され、約58万枚×6インチ・ウエハーに換算されます。急増の理由は、2016年が非常に印象的なスタートとなり、電気自動車（EV）／ハイブリッド車（HEV）が2018年～2019年にGaNを採用し始めるというシナリオに基づいて、2020年までの年平均成長率（CAGR）を80％と推定しています。電源／PFC部門が2015年から2018年までのビジネスの主流で、最終的には、デバイス売上高の50％を占めます。その後、自動車が追いつくでしょう。
市場調査会社の仏Yole Développement社
2014年6月
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窒化ガリウム（GaN）ベースのパワー・デバイスは、シリコン・パワー・デバイスの能力を超える周波数とスイッチング速度で動作可能なので急速に採用されてきています。
英Power Electronics Europe誌
By：Alex Lidow博士、Johan Strydom博士、David Reusch博士
2014年6月
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Glaser博士は、ベンチマークとなるパワー・コンバータの設計を担当し、高周波、高性能の電力変換システム用 eGaN FETs® を使っている顧客を支援します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年6月17日、John Glaser博士がアプリケーション・エンジニアリング部門ディレクタとして、EPC社のエンジニアリング・チームに加わったと発表しました。
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市場調査会社の仏Yole Développement社の最新レポートによると、GaNパワー産業は、将来的に大きく成長する準備が整っています。
米Compound Semiconductor誌
2014年6月12日
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仏調査会社Yole Développement社は、Efficient Power Conversion（EPC）社のCEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）博士にインタビューしました。
仏Yole Développement社
2014年6月
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EPCのeGaN® FETであるEPC8000シリーズのような高周波のエンハンスメント・モード・トランジスタは、2013年9月以来、広く利用されており、RF周波数での設計を単純化することができます。今回は、EPC8000シリーズのデバイスのRF特性を説明し、パルス化されたA級アンプへの実装を示します。RFデバイスの消費電力は一般的に、RF電力供給と同じ程度の電力なので、このアンプは、デバイスの熱的動作限界以下での動作を可能にするためにパルス化され、効率95％以上で十分な動作をするEPC8000シリーズのようなスイッチング素子とは異なります。EPC8000シリーズのFETは本来、スイッチングで電力変換する用途向けに設計されていますが、これとは別に、優れたRF特性を示し、結論では、同じような仕様のLDMOSと比較します。
米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年5月29日
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数1000億米ドルが、シリコン技術のサプライチェーンを信じられないほど効率的にするために費やされています。新たに出現した高性能GaNトランジスタは、シリコン・ベースの生産のこの巨大な整備された基盤に対して、いかに競合できるか。簡単です。GaNトランジスタの生産は、整備されたシリコン・サプライチェーンを活用できます！ そして、著しくのGaNトランジスタのコストを下げられます。
米Power Systems Design誌
By Alex Lidow博士
2014年5月27日
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DrGaNPLUS 評価基板のEPC9202は、100 V、10Aの基板で、高速スイッチングのeGaN®パワー・トランジスタを使って達成される電力変換のための超小型化と効率向上を実証します。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年5月22日、窒化ガリウム・トランジスタの比類のない特性を評価するパワー・システム設計者向けに使いやすさを提供する評価基板 DrGaNPLUS を製品化しました。これらの基板は、GaNトランジスタの電力変換ソリューションの優れた特性を実証するために容易に実装することができる極めて小さい単一プリント回路基板ベースのモジュールに、ハーフブリッジ回路に必要な部品をすべて統合したコンセプト実証設計です。
最初の DrGaNPLUS 基板であるEPC9202は、100 V、10Aのハーフブリッジ・パワー・コンバータで、「プラグ・アンド・プレイ」対応の評価基板です。設計者は、窒化ガリウム・パワー・トランジスタの御利益が得られる高い性能を、迅速かつ簡単に評価することができます。例えば、この基板は、通信用途向けの一般的な電力変換であるVIN＝48 V、VOUT=12 Vで、ピーク効率97％を実現しています。
EPC9202は、単一のPWM（パルス幅変調）入力によって駆動され、2個のeGaN FET（EPC2001）、米テキサス・インスツルメンツ社のドライバLM5113、高周波入力コンデンサを備えています。この DrGaNPLUS 基板は、一辺当たりわずか9 mm強と小さく、プリント回路基板上に直接、実装することができます。これは、共通ソースと高周波の電力転流ループ・インダクタンスによる減衰の影響を最小化する最適なレイアウトで設計されています。
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機能
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利点
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- ピーク効率97％ (VIN =48 V から VOUT = 12 Vへ）
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「当社のDrGaNPLUS シリーズの最初の基板であるeGaN FET評価基板のEPC9202の製品化に興奮しています。特性の向上、低コスト、高信頼性に加えて、使いやすさは、新技術採用における重要な要素です。 DrGaNPLUS 評価基板の導入に伴って、電力変換システムの設計エンジニアは今、パワー・システム回路に窒化ガリウム・トランジスタを組み込むことによる比類のないメリットを評価するための迅速で簡単な方法を手に入れられます」とEPC社の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）はコメントしました。
セットアップ手順、回路図、特性曲線、BOM（部品表）を含む クイック・スタート・ガイドが参考のためにEPC9202デモ・ボードに同梱され、使いやすさはオンラインで提供されます。
デモ・ボードEPC9202の単価は、45.00米ドルです（米国での参考価格）。Digi-Key社のウエブ（http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja）で購入でき、即時に配送されます。
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IEEE PELSが6月4日にウェビナ（webinar）を開催、Alex LidowとMichael de Rooijがワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化へのeGaN®パワー・トランジスの貢献を議論
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）の窒化ガリウム・トランジスタの設計と利用のエキスパートは、6月4日の午前10時30分～午前11時30分（東部夏時間）に、IEEE Power Electronics Society（PELS）が主催する1時間のウェビナを実施します。
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シリコンは、電力変換特性の理論的限界に達しています。窒化ガリウム（GaN）や炭化シリコン（SiC）は、シリコン・パワーMOSFETの120億米ドル市場のほとんどを置き換えます。シリコンの理論的限界よりも5〜10倍優れている製品が今日、生産されています。
Bodo’s Power Systems誌
By Alex Lidow博士
2014年5月
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無線エネルギー伝送の人気は、特に、携帯機器の充電を目的とする用途で、過去数年にわたって上昇してきています。この記事で、EPCは、免許不要のISM（Industrial、Scientific and Medical）帯の6.78MHzまたは13.56MHzで動作するA4WP規格に最適な疎結合コイルで高共鳴の無線ソリューションに焦点を当てます。
Bodo’s Power Systems誌
By Alex Lidow博士、Michael De Rooij博士
2014年5月
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